- 近日，應用材料公司推出Applied Producer® eHARP™ 系統，為32納米及更小工藝節點上關鍵的STI（淺溝槽隔離）器件結構提供已被生產驗證的HARP SACVD®空隙填充技術。eHARP工藝能夠提供無孔薄膜，用于填充小于30納米、長寬比大于12:1的空隙，從而滿足先進存儲器件和邏輯器件的關鍵制造要求。該系統擁有多項工藝創新專利，能提供強勁的高密度應力誘導薄膜，幫助推動傳統的平坦化和新興的3-D器件結構向更小的技術節點發展。
應用材料公司副總裁兼電介質系
- 關鍵字：
應用材料 eHARP 存儲 晶圓
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