柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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三菱電機 SiC 柵極絕緣層
控制器局域網絡(CAN)可在多個網絡站點之間提供強大的通信能力，支持多種數據速率和距離。CAN具有數據鏈路層仲裁、同步和錯誤處理等特性，廣泛用于工業、儀器儀表和汽車應用之中。在ISO 11898標準的框架下，借助分布式多主機差分信令和內置故障處理功能，DeviceNet、CANopen等多種協議針對物理層和數據鏈路層規定了相應的實現方式。本文旨在描述如何針對給定應用優化設置，同時考慮控制器架構、時鐘、收發器、邏輯接口隔離等硬件限制。文章將集中介紹網絡配置問題——包括數據速率和電纜長度——說明何時有必要對C
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ADI CAN
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構（形成pn結）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩定地進行高濃度的Al離子注入，需
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三菱電機 SiC
SiC 功率器件市場規模逐年擴大，并將保持高速增長。
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SiC 功率器件
意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
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意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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東芝 低導通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET 驅動逆變器
Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。與傳統的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創新的單元件解決方案，在簡化設計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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SiC MOSFET柵極保護 非對稱瞬態抑制二極管 Littelfuse
全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
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SiC
壓縮機是汽車空調的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經冷凝器，節流閥和蒸發器換熱，實現車內外的冷熱交換。傳統燃油車以發動機為動力，通過皮帶帶動壓縮機轉動。而新能源汽車脫離了發動機，以電池為動力，通過逆變電路驅動無刷直流電機，從而帶動壓縮機轉動，實現空調的冷熱交換功能。電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內的環境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續航里程都至關重要。圖1.電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機需
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壓縮機 汽車空調 SiC
意法半導體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅系統的關鍵部件逆變器特別優化了第四代技術。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術創新成果，履行創新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術，推動電動汽車和高能效工業的未來發展。我們將繼續在器
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STPOWER SiC MOSFET 驅動逆變器
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備降低功耗。東芝現已開始提供該系列的十款新產品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產品和采用TO-247封裝的五款產品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基（JBS）結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有
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東芝 SiC 肖特基勢壘二極管 工業電源
與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優勢。此外，由
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三菱電機 SiC
SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復合體的混合位錯。就密度而言，最近質量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個/cm2，位錯的密度約為103～10?長達個/cm2。至今，與Si相
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三菱電機 SiC
我們采用單全橋LLC拓撲結構，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設備。如果您在網站上找不到該設備，可以參考FAN7688的說明。有關該零件的更多詳細信息，請參閱數據表和應用說明。由于輸出電壓高（250?450
Vdc），同步整流器對整流器的幫助不大傳導損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅動器。
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車載電動汽車充電器 NVHL060N090SC1 SiC
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