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從獨步全球到光輝不再 日本半導體產業的興衰史

  • 從獨步全球到光輝不再,日本在失落的1/4世紀中,雖力圖振作,但仍無法跟上快速變化。
  • 關鍵字: 半導體  DRAM  

DRAM和NAND技術助三星占據市場主導地位

  •   全球大部分半導體產業都可能籠罩陰霾,但韓國三星電子憑借強大的技術優勢可以擴大部分關鍵產品的市場份額,甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現優于多數同業。   全球個人電腦(PC)銷量下降,以及智能手機增長放緩,讓半導體產業遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。   高通曾表示,第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業利潤下降65%,這是其三年來的最差業績。   將于周四公布第一季財報的三星,也難免遇挫。市場廣泛預計三星芯片獲利將會下降,一些分析師預測1-
  • 關鍵字: DRAM  NAND  

三星:10nm今年底量產,DRAM資本支出料年減

  •   三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示,拜韓圜相對于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營益預估因而增加0.4兆韓圜,主要反映在零件事業盈余數據上。   三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜,半導體事業、顯示面板事業各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預算、但預估將略高于2015年水準。   三星顯示面板事業今年的資本支出在OLED面板強勁需求帶動下可望攀高。DRAM資本支出預計將依照市場供需變化彈性調整、目前初估將低于去年水準。
  • 關鍵字: 三星  DRAM  

請注意,這14類IC今年會增長迅速

  •   市場研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預測報告發布更新,在該報告統計的33項主要IC產品類別中,有14項產品類別在今年的成長率將超過2%,尤其是手機應用處理器MPU與訊號轉換IC的成長幅度居冠。   ICInsights的《2016McCleanReport》預測33項主要IC產品類別在2020年以前的市場成長。如圖1列出33項主要的IC產品類別,分別以更新的2016年成長率排名。ICInsights預測,今年將有14項產品類別的成長幅度超過2%—
  • 關鍵字: IC  DRAM  

不影響DRAM市場結構 公平會核準美光購并華亞科

  •   公平交易委員會于2016年4月13日第1,275次委員會議決議,核準美商美光(Micron)擬透過其子公司臺灣美光取得華亞科全部股權,向該會申報事業結合乙案,依公平交易法第13條第1項規定,不禁止其結合。   公平會表示,本案系屬公平法第10條第1項第2、5款之結合型態,又美商美光于相關市場之市占率達25%,符合公平法第11條第1項第2款規定之申報門檻,且無同法第12條所規定除外適用情形,故依法提出結合申報。   公平會表示,華亞科系屬美光DRAM的代工廠,其所生產之DRAM全數售予美光,故華亞科
  • 關鍵字: DRAM  美光  

三星出招太狠毒、DRAM恐剩一家獨活

  • 三星量產18nm DRAM,生產成本的競爭優勢拉大,就算DRAM價格繼續 下滑,其他業者陷入虧損,三星仍能維持獲利,這招比較狠。
  • 關鍵字: 三星  DRAM  

三星DRAM連霸24年 2015年市占寫下45%新高

  •   三星電子(Samsung Electronics)連續24年蟬聯全球DRAM存儲器半導體市占率第一,為半導體產業寫下新歷史;2015年市占率達45.3%,營收突破200億美元,不但刷新自身紀錄,也成為存儲器價格持續下跌聲中,唯一還能獲利的業者。   據韓媒Money Today報導,市調機構IHS資料顯示,2015年三星DRAM營收為204.34億美元,較2014年186.61億美元成長9.5%,首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規模由462.46億美元萎縮至450.93億美元,但三星營收卻
  • 關鍵字: 三星  DRAM  

三星開始量產10nm級DRAM,采用ArF液浸四重曝光

  •   韓國三星電子2016年4月5日宣布,開始量產采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產品為DDR4型8Mbit產品。        此次發布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片,新開發了自主設計的新存儲單元結構、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術、采用極薄絕緣膜形成技術制作的厚度均勻的存儲電容等。由此,無需使用EUV裝置,可利用現有的液浸ArF裝置量產。三星還預定將此次的技術用于下一代10nm(1
  • 關鍵字: 三星  DRAM  

DRAM市場上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?

