聯華電子與IBM日前(13日)共同宣布，聯華電子將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10奈米CMOS制程技術。
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聯華 IBM FinFET
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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CMOS MEMS RF前端 雙工器
里昂證券出具報告表示，看好臺積電(2330-TW)先進技術2015年量產，將可供應20奈米設備和16奈米FinFET制程，預估其資本支出將再2014年達到高峰，雖然近期密集產能擴張，但2015年將會衰退10%，考量現金流和回報率，給予買進，并將目標價從126元上調140元。
FinFET制程部分，里昂證券指出，FinFET技術是半導體產業在解決轉進20奈米瓶頸的相關技術，結構性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量，臺積電預計在2015年前，積極搶進16奈米FinFET晶片制造
里昂證券也指
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臺積電 FinFET
Aptina宣布與LFoundry建立牢固的戰略合作關系，LFoundry在收購Micron的半導體制造工廠后將繼續在意大利阿韋扎諾生產CMOS圖像傳感器。LFoundry帶來了豐富的特種設備代工經驗與客戶至上的堅定理念，以此來鞏固阿韋扎諾工廠與Aptina之間長久的技術合作關系。
阿韋扎諾工廠生產的Aptina傳感器具有業界領先的性能，使制造商和終端用戶能為市場的諸多成像應用帶來差異化產品，這些應用包括智能手機、汽車、平板電腦、電視機、游戲平臺、運動相機、醫療設備和數碼相機。
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Aptina 半導體 CMOS
工業相機是機器視覺系統的核心部件，其本質功能完成是將光信號轉變成電信號的過程，相比于普通相機來說，具有更高 ...
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CCD CMOS 工業相機
基準電流源是指在模擬集成電路中用來作為其他電路電流基準的高精度、低溫度系數的電流源[1]。作為模擬集成...
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nA量級 CMOS 基準電流源
FinFET技術是電子行業的下一代前沿技術，是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統的平面型晶體管相比，FinFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優勢。英特爾已經在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術，同時許多晶圓廠也正在準備16納米或14納米的FinFET工藝。
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Cadence FinFET 晶圓 201304
文中介紹了一種應用于低D類音頻功放的CMOS振蕩器結構設計，用于對音頻信號的調制。振蕩器采用內部正反饋的遲滯比較器設計，大大降低了電源電壓和環境溫度時CMOS振蕩器振蕩頻率的影響。理論分析及仿真結果表明，此CMOS振蕩器具有較高的頻率穩定性。
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CMOS 應用于 D類音頻放大器 振蕩器
手機是典型的紅海市場，很多歐美公司因此放棄了此塊業務，轉向工業、個人科技等利潤較高的藍海領域。而手機卻是我國本土芯片廠商活躍的地帶。
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格科 CMOS 201304
摘要：觸摸屏在移動設備中越來越受歡迎。但觸摸屏消耗的平均電流可能很大，從而會導致系統電池的電量快速耗盡。本文將主要探討以下內容：功耗的基礎知識、影響功耗的不同因素以及為需要提供強大性能同時節省電池使用壽命的器件設計低功耗觸摸屏系統。
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觸摸屏 CMOS CPU 201304
盡管在第四季度出現了高于預期的增長，2012年對于半導體市場和供應商來說仍然是慘淡的一年，前25家芯片制造商中僅有8家勉強維持收入增長——但是，9家芯片制造商遭受兩位數下滑。
根據信息及分析公司IHS(紐約證券交易所：IHS)的IHS iSuppli競爭格局分析工具(CLT)的最終結果，與2011年相比，2012年的全球半導體收入下滑了2.2%。IHS在12月份發布的初步預測報告中預計下降2.3%。最終結果的適度改善來自第四季度的同比增長，該增長稍微高于預期，最高實現了2
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LED CMOS
傳統模擬 X 射線成像系統以專門的感光膠片為介質，將通過的 X 射線轉變成可視圖像。為了完成這一任務，該膠片必須經過一種化學顯影過程，這個過程可能需要幾分鐘，因此推遲了開始對病人進行治療的時間。此外，顯影過程完成以后，醫療團隊可能會發現，由于 X 射線曝光不正確，該圖像需要重新攝取。
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凌力爾特 穩壓器 CMOS
ARM 與晶圓代工大廠臺積電(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技術生產的 ARM Cortex-A57 處理器產品設計定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進一步提升未來行動與企業運算產品的效能，包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運算應用的產品，此次合作展現了雙方在臺積公司FinFET制程技術上，共同優化64位元ARMv8處理器系列產品所締造的全新里程碑。
藉由 ARM Artisan 實體IP、臺積電記憶體巨集以及開放創新平臺(Open Innov
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ARM FinFET
采用標準0．18μm CMOS工藝設計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結構的小型化片上天線。該片上天線由一根長1．6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結構構成。分別對該EBG結構以及片上天線的S11及S21進行了仿真和測試，結果表明該片上天線工作在20CHz，具有小型化的性能，同時具備三次諧波抑制的功能。
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CMOS EBG 制造 天線
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