三星1d DRAM良率問題或拖慢HBM5E量產(chǎn)計劃

• 據(jù)韓國媒體報道，三星電子的新一代1d DRAM（第七代10nm工藝）因良率未達標(biāo)，短期內(nèi)可能無法實現(xiàn)量產(chǎn)，進而影響其下一代HBM內(nèi)存的推進節(jié)奏。這一技術(shù)問題直接波及三星計劃中的HBM5E產(chǎn)品大規(guī)模生產(chǎn)。一位接近三星內(nèi)部的人士透露，三星電子決定在D1d良率達到預(yù)期目標(biāo)之前無限期推遲量產(chǎn)計劃，且尚未明確重啟時間。公司正重新審視工藝路線圖，以尋求良率提升的解決方案。盡管D1d DRAM技術(shù)此前已通過預(yù)生產(chǎn)批準(zhǔn)（PRA），但因良率低于預(yù)期，三星對其試產(chǎn)和量產(chǎn)的投資回報率（ROI）表示擔(dān)憂。D1d DRAM技術(shù)對三
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