- 摘要：設計了一種用HHNEC 0.35mu;mBCD 工藝實現的LDO 線性穩壓器， 該LDO 是一款低功耗，帶寬大的低壓差線性穩壓器。對其結構和工作原理進行分析， 討論了關鍵電路的設計， 模擬結果驗證了設計的正確性。 1 引
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穩壓 電路設計 線性 LDO 寬頻 功耗
- 摘要：設計了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內全集成型LDO線性穩壓電路。電路采用由電阻電容反饋網絡在LDO輸出端引入零點，補償誤差放大器輸出極點的方法，避免了為補償LDO輸出極點，而需要大電容或復雜補償
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穩壓器 設計 線性 LDO 成型 CMOS 全集
- 摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設計了一個12位50 MS／s流水線A／D轉換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內建的采樣保持功能，去掉了傳統的前端采樣保持電路，采用時間常數匹配
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流水線 轉換器 CMOS MS 12位 一種
- 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出5款新的低壓降(LDO)及超低壓降線性穩壓器，用于寬范圍汽車應用，如后視攝像頭模塊、儀表組合、車身及底盤應用。這些新器件以節省空間的集成方案提供150毫安(mA)輸出電流，符合汽車制造商對點火系統關閉時極低靜態電流的最新要求。
· NCV8667 – 極低靜態電流(Iq)穩壓器，帶啟用(Enable)、復位及預警(Early Warning)功能
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安森美 穩壓器 LDO
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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旁路電容 LDO 多層陶瓷電容
- 7月10日，北京思比科微電子董事長陳杰在東莞松山湖IC創新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現已進入創業板輔導流程。
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思比科 CMOS
- CMOS成像技術的領先創新廠商Aptina公司宣布其Aptina MobileHDR 技術最近在6Sight Mobile Imaging Summit上榮獲國際成像行業協會(International Imaging Industry Association, I3A)頒發VISION 2020成像技術創新銅獎。
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Aptina CMOS
- 高性能模擬與混合信號IC領導廠商Silicon Laboratories 今日宣布其廣播收音機IC出貨量已達十億顆，締造了廣播音頻市場的重要里程碑。Silicon Labs的數字CMOS廣播收音機芯片廣泛應用于手機、便攜式媒體播放器(PMP)、個人導航裝置(PND)、汽車信息娛樂系統、桌面和床頭收音機、便攜式收音機、音響和許多其他消費電子產品。
Silicon Labs公司于2005年推出業界首顆單芯片FM接收器。作為業界最小、最高性能和集成度的FM廣播收音機IC，Si4700 IC重構了消
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Silicon-Labs IC CMOS
- 目前，包括移動設備在內的很多多媒體設備上都使用了攝像頭，而且還在以很快的速度更新換代。目前使用的攝像頭分為兩種：CCD(Charge Couple Device電荷偶合器件)和 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor互補
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Sensor CMOS 調試 經驗
- 1 引言 集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照多層布線或遂道布線的方法將元器件組合成完整的電子電路。 一個典型的數字鎖相環結構如圖1 所示
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設計 振蕩器 CMOS
- 制定行業公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作
就像1849年出現的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術的出現也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現了很多新技術、利益和挑戰一樣，人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發一些新工具突破納米關鍵技術，抓住創造巨大財
富的機遇，但是也存在給環境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術，催生很多新的研究領域，但是也可能對那些不了解
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納米 CMOS
- 本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術，能夠對具有快速瞬態充電效應（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進行特征分析。
先進CMOS器件高k柵技術的進展
近年來，高介電常數（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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脈沖 CMOS
- SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權使用SuVolta創新型PowerShrink?低功耗技術。
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SuVolta CMOS
- ?????? 6月9日，應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美(ON Semiconductor)半導體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩壓器，強化用于智能手機及其他便攜電子應用的現有產品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。
NCP4682和NCP4685超低電流穩壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
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安森美 CMOS NCP4682
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