enc03-rc 文章 最新資訊
全硅RC緩沖器,用于碳化硅MOSFET
- Melexis正在制造全硅RC緩沖器,用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣,所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體,并以裸芯片形式交付,準備與電源模塊內的MOSFET和二極管芯片進行頂部線連接。反金屬化兼容燒結和焊接。該硅吸收器設計用于直流鏈路,最高可達1000伏直流,峰值可達1200伏,擊穿額定值將超過1500伏。據公司介紹,它們“在電壓超過150伏時保持恒定電容,并在10nA附近表現(xiàn)出泄漏電流”。“有多種R和C組合,比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具體生產
- 關鍵字: 全硅 RC 緩沖器 碳化硅 MOSFET 電壓瞬變抑制
使用串聯(lián)和并聯(lián)RC和RL電路設計L形匹配網絡
- 通過RC和RL電路的品質因子(Q因子)以及這些電路的串并聯(lián)轉換,了解L形阻抗匹配方程在本系列的前一篇文章中,我們學習了如何使用史密斯圓圖設計無源阻抗匹配網絡。除了使用這種圖形方法,還可以遵循分析方法并使用一些方程來獲得所需的匹配網絡。首先,在深入阻抗匹配方程之前,我們需要了解兩個基本概念:RC和RL電路的品質因子以及這些電路的串并聯(lián)轉換。RC和RL電路的品質因子定義用Q表示的術語品質因子可以用多種方式定義。當談論儲能裝置(即電容器或電感器)時,Q表示我們的儲能裝置有多接近理想。例如,理想的電容器不會耗散任
- 關鍵字: 串聯(lián),并聯(lián),RC,RL,L形匹配網絡
采用RC串并聯(lián)電路的正弦波振蕩器電路
- 采用RC串并聯(lián)電路的正弦波振蕩器電路
- 關鍵字: RC 串并聯(lián)電路 正弦波 振蕩器
帶有RC的非門環(huán)形振蕩器電路
- 帶有RC的非門環(huán)形振蕩器實驗電路圖中為帶有RC延遲電路的非門環(huán)形自激多諧振蕩器實驗電路。振蕩電路由非門IC1、IC2、IC3及定時電路元件RP、C等組成,由IC3輸出矩形波信號。R1為保護電阻器,避免定時電容器c反向放電時有...
- 關鍵字: RC 非門環(huán)形 振蕩器
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