- 太陽能系統的發展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能，也能提升整個系統的效率，此外，在保證縮小系統尺寸的同時，還能降低熱損耗、易于安裝和降低成本。比較 GaN、SiC 和 IGBTGaN 憑借其每個裸片區更優的電阻（Rsp）、更低的輸入輸出電容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢復電荷等特性，顯著提升了
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- 近日，英飛凌科技股份公司成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言，新推出的600 V CoolMOS? S7系列產品可帶來領先的功率密度和能效。CoolMOS? S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改進以及高脈沖電流能力，并且具備最高質量標準。該器件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變極、PLC、功率固態繼電器和固態斷路器等。此外，10 m? CoolMOS? S7 MOSFET是業界RDS(on)最小的器件。該產品系列專為低頻率的開關應用而開發，旨在降低它們的
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