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3d nand 文章 最新資訊

Cadence推出Clarity 3D場求解器,為系統級分析和設計提供前所未有的性能及容量

  • 內容提要: ? Clarity 3D Solver場求解器是Cadence系統分析戰略的首款產品,電磁仿真性能比傳統產品提高10倍,并擁有近乎無限的處理能力,同時確保仿真精度達到黃金標準 ? 全新的突破性的架構針對云計算和分布式計算的服務器進行優化,使得仿真任務支持調用數以百計的CPU進行求解 ? 真正的3D建模技術,避免傳統上為了提高仿真效率而人為對結構進行剪切帶來的仿真精度降低的風險 ? 輕松讀取所有標準芯片和IC封裝平臺的設計數據,并與Cadence設計平臺實現專屬集成
  • 關鍵字: Cadence  Cadence? Clarity? 3D Solver場求解器  

嶄新的名字——Agilex,英特爾新FPGA有哪些黑科技?

  • ? ? 不久前,英特爾舉辦新聞發布會,隆重宣布推出以數據為中心的一系列產品組合,以實現更全處理、更強存儲和更快傳輸。其中的重磅產品之一是10 nm英特爾? Agilex? FPGA 家族,能夠為以數據為中心的時代帶來靈活的硬件加速能力,將于2019年下半年開始試樣。? ? Agilex來源于Agile(敏捷的)。該產品是英特爾目前的高端FPGA系列——Stratx 10的下一代產品。它為何有個嶄新的名字Agilex?它有哪些新特性?為此,電子產品世界等媒體在深圳訪問
  • 關鍵字: FPGA  3D  封裝  

為物聯網行業發展做出突出貢獻,Entegris用了哪些方法?

  • 當前,我們正在經歷第四次工業革命的歷史進程,在這里催生了很多新技術和新市場,比如物聯網、人工智能、新能源、3D打印、納米技術等等。這么多新的技術和產品相互激勵、互相融合,共同推動半導體行業不斷發展,從而改變人類的生活方式。
  • 關鍵字: 物聯網  Entegris  3D NAND  

NAND價格走跌,2019年PCIe SSD市場發展潛力巨大

  •   Admin 固態硬盤 今天由于NVMe的價格溢價下降,預計今年PCIe連接驅動器的銷售量將與SATA固態硬盤達到同等水平。  據報道,固態硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價正在推動市場兩端的銷售。制造商正在為相對有利可圖的企業和數據中心用例定制新的解決方案,而客戶端SSD的低成本正在推動OEM廠商的采用率,以包含在PC中。  根據該報告,最引人注目的是,512 GB固態硬盤的單價與2018年同期的256 GB固態硬盤相匹配,預計到2019年剩余時間內固態硬盤的價格將從512 GB降
  • 關鍵字: NAND  SSD  

研發主管U盤拷走Intel技術機密:獻給對手

  •   Intel風生水起的Optane傲騰產品是基于3D Xpoint存儲芯片打造的,而該技術其實是Intel和美光合研所得。不過,Intel和美光已經宣布,將在今年上半年完成第二代3D Xpoint芯片開發后分道揚鑣,同時,該存儲芯片誕生地、Intel美光合資的IM Flash工廠,也已經被美光全資收購,今年底交割完成。  然而,關于3D Xpoint,Intel和美光之間還正爆發著一場官司。  加州東區法院3月22公布的法庭裁定顯示,Intel前研發經理Doyle Rivers被要求不得擁有、使
  • 關鍵字: Intel  Rivers  3D Xpoint  

集邦咨詢:受惠需求回溫及產能調節,第二季NAND Flash合約價跌幅略有收斂

  •   Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出,受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產品合約價綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季。  展望第二季,DRAMeXchange分析師葉茂盛表示,歷經第一季的需求低谷之后,智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。另一方面,NAND Flash供應商
  • 關鍵字: NAND  UFS  SSD  

東芝和西數正研發128層3D NAND閃存:最早2020年上市

  •   根據外媒的報道,東芝及其戰略盟友西部數據準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中,該芯片將命名為BiCS-5。    據介紹,芯片將實現TLC,而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產量有擔心。該芯片的數據密度為512 Gb,新的128層芯片的容量比96層芯片多33%,可以在2020到2021年實現商業化生產。  據報道,新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據報道,該芯片還采用了CuA(陣列電路),這是一
  • 關鍵字: 東芝  西數  NAND  

