- 在地熱生產和石油生產過程中溫度通常會超過200℃，高于設備所用的傳統微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統研究所(IMS)的研究人員近日開發出一種新型的高溫工藝，可以制造出超緊湊型微芯片，這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。
傳統的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫，但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實施持續冷卻，但是很難實現。此外，市場上也存在專門的高溫芯片，但是尺寸過大(最小尺寸也達1微米)。
IMS開發的微芯片尺寸僅有0
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微芯片 CMOS
- 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術的閾值電壓并不會遠低于現有標準，于是采用襯底驅動技術進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動技術的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅動MOS晶體管的原理類似于結型場效應晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
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MOS CMOS
- 當平面工藝已經無法滿足對于性能提升的需求時，3D架構是業界首先能想到的提升方式。
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CMOS 納米
- 作為專注在WiFi、藍牙、GPS連接性射頻芯片技術供應商，卓勝微電子今日宣布，公司GPSLNA芯片產品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。
“卓勝微電子的GPSLNA產品能夠給三星大批量供貨體現了我們產品的卓越性能?！弊縿傥㈦娮涌偨浝碓S志翰表示：“作為全球智能手機市場的領先者，三星對產品的創新和品質有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。”
卓勝微電子的GPS
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卓勝微電子 CMOS
- 2014年5月5日，作為專注在WiFi，藍牙，GPS連接性射頻芯片技術供應商，卓勝微電子宣布其GPSLNA芯片產品MXDLN16S在三星累計出貨超過2000萬顆。
“卓勝微電子的GPSLNA產品能夠給三星大批量供貨體現了我們產品的卓越性能。”卓勝微電子總經理許志翰表示：“作為全球智能手機市場的領先者，三星對產品的創新和品質有著不懈追求，同時它對合作伙伴也有著非常高的品質和供貨能力的要求。這么大批量的穩定出貨證明了我們的能力。”
卓勝微電子的G
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GPSLNA 卓勝 RF CMOS
- 市場研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發展。
CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發特性，MRAM/STTMRAM市場營收規?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
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MRAM CMOS
- Diodes公司?(Diodes?Incorporated)?推出先進的74AUP2G雙門超低功率?CMOS微型邏輯器件系列，為低壓和低功耗模式設計，可延長手機、電子書閱讀器及平板電腦等多種掌上消費性電子產品的電池壽命?！ ∵@款邏輯器件的漏電流少于0.9?μA，達到低靜態功耗的效果。其功耗電容在3.6V供電下一般為6pF，可將動態功耗降到最低。74AUP2G系列提供從0.8V到3.6V的供電電壓范圍，使電路供電降到最低等級?！ ∪鲁凸β?4AUP2
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Diodes 電池 CMOS
- 最近以來智能手表、體征監測等穿戴式電子設備受到業界的極大關注，但市場一直處于“雷聲大，雨點小”的狀態。究其原因，有以下幾個因素制約了穿戴式電子設備實現突破：小型化低功耗技術還滿足不了需求、“殺手級”應用服務缺失、外觀工藝粗糙、用戶使用習慣仍需培養。 從技術層面上看，先進封裝將是穿戴式電子取得成功的關鍵技術之一，特別是系統級封裝(SiP)以及3D封裝等。據深圳市半導體行業協會秘書長蔡錦江介紹，2001年以色列Given?Imaging公司推出的膠囊內鏡就采用SiP技術將光學鏡頭、應用處理器、
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穿戴式 SiP 3D CMOS
- 支持在低光條件下捕獲高靈敏度視頻 東京—東芝公司(TOKYO：6502)今天宣布，該公司將在4月底開始批量生產用于監控攝像頭和行車記錄器的1/4英寸VGA?CMOS圖像傳感器“TCM3211PB”?！ ∵@款新傳感器采用5.6?μm大像素，提高了低光敏感度。即使在月光[1]，也可以捕獲明亮的圖像?！ ≡搨鞲衅鬟€整合了基于東芝算法的單幀HDR(高動態范圍)功能[2]?。它可以減少假色[3]?，并能夠真實再現高對比度圖像的黑暗和明亮區域?！ ≡摦a品的60?
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東芝 CMOS 傳感器
- 在歷史上，半導體產業的成長仰賴制程節點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導體產業近20~30年來面臨的最嚴重挑戰。
具體來說，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate，HKMG) CMOS制程，與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體，不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節點，難以維持高參數良率(parametric yields)以及低
- 關鍵字：
FinFET 半導體
- 在歷史上，半導體產業的成長仰賴制程節點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降，這將會是半導體產業近20~30年來面臨的最嚴重挑戰。
具體來說，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate，HKMG) CMOS制程，與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體，不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節點，難以維持高參數良率(parametric yields)以
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FinFET 半導體
- 本文采用CMOS數字集成電路實現了一種數字鐘電路，該電路設計包括了時序邏輯電路、組合邏輯電路、數碼管顯示電路和脈沖信號產生電路等內容，內容涉及面寬、綜合性強，是電子技術自主性實驗教學的典型案例
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數字鐘 CMOS CD4518 BCD-7
- 本文簡要描述了基于攝像頭的主動安全系統的應用、引入它的動機及好處。此外，本文還介紹了視覺處理的未來解決方案與技術進步，可確保在功率有限的情況下實現最大性能。適用于前照燈控制、車道保持、交通標志識別及防碰撞功能的多功能前置攝像頭解決方案，目前使用分辨率高達120萬像素、每秒30幀的CMOS成像儀。隨著新一代傳感器的推出，分辨率將進一步提高。要在惡劣的天氣和照明條件下可靠地檢測物體，需要復雜的算法。車道保持、自動緊急剎車或交通擁堵輔助等半自動駕駛員輔助功能需要帶有算法冗余的ASIL D安全級別，但所有這些
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嵌入式 CMOS FPGA MAC
- 針對SOI二極管型非制冷紅外探測器，設計了一種新型讀出電路(ROIC)。該電路采用柵調制積分(GMI)結構，將探測器輸出電壓信號轉化為電流信號進行積分。設計了虛擬電流源結構，消除線上壓降(IR drop)對信號造成的影響。電路采用0.35μm 2P4M CMOS工藝進行設計，5V電源電壓供電。當探測器輸出信號變化范圍為0~5mV時，讀出電路仿真結果表明：動態輸出范圍2V，線性度99.68%，信號輸出頻率5MHz，功耗116mW。
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紅外 ROIC CMOS SOI GMI 201404
- 由中國辰芯光電設計、以色列Towerjazz代工、世界上最高分辨率的1.5億像素全畫幅CMOS圖像傳感器GMAX3005面世。除了超高的像素分辨率，這顆感光器的其他參數也是相當了得......
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CMOS 傳感器
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