- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業界關注，為何?因為FD-SOI技術。
眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續命的高招。
盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，FinFET陣營占據絕對優勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
今天我們就來談談Fi
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FinFET FD-SOI
- 手機產業持續平穩增長，芯片市場維持高景氣度
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芯片 CMOS
- 盡管近段時間索尼忙于月底的MWC 2017，但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習慣。近日，索尼推出了一款劃時代的傳感器產品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據了解，索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進行改進，在像素層和信號處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理 技術介紹稱，大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力，從而拍攝快速移動物體時能夠更加從容，有效減少拍攝時所產生的焦平面失真現象，使得抓拍、慢動作都會更加
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索尼 CMOS
- 中國半導體業發展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑，其中骨干企業的責任尤為重要。
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SOI finFET
- 2016年12月7日，高通宣布在服務器領域的最新進展：其首款10nm服務器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預計在2017年下半年實現商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產品，Centriq 2400采用最先進的10nm FinFET制程技術，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個核心。
高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內核——Qualcomm? Fa
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高通 FinFET
- 最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅動性能達到了國際先進水平。
基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收，并在IEDM的關鍵分會場之一——硅基先導CMOS 工藝和制造技術(PMT)上，由張青竹
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FinFET 摩爾定律
- 由于技術和商業上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
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半導體 FinFET
- 1 CMOS集成電路的性能及特點 1.1 功耗低CMOS集成電路采用場效應管，且都是互補結構，工作時兩個串聯的場效應管總是處于一個管導通，另一個管截止的狀態，電路靜態功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。 1.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡單，供電電源體積小，基本上不需穩壓。國產CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作。 1.3
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CMOS 集成電路
- 據日本經濟新聞(Nikkei)網站報導，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價的趨勢已逐漸趨緩，智能手機用品的2016年7~9月報價甚至與10~12月報價維持相同水準，預料2017年初市場需求不減，報價甚至有上漲的可能。
以1,300萬畫素的產品來看，2016年第1季~第2季單價下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當的每個2~3美元水準。
造成CMOS影像傳感器價格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機轉向采用雙鏡頭設計，讓高階手機市場的CMOS影像傳
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CMOS 像傳感器
- 據日本經濟新聞(Nikkei)網站報導，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價的趨勢已逐漸趨緩，智能手機用品的2016年7~9月報價甚至與10~12月報價維持相同水準，預料2017年初市場需求不減，報價甚至有上漲的可能。
以1,300萬畫素的產品來看，2016年第1季~第2季單價下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當的每個2~3美元水準。
造成CMOS影像傳感器價格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機轉向采用雙鏡頭設計，讓高階手機市場的CMOS影像傳
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CMOS 傳感器
- 據日本經濟新聞(Nikkei)網站報導，攝影用的CMOS影像傳感器市場，由于市場需求增大，原本跌價的趨勢已逐漸趨緩，智能手機用品的2016年7~9月報價甚至與10~12月報價維持相同水準，預料2017年初市場需求不減，報價甚至有上漲的可能。
以1,300萬畫素的產品來看，2016年第1季~第2季單價下滑10%，第3季下滑僅約5%，第4季就停在與第3季相當的每個2~3美元水準。
造成CMOS影像傳感器價格下滑趨勢減緩的理由，主要在高階智能手機轉向采用雙鏡頭設計，讓高階手機市場的CMOS影像傳
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CMOS 影像傳感器
- 格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分，FX-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。 格羅方德56Gbps SerDes 內核同時支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導，可補償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
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格羅方德 FinFET
- 盡管距離國際標準化組織確定的2020年5G商用仍有3年時間之久，現在的4G網絡還有潛力挖掘和價值提升的空間，然而全球“大T”們(運營商)的發展焦點已經向5G轉移，紛紛從技術研發、標準制定、產業儲備等方面入手，對5G進行全面布局。
“預計2022年全球將有5.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發展最快的兩大地區。”鑒于全球運營商的積極行動，業界紛紛調高了對5G發展速度的預期，愛立信在近期發布的《移動市場報告》中就給出了2020年5.5億用戶的預期。
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三星 FinFET
- 一、電壓法判斷數字集成電路好壞
1、如果數字集成電路的供電電壓正常，焊接良好，而測得其電源引腳的電壓值過低，則可判定該被測數字集成 電路已損壞。
2、如果測得數字集成電路電源電壓引腳的電壓值正常，但其他引腳的電壓值大多失常，則說明接地引腳是虛焊，而該集成電路大多正常。
3、如果測得數字集成電路的個別或少數幾個引腳的電壓值偏離正常值較大，則應先檢查與這個引腳所對應原外圍元器件電路是否有故障，如電阻短路、斷路、電容漏電或被擊穿等。若外圍元器件電路無故障，則說明該被測數字集成電路已損壞。
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集成電路 CMOS
- 半導體領域FinFET技術發明人胡正明說，由于半導體技術的突破，網際網路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。
在中國大陸烏鎮舉行的第3屆世界互聯網大會，今年首次舉辦“世界互聯網領先科技成果發布活動”，由海內外網路專家組成的專家征集并評選出15項最尖端的技術成果和最具創新性的商業模式。胡正明及其率領的研究團隊，在半導體微型化的突破成就是其中之一。
胡正明率領的美國加州大學柏克萊分校團隊，將平面二維晶體管創新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導
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FinFET
cmos finfet介紹
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