存儲市場寡頭競爭,中國能否突出重圍

  • 事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金,因此,我國廠商的數字分攤到每年,還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產初期,如此巨大的資本開支也會給中國企業帶來不小的折舊壓力,下行周期中技術、管理略遜的中國企業可能必須經歷幾年內虧損,但若想實現存儲器的國產替代,這種投入十分必要。
  • 關鍵字: NAND  存儲器  

STRATASYS攜最新3D打印解決方案和高級新型材料亮相2019年TCT亞洲展

  •  3D打印和增材制造解決方案供應商Stratasys(Nasdaq:SSYS)今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(TCT Asia 2019),以其業界領先的創新型增材制造技術與智能制造解決方案引領行業新發展。展會期間,Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料,能夠突破3D打印原型應用極限,大幅降低生產耗時及人工成本,滿足客戶多元化的專業、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業頂級的行業盛會,匯聚了3D打印技術的創新發展
  • 關鍵字: 醫療,3D  

Stratasys攜最新3D打印方案和高新材料亮相TCT亞洲展

  • 3D打印和增材制造解決方案供應商Stratasys(Nasdaq:SSYS)今日亮相2019年TCT亞洲3D打印、增材制造展覽會(TCT Asia 2019),以其業界領先的創新型增材制造技術與智能制造解決方案引領行業新發展。展會期間,Stratasys所展示的體素級3D打印解決方案和FDM TPU 92A彈性材料,能夠突破3D打印原型應用極限,大幅降低生產耗時及人工成本,滿足客戶多元化的專業、快速原型制作需求。 TCT亞洲展是3D打印行業頂級的行業盛會,匯聚了3D打印技術的創新發展和最新應用,
  • 關鍵字: 3D  打印  

中國將增加在美半導體采購量?韓媒:不太容易

  •   據businesskorea報道,中國計劃在未來六年內將在美國的半導體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元),大約是目前水平的五倍。  然而,許多專家表示,美國急于遏制中國的半導體野心,不太可能接受中國的提議,因為它將增加對中國的半導體依賴。  韓國企業對該計劃持謹慎態度,主要有兩個原因。  首先,中國沒有提及將購買哪一種半導體。一家韓國半導體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進口何種半導體芯片,無論是內存、中央處理器(CPU)還是系統半導體芯片。在這種情況下,很難預測對韓國企業的影響。
  • 關鍵字: NAND  DRAM  

IC Insights:大陸半導體制造困難大,五年后自制率不過半

  • ICInsights最新報告顯示,大陸的集成電路生產仍遠低于政府的目標。報告指出,2018年大陸半導體市場為......
  • 關鍵字: 半導體  晶圓  NAND  

韓媒:存儲器產業陷入低迷,中國企業或放緩前進步伐

  • 根據韓國媒體Business Korea報道,由于存儲器產業從2018年年底迎來低迷,存儲器產品價格下跌,各大存儲器廠商先后宣布降低產量以來,雖然三星仍然穩坐半導體產業頭把交椅,但是其盈利能力已經受到質疑。  無獨有偶,SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此,那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢? 
  • 關鍵字: 存儲器,NAND  

集邦咨詢:供需失衡態勢難止,NAND Flash供應商2019年資本支出年減2%

  •   根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018年NAND Flash市場經歷全年供過于求,且2019年筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現仍難見起色,預計產能過剩難解。在此情況下,供應商將進一步降低資本支出以放緩擴產進程,避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。  DRAMeXchange調查指出,2018年因供過于求難以遏制,韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調近10%,但供需失衡的情形仍無法逆轉。2019年美系廠商減少資本支出,使得NAND
  • 關鍵字: NAND  東芝  

存儲器行業的2018:冰與火之歌|盤點2018

  • 存儲器一直被看成是半導體行業的晴雨表,它的表現也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行,伴隨著技術上的幾許亮色,邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至  2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
  • 關鍵字: 存儲器  NAND  
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