備受半導體產業信賴的 IP 供應商 Virage Logic 公司和中國最先進的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際)日前宣布其長期合作伙伴關系擴展到包括65納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術。根據協議條款，系統級芯片(SoC)設計人員將能夠使用 Virage Logic 開發的，基于中芯國際65納米低漏電工藝的 SiWare(TM) 存儲器編譯器，SiWare(TM) 邏輯庫，SiPro(TM) MIPI 硅知識產權 (IP) 和 Intelli(TM)
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中芯國際 65納米 SoC
Synopsys 5月19日宣布開始提供用于中芯國際65納米低漏電工藝技術的新思科技經硅驗證的和獲得USB標志認證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產權(IP)。在65nm技術日漸成為先進IC產品市場主導的今天，中芯的這一舉措有助于其進一步拓展65nm產品線，快速量產65納米低漏電工藝，加快客戶的產品上市時間。
DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專為各種高市場容量移動和消費電子應用而設計的，這些應用的關鍵要求包括要實現面積最小、低動態和泄
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中芯國際 65納米 低漏電
全球半導體設計制造軟件和知識產權領先企業新思科技有限公司和全球領先的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司今天宣布開始提供用于中芯國際65納米(nanometer)低漏電(Low Leakage)工藝技術的新思科技經硅驗證的和獲得USB標志認證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產權(IP)。作為一家提供包括控制器、PHY和驗證IP等USB2.0接口完整IP解決方案的領先供應商，新思科技繼續致力于通過提供高品質IP助力設計人員降低集成風險，這些IP具備了驗證過的互操作性，
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Synopsys IP 65納米 DesignWare
全球半導體設計制造軟件和知識產權領先企業新思科技有限公司和全球領先的半導體制造商中芯國際集成電路有限公司今天宣布開始提供用于中芯國際65納米 (nanoMEter) 低漏電 (Low-Leakage)工藝技術的新思科技經硅驗證的和獲得 USB 標志認證的DesignWare(R) USB 2.0 nanoPHY知識產權 (IP)。作為一家提供包括控制器、PHY 和驗證 IP 等 USB2.0接口完整 IP 解決方案的領先供應商，新思科技繼續致力于通過提供高品質IP助力設計人員降低集成風險，這些 IP
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中芯國際 65納米 半導體設計
聯電在先進制程有所進展!聯電執行長孫世偉表示，該公司在40奈米良率持續提升，28奈米后閘極(HK/MG)技術也將于2010年底達到 IP試制能力，20奈米也于2010年初與客戶合作進行規畫。孫世偉看好65奈米以下先進制程技術發展，估計第2季65奈米以下制程比重將往25%靠近，年底前可望進一步躍升到30~40%。
聯電第1季65奈米以下制程技術比重約18%，較2009年第4季上升1個百分點。預期第2季可望顯著攀高，將逼近25%。聯電執行長孫世偉預期，下半年65奈米以下制程技術比重可望進一步達30~
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聯電 65納米 邏輯電路
編者點評：Globalfoundries的崛起打亂了全球代工被雙雄獨霸的局面。實際上Globalfoundries兼并特許之后, 按Gartner4月的最新數據,09年全球代工排名中, 臺積電90億美元, 聯電居第二為27億, 特許的15億及Globalfoundries的11億美元, 所以新Globalfoundries總營收(把特許的計在內)己達26億美元 , 十分逼近聯電的27億美元。因此首先反映強烈的肯定是聯電, 所以其加強投資及擴大先進制程的市場份額是必為。然而分析Globalfoundri
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聯電 65納米 邏輯電路
據國外媒體報道，臺聯電(UMC)日前發布了2010年第一季度業績報告。
在今年第一季度中，臺聯電實現凈利潤34.8億元新臺幣，約合1.1億美元。去年同期聯電虧損81.6億新臺幣，而在09年第四季度，公司凈利潤為44億新臺幣。
湯森路透調查的分析師此前普遍認為，臺聯電第一季度有望實現凈利潤35.8億元新臺幣。
公司第一季運營利潤率為12.7%。這一水平低于競爭對手臺積電同期的37%。臺積電大力推行其更為先進的40與65納米工藝技術，這部分產品帶來的銷售收入約占公司總收入的41%。
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臺聯電 40納米 65納米
臺積電近期與客戶洽談下半年代工價格，占營收最大宗的65納米，因產能持續短缺，原本下季應該降價5%，但現在取消，形同變相漲價。分析師認為，65納米變相漲價，將導致臺積電營收隨之攀升。
臺積電昨日表示，下半年代工價格，都是與客戶長期議定的價格，不會因為短期景氣、隨市場變化而改變。昨天收盤價62.6元，下跌0.4元，在大盤重挫下，相對抗跌。
晶圓代工廠第二季以來，陸續與IC設計客戶追認下半年訂單，掌握營運能見度。據了解，臺積電、聯電通常會提前兩季，與長期合作、量大客戶敲定兩季以上的價格。