  •   目前,全球DRAM(Dynamic Random Access Memory,也稱動態隨機存取存儲器,是最為常見的系統內存)市場主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調公司IHS指,韓國企業三星和SK海力士的市占率進一步沖高至接近75%,這已經是連續6個季度創下歷史新高,那么第三位的美光前途在何方呢?   三星已在技術方面遙遙領先   據DRAMeXchange的報告,受2015年四季度全球DRAM市場營收下滑約9%的影響,三星、SK海力士、美光三家的營收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
  • 關鍵字: DRAM  美光  

三星2015年DRAM市場所向披靡 手機份額萎縮

  •   三星電子周五公布2015業務成果報告,結果一則以喜,一則以憂,雖然其半導體事業蒸蒸日上,但另一個營收主力,也就是手機部門表現仍持續掙扎。其實,三星去年以獲利為最高指導原則,營運的重心主要放在半導體上,有如此結果也不令人意外。   據 三星統計,在全球DRAM市場上,三星所向披靡、強取豪奪45.3%的份額,市占率較一年前的39.6%又進步了5.7個百分點。三星指出盡管手機、平板 等行動產品減緩,但預期服務器與其它高階產品市場將持續成長。除此之外,三星也相當看好物聯網與汽車對存儲器的需求展望。   在
  • 關鍵字: 三星  DRAM  

產品組合改善 美光下半年有機會轉虧為盈

  •   受來自PC部門需求疲弱,及包括DRAM與NAND Flash價格下滑等不利因素影響,美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會計年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營收僅達29.3億美元,較前季33.5億美元衰退12.4%,亦較2015年會計年度同期41.7億美元衰退29.6%,這是美光自2015年會計年度第1季營收45.7億美元相對高點以來,單季營收連續5季衰退。   在DRAM與NAND Flash的平均銷售單價季衰退幅度超過2位數百分點幅度,加上營業費用控制成效不佳,營業
  • 關鍵字: 美光  DRAM  

三星18納米DRAM投產 海力士、美光面臨更大壓力

  •   三星電子(Samsung Electronics)開始量產18納米DRAM,成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代,三星電子未來在DRAM市場上,勢必將更具價格競爭力。   根據韓媒ETnews報導,存儲器半導體的價格越來越低,越快將成本壓到比下滑的市場價格更低的話,才有利潤能剩下,若降低成本的速度太慢,就會產生赤字。以目前看來,2016年美光最需擔憂的就是赤字問題,因為美光沒能成功地轉換微
  • 關鍵字: 三星  DRAM  

DRAM及NAND市場價格下跌 美光營收下滑

  •   不論是NAND閃存還是DRAM內存領域,韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了,技術、產能都落后友商,偏偏現在又遇到了內存、閃存降價,跌跌不休的價格導致美光營收下滑了30%,當季凈虧損9700萬美元,對未來季度的預測同樣悲觀。   美光公司周三發布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報,當季營收29.3億美元,上季度為33.5億美元,去年同期為41.66億美元,同比下滑了30%。   美光當季毛利只有5.79億美元,遠遠低于上季度的8
  • 關鍵字: DRAM  NAND  

美光恐連續兩季度虧損,毛利率只有19.7%

  •   美國記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財報,每股凈損0.09美元,單季由盈轉虧,并預估本季仍恐持續虧損。外界認為,美光連二季虧損,與該公司關系密切的華亞科(3474)短期營運將有壓力。   受到DRAM價格與出貨量都比上季滑落近一成的影響,美光第2季營收為29.34億美元,季減12.4%,年減29.5%,影響其毛利率表現,僅19.7%,遠不如前一季的25.3%,單季稅后凈損9,700萬美元,每股凈損0.09美元。   美光預期,本季恐持續虧損,估每股凈損0.05至0.12美元,
  • 關鍵字: 美光  DRAM  

三星正式量產18nm工藝DRAM 內存價格或跌40%

  •   全球DRAM內存市場壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中,在這其中三星是第一梯隊的,不論工藝還是產能、占有率都遙遙領先其他兩家,SKHynix第二,美光的工藝和產能最次。2014年率先量產20nm工藝的DRAM內存之后,三星如今再一次領跑,現在正式量產了18nm工藝內存芯片。只不過內存市場今年普遍看淡,隨著廠商產能的提高,內存價格降幅甚至高達40%。   跟處理器芯片一樣,制程工藝越先進,每一代工藝的進步在外人看來感覺是越來越小了,CPU工藝好歹是從22nm進步到14/16nm、NAND也是
  • 關鍵字: 三星  DRAM   
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dram介紹

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。 動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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