隨著半導體分工的細化，Foundry領域已經成為全球半導體供應鏈中不可缺少的一環，對于全球半導體產業的健全帶來正面的影響，其重要性將會與日俱增，我們就以Foundry的領導者臺積電(TSMC)的觀點作為本次展望的總結。

　　臺積電(中國)有限公司總經理陳家湘認為，Foundry領域未來的挑戰包括如何繼續成長以及如何保持獲利，需要積極把握進入新的集成電路應用市場的機會，此外，要能提供更多樣的制程技術，進入其它尚未使用專業集成電路制造服務的半導體市場，也就是說，除了互補式金氧半導體邏輯制程之外，Foundry公司也要能夠提供內存、模擬集成電路、高效能邏輯集成電路或影像感測組件等制程技術。

　　陳家湘

　　2010年又將是一個制程更替的節點，不過45/40納米仍將是Foundry的主力制程。TSMC 40納米工藝與65納米工藝的最大不同之處，在于40納米工藝運用了浸潤式光學技術、超低介電系數材料及應力工程，其芯片閘密度(Raw gate density)最多可達65納米工藝的2.35倍，并能減少漏電及操作功耗。我們將在2010年跳過32納米，直接進入28納米工藝，28納米工藝是我們的全世代工藝，并將同時提供客戶高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)及氮氧化硅(Silicon Oxynitride)兩種材料選擇，與40納米工藝相較，閘密度更高、速度更快、功耗更少。目前TSMC積極投注研發資源，傾全力發展28納米及之后更新世代的工藝，來應對客戶對不同產品的應用及效能需求。

　　由于全球經濟復蘇的力道較預期強勁，預計2010年就可超越2008年表現。全球半導體業產值方面，其2009年的衰退幅度也比原先預估的要輕微，將由原先預估的衰退17%調升至衰退12%。此外，預計在2010年至2011年間全球半導體業產值即可回到2008年的水準。至于Foundry領域產值，其2009年的年減率則由原本預估的衰退18%至20%，調升至衰退14%至15%。