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cmos-ldo 文章 最新資訊

影響CMOS單電源放大器的THD+N性能的因素

  • 自上市以來，CMOS單電源放大器就讓全球的單電源系統(tǒng)設計人員受益非淺。影響雙電源放大器總諧波失真加噪...
  • 關鍵字： CMOS  

分析泄漏功率攻擊采用90nm CMOS技術的加密器件

  • 泄漏電流可能被用于攻擊加密系統(tǒng)。在電子商務與電子銀行等應用中，安全要求越來越嚴格。雖然加密技術...
  • 關鍵字： CMOS  

安森美收購賽普拉斯CMOS圖像傳感器業(yè)務部

  • 　　安森美半導體(ON Semiconductor)及賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor)宣布已簽署正式協(xié)議，安森美半導體將以約3,140萬美元的全現(xiàn)金交易收購賽普拉斯的CMOS圖像傳感器業(yè)務部(ISBU)。是項交易將根據(jù)例定成交條件(customary closing conditions)預計將在2011年第一季度底完成。 　　賽普拉斯提供寬廣陣容的高性能定制及標準CMOS圖像傳感器，用于數(shù)百萬像素數(shù)碼攝影及電影攝影、機器視覺、線性及二維(2D)條形碼成像、醫(yī)療X射線成像
  • 關鍵字： 安森美  CMOS  傳感器  

安森美收購賽普拉斯CMOS圖像傳感器業(yè)務部

  • 　　安森美半導體(ON Semiconductor)及賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor)宣布已簽署正式協(xié)議，安森美半導體將以約3,140萬美元的全現(xiàn)金交易收購賽普拉斯的CMOS圖像傳感器業(yè)務部(ISBU)。是項交易將根據(jù)例定成交條件(customary closing conditions)預計將在2011年第一季度底完成。 　　
  • 關鍵字： 安森美  CMOS  

賽普拉斯宣布其觸摸屏控制器的產(chǎn)能將擴充三倍

  • 　　賽普拉斯半導體公司日前宣布，將大幅提高其快速增長的TrueTouch觸摸屏控制器的產(chǎn)能。賽普拉斯位于明尼蘇達州布魯明頓市的四號工廠及其主要的代工伙伴宏力半導體公司將在2010年的基礎上，將2011年的S8工藝線產(chǎn)能提高三倍。擴產(chǎn)計劃已排上日程，首批擴充產(chǎn)能預計在2011年第一季度即可投產(chǎn)，全部擴充計劃預計在2011年第三季度完成。 　　除了TrueTouch產(chǎn)品，賽普拉斯還將在S8工藝線上生產(chǎn)其PSoC 3 和 PSoC 5、CapSense 和NVSRAM產(chǎn)品。賽普拉斯的S8工藝基于0.13-微米
  • 關鍵字： Cypress  TrueTouch  CMOS  SONOS  

采用噪聲消除技術的3～5 GHz CMOS超寬帶LNA設計

  • 本文基于SM IC 0. 18μm RF CMOS工藝,設計了可以工作于3～5 GHz頻段的超寬帶低噪聲放大器。對電路的輸入匹配和增益進行了分析,對噪聲消除技術進行了推導。仿真結果表明,該放大器在工作頻帶內(nèi)的各項指標滿足超寬帶系統(tǒng)應用。
  • 關鍵字： CMOS  GHz  LNA  噪聲消除    

瑞薩開發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術

  • 　　瑞薩電子開發(fā)出了利用與標準CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術。該項技術面向28nm工藝以后的產(chǎn)品，瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)?！?/li>
  • 關鍵字： 瑞薩  DRAM  CMOS  

基于CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設計

  • D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路，對脈沖信號的寬度進行識別
  • 關鍵字： 寬度  檢測  電路設計  脈沖  CD4013  CMOS  觸發(fā)器  基于  

采用協(xié)處理器和CMOS傳感器的數(shù)碼相機方案

  • 什么是CMOS數(shù)碼相機？對于最終用戶而言，采用CMOS技術的數(shù)碼相機與傳統(tǒng)相機沒有太大不同。大多數(shù)拍照操作方法以及在取景器內(nèi)給被拍對象安排正確位置的方法都完全相同。那么不同之處在哪里？傳統(tǒng)相機需要使用一個35毫
  • 關鍵字： 數(shù)碼相機  方案  傳感器  CMOS  處理器  采用  

索尼向東芝買回工廠 CMOS傳感器產(chǎn)量擬倍增

  • 　　索尼 (Sony)計劃以 500 億日元 (5.972 億美元) 價格，向東芝 (Toshiba)買回一座半導體工廠，好讓用于智能型手機及其他設備的影像傳感器 (image sensor) 產(chǎn)能大增一倍。 　　報導指出，索尼于 2008 年，將該座位于日本長崎的工廠賣給東芝。如今買回，將用以加強其 CMOS 傳感器業(yè)務，使其影像傳感器產(chǎn)量，倍增至相當于每月 4 萬顆晶圓。 　　報導補充，索尼盼藉由增加產(chǎn)量及降低生產(chǎn)成本，好在 CMOS 影像傳感器的市場，追趕上南韓的三星 (Samsung)及其他美
  • 關鍵字： 索尼  CMOS  

一種基于CMOS工藝的電荷泵鎖相環(huán)芯片的設計

  • 隨著大規(guī)模集成電路技術的發(fā)展與成熟，CMOS工藝以其低成本、低功耗、高集成度的優(yōu)點使得采用CMOS工藝實現(xiàn)高性能集成鎖相環(huán)具有十分重要的意義和廣闊的前景。
  • 關鍵字： 芯片  設計  相環(huán)  電荷  CMOS  工藝  基于  

硅CMOS技術可擴展到10nm以下

  • 　　“硅CMOS技術完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術等新構造、新材料和新工藝，硅CMOS技術將繼續(xù)保持其主導地位”。 　　
  • 關鍵字： CMOS  10nm  

LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應用

  • LDO線性調(diào)節(jié)器電路在StrataFlash嵌入式存儲器中的應用,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)轉向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
  • 關鍵字： 嵌入式  存儲器  應用  StrataFlash  電路  線性  調(diào)節(jié)器  LDO  

基于VerilogHDL的CMOS圖像敏感器驅(qū)動電路設計

  • Verilog HDL語言是IEEE標準的用于邏輯設計的硬件描述語言，具有廣泛的邏輯綜合工具支持，簡潔易于理解。本文就STAR250這款CMOS圖像敏感器，給出使用Verilog HDL語言設計的邏輯驅(qū)動電路和仿真結果。
  • 關鍵字： 驅(qū)動  電路設計  敏感  圖像  VerilogHDL  CMOS  基于  
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