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e-mode gan 文章 最新資訊

Transphorm推出TOLL封裝FET，將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(tài)(開關)導通電阻可
  • 關鍵字： Transphorm  氮化鎵  GaN  

EPC新推100 V GaN FET助力實現更小的電機驅動器,用于電動自行車、機器人和無人機

  • 基于氮化鎵器件的EPC9194逆變器參考設計顯著提高了電機驅動系統的效率、扭矩而同時使得單位重量功率（比功率）增加了一倍以上。該逆變器非常微型，可集成到電機外殼中，從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。 宜普電源轉換公司宣布推出三相BLDC電機驅動逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓范圍為 14V ~60V，可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓范圍和功率使該解決方案非常適合用于各種三相BLDC電機驅動器，包括電動自行車、電動滑板車、無人
  • 關鍵字： EPC  GaN FET  電機驅動器  

CGD與群光電能科技和劍橋大學技術服務部共同組建GaN生態(tài)系統

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司（TWSE：6412）和英國劍橋大學技術服務部 (CUTS) 簽署了三方協議，共同設計和開發(fā)使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數據中心電源產品。群光電能科技是一家成熟的電力電子系統整體解決方案提供商，專注于各種應用的電源和適配器，包括筆記本電腦、臺式電腦、游戲設備和服務器/云解決方案。劍橋大學高壓微電子和傳
  • 關鍵字： CGD  群光電能  GaN  生態(tài)系統  

巧用這三個GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設計

  • 緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加，從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器，到 LED 照明、白色家電、電機驅動、智能儀表和工業(yè)系統等。對于這些離線反激式電源的設計者來說，面臨的挑戰(zhàn)是如何確保穩(wěn)健性和可靠性，同時繼續(xù)降低成本，提高效率，縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問題，設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術的器件 (GaN) 來取代硅 (Si) 功率開關。這樣做直接轉化為提高電源效率和減少對散熱器的需求，從而實現更高的功率密度。然
  • 關鍵字： 電源效率  氮化鎵  GaN  電源轉換器設計  

英飛凌完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems),成為領先的氮化鎵龍頭企業(yè)

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結束后，GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執(zhí)行官?Jochen Hanebeck?表示，“氮化鎵技術為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購?GaN Syste
  • 關鍵字： 英飛凌  氮化鎵系統公司  GaN Systems  氮化鎵  

英飛凌完成收購氮化鎵系統公司 (GaN Systems)

  • 據英飛凌官微消息，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分。2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems聯合宣布，雙方已簽署最終協議。根據該協議，英飛凌將斥資8.3億美元收購GaN Systems。這筆“全現金”收購交易是使用現有的流動
  • 關鍵字： 英飛凌  氮化鎵系統  GaN Systems  

Transphorm最新技術白皮書:常閉耗盡型(D-Mode)與增強型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對比

  • 氮化鎵功率半導體產品的全球領先企業(yè)Transphorm, Inc.近日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優(yōu)勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實現常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢。要點白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關鍵優(yōu)勢，包括：1.性能更高：優(yōu)越的 TCR (~25%)，更低的動態(tài)與靜態(tài)導通電阻比
  • 關鍵字： Transphorm  常閉耗盡型  D-Mode  增強型  E-Mode  氮化鎵  

羅姆GaN器件帶來顛覆性革命：體積減少99%,損耗降低55%

  • 引言如今，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為了實現無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率器件是提高其效率的關鍵，SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。周勁(羅姆半導體(上海)有限公司技術中心副總經理)1 GaN HEMT的突破在功率器件中，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件備受期待。ROHM 于2022 年將柵極耐壓高達8 V 的150 V 耐壓GaN HEMT 投入量產；2023 年3月，又確
  • 關鍵字： 202310  羅姆  GaN  

SuperGaN使氮化鎵產品更高效

  • 1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業(yè)，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發(fā)階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業(yè)務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營的上市公司，這意味著在器件開發(fā)的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創(chuàng)新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
  • 關鍵字： 202310  SuperGaN  氮化鎵  GaN  Transphorm  

SiC和GaN的應用優(yōu)勢與技術挑戰(zhàn)

  • 1? ?SiC和GaN應用及優(yōu)勢我們對汽車、工業(yè)、數據中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數據中心：SiC 和GaN 可用于數據中心電源，以提高效率并降低運營成本?！? ?可再生能
  • 關鍵字： 202310  SiC  GaN  安世半導體  

SiC和GaN的技術應用挑戰(zhàn)

  • 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
  • 關鍵字： 202310  納芯微  SiC  GaN  

東芝在SiC和GaN的技術產品創(chuàng)新

  • 1 SiC、GaN相比傳統方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
  • 關鍵字： 202310  東芝  SiC  GaN  

ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況

  • ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實現能效和功率密度更高的產品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
  • 關鍵字： 202310  意法半導體  SiC  GaN  

基于onsemi NCP1618多模式PFC 500W設計方案

  •  近年來隨著應用技術不斷推陳出新，造就終端應用的功率需求越來越大，例如:5G網通電源供應器、ATX/Gaming電源供應器等等，功率消耗大于一程度時電源供應器就要有功率因數校正(Power Factor Correction, PFC)的功能，以歐盟EN61000-3-2規(guī)范要求，所有電子產品輸入功率大于75W時，其電源供應都需要有功率因數校正的機能。另外，在規(guī)格要求也越來越嚴苛，以往可能只要求滿載下效率與功率因數PF值等，目前會要求在某負載范圍下效率都要達到一定的程度，且PF值也要達到一定的數
  • 關鍵字： onsemi  power  安森美  NCP1618  Multi-mode PFC  ATX power  Gaming power  Networking  電競電源  網通電源  

基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案

  • 過往產品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導致裝置汰換時將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產品都透過此接口傳輸數據，進而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規(guī)范 (USB Power Delivery Specifi
  • 關鍵字： ST  意法半導體  GAN  第三代半導體  Power and energy  PD  協議  快充  
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