納芯微電子高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N

• 一、產(chǎn)品概述NSD2622N是專為E-mode GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動芯片，該芯片采用了納芯微的成熟電容隔離技術(shù)，高邊驅(qū)動可以支持-700V到+700V的共模電壓，200V/ns的SW電壓變化斜率，同時具有低傳輸延時和低通道間延時匹配的特性，兩通道均能提供2A/-4A的驅(qū)動能力。高低邊的驅(qū)動輸出級都內(nèi)部集成專門的電壓調(diào)節(jié)器，可以生成5V~6.5V可調(diào)的穩(wěn)定正壓，以及-2.5V的固定負(fù)壓，從而省去了外部負(fù)壓電路。同時集成一顆5V固定輸出的LDO，可以為數(shù)字隔離器等電路供電，以用于需要隔離的場景。二、產(chǎn)品特
• 關(guān)鍵字： 納芯微電子  NSD2622N  高壓半橋驅(qū)動芯片  CES 2026