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Soitec絕緣硅晶圓成為瑞薩新型SOTBTM能量收集芯片組中核心成員

  •   作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業,法國Soitec半導體公司今日宣布瑞薩電子公司采用Soitec全耗盡絕緣硅(FD-SOI)晶圓產品線專用版,用于其65nm超低功耗SOTBTM工藝生產。至此,瑞薩新型基于SOTBTM技術的芯片克服了物聯網設備的能源限制,并將功耗降低到目前市場現有產品的十分之一,更加適用于超低功率和能量采集應用。  瑞薩利用其獨特的SOTB工藝技術開發出能量收集芯片,該芯片可收集20μA/ MHz的低有效電流和150 nA的深度待機電流。 該產品超低功率性能使其可以在端點幫
  • 關鍵字: SOTBTM  晶圓  
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