擁有模擬和數字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) ,推出業(yè)界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器,在任何要求 ±50 ppm 時間基準的廣泛應用中,節(jié)省功耗高達 75%,包括計算、通信和消費市場。
IDT 新的 3LG 系列 CrystalFree CMOS 振蕩器確保 ±50
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IDT CMOS
應當可以這樣理解:DCDC的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉換),只要符合這個定義都可以叫DCDC轉換器,包 ...
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LDO DC-DC
便攜產品電源設計需要系統(tǒng)級思維,在開發(fā)由電池供電的設備時,諸如手機、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗產品,如果電 ...
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低壓差 線性 穩(wěn)壓器 LDO 壓差
電源是各種電子設備必不可缺少的組成部分,其性能的優(yōu)劣直接關系到電子設備的技術指標及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開關電源兩大類,由于開關電源內部關鍵元器件工作在高頻開關狀態(tài),本
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設計 開關電源 LDO 基于
??????? LDO(低壓差線性穩(wěn)壓器)發(fā)展至今已經成為一個成熟的器件。根據經濟發(fā)展規(guī)律,成熟產業(yè)必定要走一條向下的路線,走向夕陽,在這個創(chuàng)新無處不在的時代,著眼朝陽產業(yè)才是獲得豐厚利潤的源泉,而在這個時間點,恩智浦選擇切入LDO領域,理由何在?
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NXP LDO 智能手機
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) 近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器(LDO)開始供貨。該產品具有超低壓差的特性,在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級芯片級封裝 (WLCSP),所占用的電路板空間極小,是設計尺寸有限且對電池壽命要求極高的移動設備的理想之選。手機電池的放電幾乎與時
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NXP LDO LD6806CX4
本文討論圖1所示的基本PLL方案,并考察每個構建模塊的電源管理要求。圖1.顯示各種電源管理要...
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電源管理 VCO LDO 濾波
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器(LDO)開始供貨。該產品具有超低壓差的特性,在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級芯片級封裝 (WLCSP),所占用的電路板空間極小,是設計尺寸有限且對電池壽命要求極高移動設備的理想之選。
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恩智浦 LDO LD6806
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款可使用2.7V~16V單電源或±2.7V~±8V雙電源工作的新器件,充實其DG92xx系列CMOS模擬開關和多路復用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點,可用于高速、高精度開關應用。
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Vishay Siliconix CMOS DG9236 DG9251
T博士:嘿,Dave最近好嗎?懷念過去的美好時光吧?
Dave:事實上,是這樣,你勾起了我對往昔情愫的懷念。
T博士:真的嗎?講給我聽聽。
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Intersil CMOS
在現(xiàn)代開關電源的控制電路中,振蕩器target=_blank>振蕩器對模擬電路和信號處理起著很重要的作用。在多數...
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真隨機數發(fā)生器 CMOS 振蕩器
未來幾年由于消費者對傳統(tǒng)機電式電表的更新?lián)Q代,智能電表市場預計將以每年兩位數的速度增長。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術進行精確測量并報告消耗的電量,智能電表比機電式電表復雜,但更加注重測量數據的完
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CMOS 數字隔離器 數據保護 智能電表
在過去十年里,CMOS圖像傳感器技術經過連續(xù)改進和不斷提高,已經使其從主要服務于低端市場轉移到一些要求最苛刻的高性能應用。伴隨著這種趨勢,CMOS圖像傳感器已經開始主導圖像傳感器市場,并為原始設備制造商(OEM)
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提供 巨大 大市 機遇 應用 多種 圖像 傳感器 主導 CMOS
近年來,隨著CMOS工藝技術的不斷改進,CMOS傳感器的應用范圍也越來越廣泛,包括數碼相機、電腦攝像頭、視頻電話、手機、視頻會議、智能型安保系統(tǒng)、汽車倒車視像雷達、玩具,以及工業(yè)、醫(yī)療等應有盡有。實際上,CMOS
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CMOS 圖像 傳感器 方案 半導體 安森美 工業(yè) 醫(yī)療 應用
東芝在半導體業(yè)務中提出了新戰(zhàn)略。東芝計劃將把瞄準全球份額首位的NAND閃存業(yè)務實力,應用于其他半導體業(yè)務。具體做法是在分離式半導體業(yè)務、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務、以及與硬盤業(yè)務進行了整合的存儲產品業(yè)務中,應用在存儲器業(yè)務中積累的制造技術實力。由此來培育出繼存儲器業(yè)務之后的又一支柱業(yè)務。東芝執(zhí)行董事高級常務、東芝半導體與存儲器公司社長小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。
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東芝 CMOS 傳感器
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