ARM今日發布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術，此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現。 此款測試芯片的成功驗證(設計定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設計方案包含了IP、EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進的
關鍵字：
ARM FinFET
據中新網、網易等報道，當地時間2016年5月19日，美國總統奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項獲得者頒獎，包括9名國家科學獎獲得者和8名國家技術和創新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業于臺灣大學。
她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對進口石油的依賴。
另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后
關鍵字：
FinFET
Nvidia和AMD雙方都擁有為數眾多的粉絲,每天在網上相互抨擊的文章和帖子是數不勝數，大家都認為自家購買的顯卡是最好的，而把對方貶的一無是處，顯卡如此，CP黨爭更是如此。
關鍵字：
AMD FinFET
在工業應用中成像系統的廣泛采用持續擴展，不僅由新的影像感測器技術和產品的開發所推動，還由支援平臺的進步所推動，如電腦功率和高速數據介面。今天，成像系統的使用在各種領域很常見，如配線檢查、交通監測/執法、監控和醫療及科學成像，由于影像感測器技術的進步，使成像性能、讀取速度和解析度提高。隨著影像感測器現在采用電荷耦合元件(CCD)和互補式金屬氧化物半導體(CMOS)技術設計，審視這兩大平臺對于選擇最適合特定應用的影像感測器很有幫助。 電子成像技術的發展始于上世紀60年代，諾貝爾獎得主Boyle和Smit
關鍵字：
CCD CMOS
在研制帶處理器的電子產品時，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結了一些方法。 一、下面的一些系統要特別注意抗電磁干擾： 1、微控制器時鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統。 2、系統含有大功率，大電流驅動電路，如產生火花的繼電器，大電流開關等。 3、含微弱模擬信號電路以及高精度A/D變換電路的系統。 二、為增加系統的抗電磁干擾能力采取如下措施： 1、選用頻率低的微控制器： 選用外時鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
關鍵字：
電磁兼容 CMOS
在比較CCD和CMOS技術時試圖確定一個“贏家”，但這真的對兩者都有損公正，因為每種技術都是獨一無二的，提供不同的終端用戶優勢，東西好不好要看怎么用。
關鍵字：
CCD CMOS
全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
“我認為，FD-SOI正蓄勢待發。也許還得經過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創
關鍵字：
FD-SOI FinFET
處理連續性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號都具有連續性，可以轉換為正弦波研究。而數字IC處理的是非連續性信號，都是脈沖方波。 模擬IC按技術類型來分有只處理模擬信號的線性IC和同時處理模擬與數字信號的混合IC。模擬IC按應用來分可分為標準型模擬IC和特殊應用型模擬 IC。標準型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調節與參考對比(VoltageRegulator/Reference)、信號界面(Interface)、數據轉換(Data
關鍵字：
模擬IC CMOS
身為一位記者，我發現撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
關鍵字：
FD-SOI FinFET
本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現多余輸入端的解決方法，并且對每種情況進行了較為詳細的說明，希望大家能從本文得到有用的知識，解決輸入端多余的問題。 CMOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態下，柵極無電流，所以靜態時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法： 與門和與非門電路 由
關鍵字：
CMOS TTL
D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對于音頻應用很有意義?設計一個“優質”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問題。 音頻放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發聲輸出元件上重新產生真實、高效和低失真的輸入音頻信號。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內具有良好的頻率響應(當驅動頻帶有限的揚聲器時頻率
關鍵字：
D類放大器 CMOS
在工業應用的成像系統中，CCD是采用定制的半導體工藝生產，高度優化于成像應用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉換為數字信號用于后續處理。具有高效的電子快門能力、寬動態范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內，來進行電荷——電壓轉換。這令電壓在整個器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
關鍵字：
成像系統 圖像傳感器 CCD CMOS 201604
本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態系統，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優勢、應用領域和應用前景。
關鍵字：
FD-SOI FinFET 制造 201604
TTL電平信號對于計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強型PMOS晶體管和增強型NMOS管按照互補對稱形式連接的，下面來說一下兩者的區別。 什么是TTL電平 TTL電平信號被利用的最多是因為通常數據表示采用二進制規定，+5V等價于邏輯"1"，0V等價于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統，這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標準技術。 TTL電平信號對于計算機處理器控制
關鍵字：
TTL CMOS
整合光子與電子元件的半導體微芯片可加快資料傳輸速度、增進效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無法廣泛應用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國加州大學柏克萊分校、科羅拉多大學和麻省理工學院研究人員發表的論文，表示已成功利用現有CMOS標準技術，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。
據HPC Wire網站報導，這顆整合7，000萬個電晶體和850個光子元件的芯片，采用商業化的45納米SOI CMOS制程制作，與現有的設計和電子設計工具均相容，因此可以大量生產。芯片內建的光電發射器和接收器
關鍵字：
芯片 CMOS
cmos finfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條cmos finfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對cmos finfet的理解，并與今后在此搜索cmos finfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473