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dvd-ram 文章 最新資訊

DVD數字視盤機電磁干擾設計

  • 摘要:電磁干擾是電子產品一個不容忽視的問題,在設計時就應該采取措施,良好的設計將減少設計時間和產品成本。從國家標準化組織對電磁干擾的要求出發,分析了數字視盤機產生電磁干擾的三個主要原因,由此有針對性的
  • 關鍵字: 干擾  設計  電磁  視盤機  數字  DVD  

雙端口RAM的并口設計應用

  • 雙端口RAM的并口設計應用,摘要:IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態RAM,它擁有兩套完全獨立的數據、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口RAM(DPRAM)的設計方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時序、競爭和并行通訊接口設計以
  • 關鍵字: 應用  設計  并口  RAM  雙端口  

F-RAM與BBSRAM功能和系統設計之比較

  •   引言   高性能和環保是當前技術創新的兩大要求。二者共同推動半導體元器件的發展,同時也為全球眾多企業和消費者所耳熟能詳。   若系統設計需要采用半導體存儲器技術,工程師有(但不限于)以下選擇:電池備份靜態隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術。在從工廠自動化和電信到計量和醫療技術的每一種應用中,要確定最適合的存儲器選擇,是一項重要的設計考慮事項。
  • 關鍵字: Ramtron  F-RAM  BBSRAM  

幾個DVD播放器電源原理圖

  • 通用輸入和多路輸入DVD播放器電源的電路圖上圖中所示的TinySwitch-PK多路輸出電源可以提供7.5W的連續輸出功率和13W的峰值功率。典型的應用包括DVD播放器或機頂盒,它們都要求使用多路輸出反激式電源。使用TOPSwitch-
  • 關鍵字: 原理  電源  播放器  DVD  幾個  

IDT 推出 HQV Benchmark 2.0 DVD

  •   IDT 公司推出新一代 Hollywood Quality Video™ (HQV®)基準 DVD。這個事實上的業界標準測試盤已被記者、評論家和全球的消費者廣泛采用,作為評估圖像質量、標清、高清產品處理和性能的可信源,這些產品包括顯示器、DVD 和藍光播放機、音頻/視頻接收機、投影儀和視頻處理盒。   在之前的基準之上,HQV Benchmark 2.0 引進了先進的測試能力,用于減少壓縮瑕疵、提高縮放質量和色彩處理等功能。所有的視頻剪輯和基準測試模式都是為評估各種視頻處理任務而
  • 關鍵字: IDT  HQV  DVD  

松下電器選擇恩智浦硅調諧器打造藍光DVD錄像機

  • 恩智浦半導體(NXPSemiconductors)近日宣布,松下電器選擇恩智浦業界領先的DVB-T硅調諧器推出可接收地面電視節...
  • 關鍵字: 松下電器  恩智浦  藍光  DVD  錄像機  

在MAXQ8913微控制器中從RAM執行應用程序

  • MAXQ8913及其它MAXQ®微控制器采用的Harvard存儲器映射架構為用戶提供了極大的靈活性,可根據需要將不同的物理內存(例如數據SRAM)映射為程序或數據內存空間。在特定環境下,從數據SRAM執行一個程序的部分代碼能夠
  • 關鍵字: MAXQ  8913  RAM  微控制器    

基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法

  • 基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構RAM模塊的一種設計方法,1. 引言

    對于需要大的片上存儲器的各種不同的應用,FPGA 需要提供可重構且可串聯的存儲器陣列。通過不同的配置選擇,嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口,雙端口
  • 關鍵字: RAM  重構  模塊  設計  方法  FPGA  平臺  0.13  微米  CMOS  工藝  

手機內存:NAND優勢愈加明顯,NOR風光不再

  •   市場研究機構水清木華日前發布"2009年手機內存行業研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
  • 關鍵字: 三星  NAND  NOR  RAM  

AGIGA采用非易失性RAM系統用于重要數據的備份

  •   賽普拉斯半導體公司的子公司AGIGA技術公司近日 宣布推出擁有市場上最高密度、最快速度的非易失性RAM系統。AGIGARAM?非易失性系統(NVS)的最新CAPRI系列可提供介于256 megabytes (2048 megabits) 和 2 gigabytes (16 gigabits)之間的存儲密度。這一便于使用的交鑰匙系列產品使用DDR2 SDRAM接口提供最高達800 MHz的等同于DRAM的峰值傳輸速率。CAPRI系列能夠使很多有價值的系統功能成為可能,例如零待機功耗、抗斷電、
  • 關鍵字: AGIGA  RAM  非易失性系統  

Ramtron發布具射頻功能之無線存儲器MaxArias

  •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation日前宣布,現正向數個行業的客戶提供首款MaxArias™無線存儲器產品的beta測試樣品。Ramtron的MaxArias™無線存儲器產品將無線存取功能與其非易失性F-RAM存儲器技術的低功耗、高速度和高耐久性特性相結合,能夠在廣泛的應用領域中,實現創新性數據采集功能。   Ramtron首個無線存儲器系列稱作MaxArias WM71
  • 關鍵字: Ramtron  F-RAM  MaxArias  無線存儲器  

Ramtron推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA

  •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商 Ramtron International Corporation宣布推出串口F-RAM存儲器FM25L16-GA,進一步擴大其符合AEC-Q100汽車標準要求的F-RAM存儲器系列陣容。FM25L16-GA是16Kb串口F-RAM存儲器,可在-40°C至+125°C的Grade 1汽車溫度范圍工作,是Ramtron不斷增長的符合Grade 1和Grade 3 AEC-Q100標準的汽車存儲器產品的新成員。
  • 關鍵字: Ramtron  F-RAM  存儲器  FM25L16-GA  

關于V系列F-RAM的技術說明

  •   全球領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation的兩款具有高速讀/寫性能、更低工作電壓和可選器件功能的新型串口非易失性F-RAM產品,分別是帶有兩線制接口(I2C)的FM24V02和帶有串行外設接口(SPI)的FM25V02。兩款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM產品的最新型號,工作電壓范圍為2.0V至3.6V,采用行業標準8腳SOIC封裝,具有快速訪問、無延遲(NoDelay)寫入、幾
  • 關鍵字: Ramtron  F-RAM  FM24V02  FM25V02  200909  

加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區

  •   全球最大NOR閃存芯片供應商之一恒憶(Numonyx)宣布,該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區簽署廠房租賃合同,正式投資落戶上海。今天上午,恒憶總裁兼首席執行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發中心新址,并拜會了外高橋保稅區管委會主任助理、功能區域黨工委副書記、管委會副主任簡大年等領導。雙方代表齊聚一堂,共同見證了這一重要歷史時刻。   恒憶正式成立于2008年3月,是由英特爾(Intel)和意法半導體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業,擁有技術
  • 關鍵字: Numonyx  NOR  NAND  RAM  PCM  

Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲存器

  •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲器FM14C88,適合RAID(磁碟陣列)存儲服務器及主機總線適配卡 (HBA card) 等應用。   與nvSRAM相比,FM14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V,采用工業標準300mil寬度的32腳SOIC封裝,具有高速訪問、無延遲(NoDelay™)
  • 關鍵字: Ramtron  F-RAM  儲存器  FM14C88  RAID  
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