- 雖然隨機缺陷將產量與其量子性質導致的EUV光刻的實際分辨率聯系起來[1]，但EUV工藝的極低產量更容易與使用沒有薄膜的EUV掩模有關。薄膜是掩模上的薄膜膜覆蓋物（無論波長如何：EUV、DUV和i-line），用于防止顆粒落在掩模上的圖案上。顆粒可以落在薄膜上，但它們不會打印，因為它們會失焦。如果沒有薄膜，僅僅是讓一些顆粒落在掩模上，產量就會顯著下降[2]。令人驚訝的是，最近有報道稱，EUV用戶通常不使用薄膜[3,4]。關鍵原因是薄膜可能會因EUV光照射而損壞甚至破裂[5]。臺積電還在2023年報告稱，其E
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薄膜 EUV光刻 低產量
- 2022 年，半導體市場規模約為 0.6 萬億美元，商業分析師預計到 2030 年將翻一番 1.0 萬億美元至 1.3 萬億美元。半導體制造業的大幅增長可以在光刻工藝中體現出。光刻是一種圖案化過程，將平面設計轉移到晶圓基板的表面，創造復雜的結構，如晶體管和線互連。這是通過通過復雜的多步過程選擇性地將光敏聚合物或光刻膠暴露于特定波長的光下來完成的。最近，光刻技術的進步在生產最先進的半導體方面創造了競爭優勢，使人工智能（AI）、5G 電信和超級計算等最先進的技術成為可能。因此，先進的半導體技術會影響國家安全和
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EUV光刻
- 半導體制造中微型化的進展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準確模擬這些圖形產生的衍射要求運用精 ...
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光學光刻 EUV光刻 掩膜 晶圓形貌
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