瑞芯微能夠同時聯姻Intel、微軟、ARM與谷歌,是源于大家對智能終端未來趨勢判斷的一致,也源于各自資源與技術的互補,更源于大陸潛在的巨大市場空間與輻射全球的能力,在殘酷的市場競爭中實力和資源才是最關鍵的。
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瑞芯微 Intel ARM
是德科技公司日前宣布推出用于 Infiniium 系列示波器的 DDR4 球形柵格陣列(BGA)內插器探測解決方案。DDR4 BGA 探頭與示波器結合使用,可以讓工程師調試和表征他們的 DDR4 內存設計,以及驗證器件與 JEDEC DDR4 標準的一致性。
隨著 DDR4 內存標準的發布,動態隨機訪問存儲器(DRAM)的數據速率已提升至 3.2 Gb/s。存儲器系統設計工程師正面臨著較之以往更大的挑戰,面向高數據速率的存儲信號探測變得非常困難。最新的 Keysight DDR4 BGA 內插器
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是德科技 DDR4
三星電子(Samsung Electronics)半導體發展有成,或許有望超車業界龍頭英特爾(Intel)?IHS 數據顯示,雙方市占率差距縮小至 3%,韓媒稱,如果三星出手購并、增加投資,有可能取代英特爾,當上半導體老大。
韓媒 BusinessKorea 報導,IHS 24 日公布,英特爾去年全球半導體市占率達 14.2%,衛冕市場霸主;三星電子以 10.9% 市占率緊追在后,虎視眈眈英特爾的王者地位,雙方差距僅剩 3.3%。
南韓專家認為,三星若能在非記憶
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Intel 三星
據Wired消息,市場調查機構 IDC 之前給出的 2015 年 PC 出貨量下跌幅度為 3.3%,而今天它又更新了這個數據——調整為 5%,IDC 預測今年出貨量約為 2.93 億臺。不光是設備出貨量縮水,PC 產業也在虧錢. IDC 稱, 去年 PC 市場總額也下降了 0.8%,是為 2010 億美金,它給出的今年的下降幅度高達 6.9%;到 2019 年,市場總額會縮水至 1750 億美金——比蘋果 2014 年的收入 1830 億美金還低。
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Google Intel
半導體產業高收入的背后是高投入高風險,IC芯片研發與制造都需要大量資金投入,R&D研發投入也成了評判各大半導體公司的一個指標。2014年R&D研發投入上花錢最多的半導體公司自然是老大Intel,一年投入了115.4億美元,不過NVIDIA公司是最愿意花錢研發的,拿出1/3的營收去做R&D研發。
IC Insights最近公布了全球頂級半導體廠商的R&D研發數據,其中Intel公司2014年在R&D研發上投入了115.37億美元,該公司去年營收514億美元,
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GPU Intel 高通
Entegris 憑借2014年的優異表現,位居 Intel公司選出的 19 家“優質供應商”之列。此項大獎授予在品質、成本、效用、技術、客戶服務、勞務和道德體系以及環境可持續性等關鍵方面都處于行業領先地位的供應商。Intel公司認為 Entegris 提供的污染控制、關鍵材料處理和先進加工材料是Intel 公司成功的關鍵,茲表彰其所作的巨大貢獻。
Entegris總裁兼首席執行官Bertrand Loy 說道:“我們對獲得Intel‘優質供應商&
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Entegris Intel
MWC上瑞芯微宣布推出sofia 3G-R方案,雖然瑞芯微方面高調宣傳與Intel的合作,然而從Intel方面的宣傳來看,Intel只是強調自己的sofia產品,并推出X系列產品,Intel更多是將瑞芯微當做一個代工伙伴,瑞芯微的未來還得發揮自己的芯片優勢。
Intel借助瑞芯微整合處理器和基帶
Intel在出售采用ARM架構的Xscale業務后,試圖用X86架構進軍移動業務市場,并購英飛凌的無線業務,其推出的處理器和基帶曾被聯想和MOTO采用,但是由于未能降低處理器的功耗、將處理器和基帶
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Intel MWC 瑞芯微
DDR3內存自從2007年服役以來,至今已經走過了8個年頭。相比Intel的更新換代步伐來說,內存發展可謂相當緩慢。不過好在2014年底,各大廠商紛紛上架DDR4內存產品,起跳頻率達到2133MHz,標志著DDR3時代的終結。
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DDR4 DDR3
現行的DDR4及LPDDR4存儲器都是以既有的DRAM設計為基礎,其中許多技術已沿用長達十余年,而今無論是系統總頻寬或中央處理器(CPU)等作業環境都不可同日而語。有鑒于此,發展新的解決方案為眼下業界的共識,Wide I/O、HBM及HMC等三大新存儲器標準遂成業界關注重點。
據ExtremeTech網站報導指出,過去近20年來存儲器規格已從第一代的SDRAM DIMM發展至DDR4-3200,成長高達48倍。因此,現今業界雖針對是否應進一步以此標準定義DDR5有所爭議,更多人卻傾向發展新的存儲
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SDRAM DDR4
自從2007年提出Tick-Tock鐘擺戰略之后,Intel在過去的四代智能處理器上都重復著隔年升級工藝和架構的規律,直到2014年的14nm上Intel“爽約”了,Broadwell原本應該在去年Q2季度發布,不過14nm工藝實際上是今年才規模量產。14nm工藝之后將進入10nm節點,轉變過程還會更慢,Intel預計會在2017年早些時候才能問世。
半導體制程達到10nm之后已經快接近硅基半導體的物理極限了,制造難度越來越大,成本和風險都在提高。如果按照Intel前兩年
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Intel Broadwell
晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)透露該公司將在 2017年開始量產 10奈米制程,屆時將能與英特爾(Intel)并駕齊驅;“我們的10奈米制程性能表現,包括速度、功率與密度,將會與我們認為英特爾為其10奈米技術所 定義的規格相當;”臺積電企業通訊部門總監Elizabeth Sun表示:“憑藉技術實力,我們認為能在10奈米節點拉近差距。”
而臺積電首度 表示,今年預期將會有半導體產業界最大規模的資本支出,其目標是鞏固其晶圓代工市場領導地位,以對抗英特爾
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臺積電 Intel
如果認為英特爾推遲14nm,打破摩爾定律或者英特爾的節奏是個悲劇,那么這種看法才是真正的悲劇,因為摩爾定律本身是個總結性的現象,而非預測性的或者技術發展的本質規律。
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Intel 10nm
臺灣曾將DRAM視為支柱產業,但隨著移動設備與物聯網市場的火爆,需求朝向更小、更省電的方向,而非速度跟效率。若能掌握新趨勢,未來臺灣廠商在內存產業仍將大有可為。
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雖然蘋果最新財報顯示凈營收等創下歷史新高,但是,其背后卻隱藏著業務的不平衡:iPhone比去年同期增長46%,而iPad卻下滑18%。iPad的商用,蘋果面臨著Intel路線和ARM路線兩種選擇,它會如何抉擇呢?
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