當前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著CMOS工藝及電路設計技術的發展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過采用專項技術，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開了CMOS圖像傳感器在微光領域應用的序幕。隨著對微光CMOS圖像傳感器研究的進一步深入，在不遠的未來，微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應用要求，在微光器件領域占據重要地位。
讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉換成后續信號處理電路
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CMOS 圖像傳感器
在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。
例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點采用
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FinFET FD-SOI
CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機大幅成長，未來則可望在汽車、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長率將高達10.6%。看好此一商機，中小型CIS晶片商正競相展開技術布局，期進一步擴大市場占有率。
CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風云變色，眾家廠商為卡位新商機，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場應用大宗，但汽車、醫療和安全監控等新興應用需求已
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CMOS 圖像傳感器
CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機大幅成長，未來則可望在汽車、醫療和安控等嵌入式應用推助下持續向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長率將高達10.6%。看好此一商機，中小型CIS晶片商正競相展開技術布局，期進一步擴大市場占有率。
CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風云變色，眾家廠商為卡位新商機，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現今CIS市場應用大宗，但汽車、醫療和安全監控等新興應用需求已
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傳感器 CMOS
近日，中國內地集成電路晶圓代工企業—中芯國際集成電路制造有限公司，與全球領先的信息和通信解決方案供應商華為、微電子研究中心之一比利時微電子研究中心(imec)、國際無晶圓半導體廠商Qualcomm Incorporated的附屬公司Qualcomm Global Trading Pte. Ltd.在京簽約，宣布共同投資中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司，開發下一代CMOS邏輯工藝。
中芯國際集成電路新技術研發(上海)有限公司由中芯國際控股，華為、imec、Qualcomm各占
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中芯國際 CMOS
整體半導體產業正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經展示了如何利用標準CMOS制程技術來達成以上目標。
上個月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術，現在該公司有另一個研究團隊則是聲稱發現了更好的方法，采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實其可行性。
IBMResearch先進功能材料部門經理、CMOS專家JeanFompeyr
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IBM CMOS
毫無疑問，索尼是2014年全球感光元件銷售的大贏家，市場占有率達到了40%，而他們剛剛推出A7R II更是首款搭載背照式CMOS的全畫幅相機。其圖像傳感器技術已大幅領先。但“大法”傳感器到底有何厲害?他們是怎樣發展出現在的技術?FRAMOS Technologies Inc.技術專家Darren Bessette使用一系列圖文講述了索尼六代圖像傳感器進化史。
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索尼 CMOS
混合信號，一種說法是未來的系統將是大型的混合信號系統，它所占的比例將會增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數位晶片，將來的ASICs會用到多達一千五百萬個邏輯們，而類比和混合信號電路將會被留在晶片之外。
RF和混合信號設計的藝術與科學
設計和生產混合信號IC不是件易事，尤其是包含RF功能時尤為如此。之所以存在如此大規模獨立的模擬和分立IC市場，是因為模擬與數字IC相結合不是一個簡單、明了的過程。模擬和RF設計一直被認為是&l
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ASICs CMOS
當前VLSI技術不斷向深亞微米及納米級發展，模擬開關是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開關特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關注。模擬開關導通電阻的大小直接影響開關的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關速度。要減小開關導通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會增加器件面積進而增加柵電容，脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關的輸入和輸出，在每個開關周期其充放電過
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CMOS 模擬開關
美國記憶體技術開發商Nantero最近宣布進行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經準備好取代企業應用或消費性應用市場上的儲存級記憶體。
Nantero已經向新、舊投資人募得3,150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發;該公司執行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示，NRAM是以碳奈
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NRAM，CMOS
GLOBALFOUNDRIES，世界先進半導體制造技術的領導者，今天宣布了其為14 nm FinFET工藝技術而開發的強化過的設計架構，在幫助那些采用先進工藝技術設計的客戶的進程上達到了一個關鍵里程碑。
GLOBALFOUNDRIES與重要合作伙伴Cadence，Mentor Graphics，以及Synopsys合作開發出的新型設計流程，實現了從RTL到GDS的轉換。該流程包括了基于工藝技術的PDK和早期試用標準單元庫，形成一個數字設計“入門套件”，為設計人員進行物理實
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GLOBALFOUNDRIES FinFET
隨著智能手機的興起，對于聲音品質和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視，近年來廣泛應用的噪聲抑制及回聲消除技術均是為了提高聲音的品質。相比于傳統的駐極體式麥克風(ECM)，電容式微機電麥克風采用硅半導體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實現模擬或數字微機電麥克風元件，以及制造微型化元件，非常適合應用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機電麥克風的設計與制造進行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導入麥克風的差異。
電容式微麥克風原理
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CMOS
當前VLSI技術不斷向深亞微米及納米級發展，模擬開關是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開關特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關注。模擬開關導通電阻的大小直接影響開關的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關速度。要減小開關導通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調節器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會增加器件面積進而增加柵電容，脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關的輸入和輸出，在每個開關周期其充放電過
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CMOS 模擬開關
雖然臺積電仍是全球晶圓代工市場的龍頭大廠，但為牽就蘋果(Apple)這個大客戶，內部壓寶16納米、20納米設備可以大部互通的產能擴充彈性優勢，硬是將16納米FinFET制程技術訂為20納米下一棒的規劃藍圖。
反而在Altera、高通(Qualcomm)先后投入英特爾(Intel)及三星電子(Samsung Electronics)14納米FinFET制程技術的懷抱后，即便蘋果仍可喂飽臺積電先進制程產能，但臺積電客戶結構從以IC設計公司為主，變成以系統廠獨霸半遍天，加上主要競爭對手也開始爭取到重要
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FinFET 晶圓
高速ADC的性能特性對整個信號處理鏈路的設計影響巨大。系統設計師在考慮ADC對基帶影響的同時，還必須考慮對射頻(RF)和數字電路系統的影響。由于ADC位于模擬和數字區域之間，評價和選擇的責任常常落在系統設計師身上，而系統設計師并不都是ADC專家。
還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時常常忽視。他們可能要等到最初設計樣機將要完成時才能知道所有系統級結果，而此時已不太可能再選擇另外的ADC。
影響很多無線通信系統的重要因素之一就是低輸入信號電平時的失真度。大多數無線傳輸到達ADC的信號
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ADC CMOS
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