- 高動態范圍(HDR)高動態范圍(HDR)成像的一個特色，是可用來拍攝最亮和最暗區域之間具有寬對比度的圖像。通過擴展動態范圍，它有助于使此類圖像看起來更為自然。東芝公司的圖像傳感器已開發了HDR功能，可以糾正對比度高
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渲染 技術 光照 動態 圖像 傳感器 CMOS
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結合20奈米后段金屬導線制程的方式達成試量產目標;而臺積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術，足見此設計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。
聯華電子市場行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
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晶圓 FinFET
- Avago Technologies (Nasdaq: AVGO)為有線、無線和工業應用模擬接口零組件領先供應商宣布其28nm串行/解串器(SerDes)核心已經達到32Gbps的性能，并且可以承受高達40dB的通道損耗，這個最新的SerDes核心不僅僅重新定義了芯片到芯片、連接端口和背板等接口可達到的數據率，并且反映了Avago為數據中心和企業應用提供領先解決方案的持續承諾。
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Avago CMOS SerDes
- 晶圓代工廠邁入高投資與技術門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯盟(Grand Alliance)，串連矽智財(IP)、半導體設備/材料，以及電子設計自動化(EDA)供應商等合作夥伴的力量，強化在FinFET市場的競爭力。
臺積電董事長暨總執行長張忠謀提到，今年臺積電雖屢創季營收新高，但第四季因客戶調整庫存可能出現微幅下滑的情形。
臺積電董事長暨總執行長張忠謀表示，臺積電在20奈米(nm)市場仍未看到具威脅性的對
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臺積電 FinFET
- 二、其它器件驅動CMOS集成電路 1.TTL-CMOS集成電路的接口 利用集電極開路的TTL門電路可以方便靈活 ...
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CMOS 集成電路 接口電路
- 一、CMOS集成電路驅動其它器件 1．CMOS-TTL集成電路的接口 由于TTL的低電平輸入電流1.6mA，而CMOS的低 ...
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CMOS 集成電路 接口電路
- 據2012年全球“主要商品與服務份額調查”顯示，在調查所涵蓋的50個品類中，韓國三星電子集團在7個品類上占據全球份額榜首。包括LG電子等在內，韓國企業在數字產品市場方面擴大了優勢。另一方面，日本企業則在數字產品零部件和相機領域保持領先。在日元趨于貶值的2013年，日本企業的卷土重來值得期待。
三星位居全球份額榜首的是，手機終端、智能手機、有機EL面板、平板電視、鋰離子電池、用于個人電腦等的半導體存儲器DRAM以及NAND型閃存等7大品類。而在液晶面板、平板電腦、白色發光二
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LED CMOS
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 為旗下強化了的74HC、74HCT、74AHC及74AHCT CMOS (互補金屬氧化物半導體) 邏輯系列，新增標準的移位寄存器及譯碼器邏輯集成電路。
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Diodes 寄存器 CMOS
- 聯華電子與全球半導體設計制造提供軟件、IP與服務的領導廠商新思科技(Synopsys)，日前(26日)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare?邏輯庫的IP組合及 Galaxy?實作平臺的一部分-寄生StarRC?萃取方案，成功完成了聯華電子第一個14奈米FinFET制程驗證工具的設計定案。
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聯華 新思 FinFET
- 有機材質在顯示領域已經應用了多年(比如AMOLED)，相比傳統的非有機材質，它的色彩表現更加鮮艷，并且具有廣視角、高對比度等優勢。本周富士、松下聯合宣布了他們共同打造的有機CMOS傳感器，將有機材料首次應用到CMOS傳感器上。
傳統影像傳感器一般由硅光電二極管、金屬連接層、分色濾鏡以及微透鏡等結構組成，而富士、松下聯合研發的這種有機CMOS傳感器使用高吸收率的有機材料代替傳統的硅光電二極管，感光層厚度減小至0.5微米。
據了解，這種新型有機CMOS傳感器在性能和有諸多提升和改進，比如動態范
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CMOS 傳感器
- 隨著人們生活水平的提高和人口老齡化的發展，對醫療器械的創新發展也提出了更高要求，而半導體技術在醫療設備創新方面發揮著重要作用。安森美半導體身為推動高能效創新的半導體廠商，其多款醫療半導體產品居于領先地位，例如用于助聽器的數字信號處理(DSP) SoC的市場份額高居全球第一。
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安森美 DSP CMOS
- 晶圓代工大廠聯電(UMC)日前與IBM 共同宣布，聯電將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10納米CMOS制程技術。聯電與IBM兩家公司此次的協議，拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協議。
擁有IBM的支援與know-how，聯電將可持續提升其內部自行研發的14納米FinFET 技術，針對行動運算與通訊產品，提供富競爭力的低耗電優化技術。雙方計劃開發 10納米制程基礎技術，以滿足聯電客戶的需求。聯電將指派工程團隊加入位于美國紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納
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聯電 CMOS
- 東京 – 東芝公司(東京: 6502)日前宣布了對于具有小面積低功率像素讀出電路的CMOS圖像傳感器的開發進展。 內置讀出電路的樣品傳感器性能是傳統傳感器的兩倍。(1)東芝于2月20日在加州舊金山舉行的 ISSCC 2013(美國電氣和電子工程師學會(IEEE)主辦的國際固態電路研討會)會議上對該產品的開發進展進行了介紹。
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東芝 CMOS 傳感器
- TTL電平：輸出高電平〉2.4V輸出低電平〈0.4V在室溫下，一般輸出高電平是3.5V輸出低電平是0.2V。最小輸入...
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CMOS 電平 電路
- （1）使用TTL集成電路注意事項 ①TTL集成電路的電源電壓不能高于＋5.5V使用，不能將電源與地顛倒錯接，否則將會因 ...
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CMOS 集成電路
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