- 在一些電磁環境比較惡劣的情況下,一些大規模集成電路常常會受到干擾,導致不能正常工作。特別是像RAM這種利用雙穩態進行存儲的器件,往往會在強干擾下發生翻轉,使原來存儲的"0"變為"1",或者"1"變為"0",造成的后果往往是很嚴重的。例如導致一些控制程序跑飛,存儲的關鍵數據出錯等等。現在,隨著芯片集成度的增加,發生錯誤的可能性也在增大。在一些特定的應用中,這已經成為一個不能忽視的問題。例如在空間電子應用領域,單粒子翻轉效應就成為困擾設計師的一個難題。
在這種情況下,我們可以采用錯誤檢測與糾正EDA
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EDAC VHDL 74630 模擬IC
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