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臺積電 65納米 晶圓
4月20日早間消息，臺積電近期與客戶洽談下半年代工價格，占營收最大宗的65納米，因產能持續短缺，原本下季應該降價5%，但現在取消，形同變相漲價。分析師認為，65納米變相漲價，將導致臺積電營收隨之攀升。
臺積電昨日表示，下半年代工價格，都是與客戶長期議定的價格，不會因為短期景氣、隨市場變化而改變。昨天收盤價62.6元，下跌0.4元，在大盤重挫下，相對抗跌。
晶圓代工廠第二季以來，陸續與IC設計客戶追認下半年訂單，掌握營運能見度。據了解，臺積電、聯電通常會提前兩季，與長期合作、量大客戶敲定兩季
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臺積電 晶圓代工 65納米
TSMC7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統合且可交互操作的多項電子設計自動化(Electronic Design Automation; EDA) 技術檔案。這些與設計相關的技術檔案套裝包括可互通的工藝設計套件(iPDK)、工藝設計規則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。
iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導體產業的互通項目下通過驗證，也是TSMC「開放創新平臺」之一部份。
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臺積電 EDA 65納米 40納米 28納米
TSMC 7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統合且可交互操作的多項電子設計自動化(Electronic Design Automation; EDA) 技術檔案。這些與設計相關的技術檔案套裝包括可互通的工藝設計套件(iPDK)、工藝設計規則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。
iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導體產業的互通項目下通過驗證，也是TSMC「開放創新平臺」之一部份
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TSMC 65納米 40納米 28納米
昨日上午，英特爾大連芯片廠總經理柯必杰在接受CNET科技資訊采訪時指出，“英特爾大連芯片廠將于今年10月份正式投產，目前各方面已基本就緒。”
柯必杰告訴CNET科技資訊網，“我們現在最大挑戰是確保10月份正式投產。目前我們各方面正在向這個目標努力。”
2007年3月26日，英特爾宣布投資25億美元在中國大連設立芯片廠。2007年9月8日，英特爾大連芯片廠奠基并開土動工。
2009年3月份，英特爾大連芯片廠遷入主體功能大樓
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英特爾 32納米 65納米
寧先捷創業感言：在半導體芯片行業，國內企業與國際廠商最大的差距還是人才儲備，比培養人才更難的是留住人才。北京市以及開發區對人才的重視解除了高科技企業的后顧之憂，對于歸國的海外學人來說，最重要的就是感到受重視。
虎年春節，寧先捷終于和家人一起過了年。身為中芯國際集成電路制造(北京)有限公司技術開發中心負責人，他此前三個春節幾乎都是在車間里度過的。是什么讓中芯國際從海外請來的這位技術大腕以廠為家，即使過年也要堅守崗位?
寧先捷和他的研發團隊歷經三個寒暑，終于使中芯國際的65納米半導體產品達到國
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半導體芯片 65納米
據中國臺灣媒體報道，英特爾中國區董事總經理戈峻近日稱，英特爾大連12寸晶圓廠將于10月投產，采用65納米制程切入，生產芯片組產品。
臺積電、日月光、硅統等臺系廠商將面臨挑戰，友尚等英特爾產品重要伙伴，則可望與英特爾合作擴大搶進大陸內需商機，成為受惠一族。大陸半導體年度盛會 “SEMICONChina”正在上海舉行，戈峻代表英特爾中國區出席會場。戈峻宣布大連廠10月開始投產，是英特爾在全球第八個、亞洲第一個12寸晶圓廠。
分析人士稱，大陸半導體內需市場需求強勁，但內地
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英特爾 65納米 晶圓
隨著半導體分工的細化，Foundry領域已經成為全球半導體供應鏈中不可缺少的一環，對于全球半導體產業的健全帶來正面的影響，其重要性將會與日俱增，我們就以Foundry的領導者臺積電(TSMC)的觀點作為本次展望的總結。
臺積電(中國)有限公司總經理陳家湘認為，Foundry領域未來的挑戰包括如何繼續成長以及如何保持獲利，需要積極把握進入新的集成電路應用市場的機會，此外，要能提供更多樣的制程技術，進入其它尚未使用專業集成電路制造服務的半導體市場，也就是說，除了互補式金氧半導體邏輯制程之外，Foun
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臺積電 模擬集成電路 65納米
65納米介紹
從1965年Intel公司的Moore提出著名的摩爾定律到今年4月,正好是40年。40年來,半導體器件的發展歷程一直遵循著這一定律。進入2005年,IBM、德國英飛凌、韓國三星和新加坡特許半導體公司聯合的團隊以及美國德州儀器公司等廠商,都推出了65納米工藝制作的半導體集成電路樣品。我國臺灣省的臺積電也將在2005年年底批量生產65納米器件。
與上一代的90納米工藝相比,65納米工藝可以使 [
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