Tektronix 助力二維材料器件與芯片研究與創(chuàng)新

• ?二維材料憑借其原子級厚度、無懸掛鍵的表面以及優(yōu)異的電學(xué)和光電特性，正成為延續(xù)和超越摩爾定律的核心候選材料。其最新發(fā)展趨勢主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1)?面向“More Moore”的極致尺寸微縮與新架構(gòu)（CFET/MCT）：在亞2納米甚至1納米節(jié)點(diǎn)，傳統(tǒng)的硅基晶體管面臨嚴(yán)重的短溝道效應(yīng)和遷移率退化。二維半導(dǎo)體（如MoS2、WSe2等）由于即使在原子級厚度下仍能保持良好的靜電控制和高遷移率，被視為理想的溝道材料。器件架構(gòu)正向多通道晶體管（MCTs）、環(huán)柵（GAA）結(jié)構(gòu)以及互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管
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