久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> pgnd

pgnd 文章 最新資訊

Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級模塊，輸出電流提高11 %

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊 ——?SiZF300DT?,將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET? MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix??SiZF300DT?提高了功率密度和效率,同時有助于減少元器件數量,簡化設計,適用于計算和通信應用功率轉換。日前發布器件中
  • 關鍵字： MOSEFET  PGND  
共1條 1/1 1

pgnd介紹

您好，目前還沒有人創建詞條pgnd!
歡迎您創建該詞條，闡述對pgnd的理解，并與今后在此搜索pgnd的朋友們分享。    創建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473