介紹基于一維游標陽極的紫外單光子計數成像探測系統及其信號預處理電路的原理，重點設計和制作了一維游標陽極探測器的前端電子讀出電路，用以探測脈寬100～200 ms，電荷量為1～20 pc的脈沖。通過使用自己實驗室搭建的單光子計數成像系統對電子讀出電路進行了測試。測試結果表明，電子讀出電路能夠滿足探測系統的成像要求，并在實驗中利用電路對掩膜板成像，成功獲得了灰度圖像。
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電路 設計 讀出 電子 探測器 及其 Vernier
針對P4-42熱釋電探測器的太赫茲成像數據采集系統,目前，用光學產生太赫茲激光的方法主要有以下幾種，太赫茲氣體激光器；利用超短激光脈沖光電導或光整流產生太赫茲輻射；利用非線性差頻過程(DFG)和參量過程產生太赫茲波。國內建立的掃描式太赫茲成像系統中。太赫茲輻
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42 熱釋電 成像 探測器
瑞薩電子開發出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現合適的工作裕度。以上內容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產品，該公司試制出了bit密度達到業界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞薩電子 SRAM CMOS
全球領先的芯片制造協會SEMATECH和先進無線芯片供應商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協議，共同推進CMOS技術進一步發展。Qualcomm是第一家進入SEMATECH的芯片設計公司，Qualcomm將深入參與和SEMATECH的研發項目，共同探索延續摩爾定律的新技術。
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Qualcomm CMOS 芯片設計
本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環增益，62°的相位裕度，高達138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
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CMOS 0.5 um 電流反饋
導讀: 欄型激光對射探測器，它既具有激光的光源優勢，又具有紅外柵欄簡潔隱匿的外形特征，能兼顧室內外應用環境，是防盜報警領域新一代革命性產品，能極大地拓展防盜報警領域的應用空間。
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應用 防盜報警 探測器 對射 激光
用來計算TTL集電極開路輸出電路靜態功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
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CMOS TTL 集電極開路 功耗
引言
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CMOS 高線性度 調幅 電路技術
CMOS雙向開關也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關在模擬電路和數字電路應用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關產品有CC4066/4051/4052/4053等，性能優良，使用方便且成本低。每個開關只有一個控制端和兩互為輸入/輸出信號端，
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CMOS 開關 工作原理
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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PA 砷化鎵 CMOS 單芯片手機 SiCMOS
5月25日，imec中國正式在上海張江高科技園區成立。同時，與華力微電子在先進芯片制程工藝技術上的合作開發項目也正式簽約。
imec與中國的合作已有十年的歷史，隨著中國在先進制程上的不斷投入，中國已經成為imec潛在的一個重要市場。imec中國今后將會進一步加強與中國企業、高校和科研院所在微電子技術轉讓與許可、聯合研發以及培訓等領域的合作。目前imec中國只有五名員工，隨著今后越來越多的合作協議的簽訂，imec中國將會吸引更多的研發人員與當地企業展開更加緊密地合作。
imec中國成立當天，
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imec CMOS 65nm
完成了一種橋式連接音頻功率放大器的仿真和設計。該音頻功率放大器的主體為橋式連接的兩個運算放大器，使用盡可能小的外部組件提供高質量的輸出功率，不需要輸出耦合電容、自舉電容和緩沖網絡。應用Cadence的Spectre模擬仿真工具進行電路仿真，得到其電路指標如頻響特性、電源電壓抑制比、總諧波失真等均達到要求。該音頻功率放大器具有良好的市場應用前景。
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電路設計 CMOS 功率放大器 音頻
高端數字成像解決方案的領先開發商 OmniVision Technologies, Inc.今日推出了 OV2720，是世界上第一個1/6-inch，原生1080p/30的高清晰度(HD)的CMOS圖像傳感器。OV2720主要針對筆記本電腦，上網本，攝像頭和視頻會議等應用而設計。OV2720是以該公司1.4微米「OmniBSI」背面照度(Backside Illumination，BSI)技術為基礎，可 提供HD品質的影像會議，同時還能符合現今薄型筆記本電腦所要求的模組尺寸。
OV2720已開始
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OmniVision CMOS，圖像傳感器
30年前的5月20日，臺灣第一家半導體公司─聯電誕生，這是培育半導體界人才的搖籃，由于投身晶圓代工產業，為臺灣半導體打造完整上中下游產業鏈，孕育臺灣兆元產業基礎。聯電接著將借由合并和艦，啟動下一個30年的成長，揭開國內半導體兩岸產業分工的新頁。
聯電將在20日于南科12A廠盛大舉辦慶生活動，聯電榮譽董事長曹興誠表示，當天將會和聯電榮譽副董事長宣明智透過網絡視訊，為聯電同仁加油、打氣。
面對聯電下一個30年，曹興誠認為，雖然半導體產業已經不像當年，擁有資本市場的優勢，但聯電處在一個對的經營模
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聯電 晶圓代工 CMOS
IMEC總裁Luc van den Hove表示為了開發新型的混合工藝技術(沿著后摩爾定律), 它的研究所決定與臺積電進行合作。
盡管IMEC己經與諸多先進芯片制造廠在CMOS材料與工藝方面進行合作, 但是仍需要有大量的創新應用來推動CMOS技術的進步。
IMEC總裁在Dresden的國際電子學年會上認為,IMEC欲開發專業應用的CMORE平臺。所謂混合工藝是指把邏輯電路與存儲器采用熱，化學及光學傳感器混合在一起, 或者采用BiCMOS工藝與生物電子接口, 光電子,MEMS及RF電路結合在
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臺積電 CMOS 芯片制造
cmos 探測器介紹
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