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投資10nm/3D NAND 晶圓廠設備支出今年增3.7%

作者: 時間:2016-03-31 來源:新電子 收藏

  國際半導體產業協會(SEMI)最新報告指出,、DRAM與10奈米制程等技術投資,將驅動2016年廠設備支出攀升,預估2016年包括新設備、二手或專屬(In-house)設備在內的前段廠設備支出將增長3.7%,達372億美元;而2017年則可望再成長13%,達421億美元。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201603/289045.htm

  SEMI指出,2015年廠設備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠設備支出可望緩慢提升,下半年則將開始加速,為2017年儲備動能。2017年相關支出可望回復兩位數成長率。

  對成長貢獻最大之類別包括晶圓代工、晶圓廠,以及準備在2017年拉升10奈米制程產能的業者。專業晶圓代工廠仍然是最大支出來源,其2015年支出從107億美元略為下滑至98億美元(較前一年減少8%),惟2016年可望增加5%,2017年成長率更將接近10%。

  DRAM支出緊追在晶圓代工之后,排行第二。2015年DRAM支出表現強勁,但2016年可望趨緩,下滑23%,到2017年將恢復上揚趨勢,成長率上看10%。

  就支出成長率來看,最大成長動力來自(包括3D XPoint技術)。2014年支出為18億美元,到2015年倍增至36億美元,成長幅度高達101%。2016年支出將再增加50%,上揚56億美元以上。

  



關鍵詞: 晶圓 3D NAND

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