- CMOS成像技術的領先創新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業協會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發VISION 2020成像技術創新銅獎。
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Aptina CMOS
- 高性能模擬與混合信號IC領導廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機IC出貨量已達十億顆，締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數字CMOS廣播收音機芯片廣泛應用于手機、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統、桌面和床頭收音機、便攜式收音機、音響和許多其他消費電子產品。
Silicon Labs公司于2005年推出業界首顆單芯片FM接收器。作為業界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機IC，Si4700 IC重構了消
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Silicon-Labs IC CMOS
- 目前，包括移動設備在內的很多多媒體設備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新換代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
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Sensor CMOS 調試 經驗
- 1 引言 集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數字鎖相環結構如圖1 所示
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設計 振蕩器 CMOS
- 制定行業公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作
就像1849年出現的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術的出現也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現了很多新技術、利益和挑戰一樣，人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發一些新工具突破納米關鍵技術，抓住創造巨大財
富的機遇，但是也存在給環境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術，催生很多新的研究領域，但是也可能對那些不了解
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納米 CMOS
- 本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術，能夠對具有快速瞬態充電效應（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進行特征分析。
先進CMOS器件高k柵技術的進展
近年來，高介電常數（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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脈沖 CMOS
- SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權使用SuVolta創新型PowerShrink?低功耗技術。
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SuVolta CMOS
- ?????? 6月9日，應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美(ON Semiconductor)半導體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩壓器，強化用于智能手機及其他便攜電子應用的現有產品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。
NCP4682和NCP4685超低電流穩壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
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安森美 CMOS NCP4682
- 基準電壓源可廣泛應用于A/D、D/A轉換器、隨機動態存儲器、閃存以及系統集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設計了具有高穩定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
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設計 電壓 基準 CMOS 0.18
- 自從Intel正式對外公布22nm制程節點將啟用Finfet垂直型晶體管結構，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態稱芯片代工市場在未來一段時間內(至少到下一個節點制程時)仍將采用傳統基于平面型晶體管結構的技術。他們給出的理由是，Intel手上只有少數幾套芯片產品，因此Intel方面要實現到Finfet的晶體管架構升遷時，在芯片設計與制造方面需要作出的改動相對較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
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臺積電 Finfet
- 摘要：設計了一種寬帶軌對軌運算放大器，此運算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關控制來實現輸入級總跨導的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數，采用用折疊式共源共柵結構作為前
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CMOS 運算放大器
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