- 針對當今電子系統對高速大容量內存的需要，本文闡述了使用DDR控制器IP核來設計實現DDR內存接口的方法。
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DDR 內存 接口的設計
- 2007年6月8日，全球領先的運動控制解決方案提供商——丹納赫傳動（Danaher Motion）公司宣布，其創新的Cartridge DDR™系列直接驅動旋轉伺服電機（CDDR）新添三種小框架的新產品，因此，現共有4.25平方英寸到13.78平方英寸五種框架尺寸的CDDR電機供應，每種尺寸各有四個鐵心長度。CDDR是直接驅動技術中非常特別的一種，其特點在于采用預制零部件、完整的工廠對準型高分辨率反饋裝置和獨特的無軸承設計，確保可以在30分鐘內實現即裝即用，且沒有維護成本。
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Cartridge DDR 丹納赫 消費電子 消費電子
- 摘要： 本文采用LatticeXP系列FPGA結合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進行了實際測試。關鍵詞： 嵌入式系統；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP
前言隨著高速處理器的不斷發展，嵌入式系統應用的領域越來越廣泛，數字信號處理的規模也越來越大，系統中RAM規模不斷增加，比如視頻監控、圖像數據采集等領域，圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加，傳統的SDRAM在帶寬上已經逐漸無法滿足應用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
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0702_A DDR FPGA IP LattcieXP RAM 單片機 嵌入式系統 雜志_設計天地 存儲器
- DDR內存已成為系統DRAM的主要技術，而DDR系統的驗證則是新的數字系統設計最具挑戰性且費時的工作之一。邏輯分析儀是協助工程師驗證這些系統的重要工具，但在成本與空間的限制下，邏輯分析儀探測技術變成了一個值得深思的問題。 理想上，DDR的可測試性應成為最終設計的一部份，以利于在測試臺進行系統的驗證，因為在整個產品生命周期中的工程設計與委外代工都會增加成本。然而礙于邏輯分析儀探測點的電氣負載與空間需求，這種作法直到今天仍不可行。新的免接頭式邏輯分析儀探測技術使DDR可測試性得以結合到產品的最初與最終
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DDR 測量 測試
- DDR（雙數據速率）DRAM應用于工作站和服務器的高速存儲系統中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓，并需要等于電源電壓一半的基準電壓（VREF＝VDD/2）。此外，各邏輯輸出端都接一只電阻器，等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時，必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統提供終端電壓，并可輸出高達6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5～28V下工作。
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電源電路 DDR DRAM 存儲器
- 電子系統設計師很少考慮他們下一個設計中元器件的成本，而更關注它們能夠達到的最高性能。
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DDR 存儲器 接口設計
- 本設計介紹了一種應用于DDR內存系統的獨特、低成本的電源電路。常規DDR內存系統包括一個雙反向轉換器和一個輸出參考電壓。與常規設計不同，本文用線性調節器代替反向轉換器，見圖1，具有消除PWM轉換器開關噪聲的優點。DDR內存系統要求穩定的2.5V主電源(VDD)、端電壓(VTT)和參考電壓(VREF)，其中VDD、VTT可引出和吸收電流，，這些要求給電源設計者帶來新挑戰。本電路中，低壓同步反向器產生8A，2.5V的主電源VDD輸出，VTT和VREF通過運放的線性調節設計實現。電路專門為低功耗DDR系統(如p
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DDR 存儲器
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