0 引言
靜電是物體表面的靜止電荷。物體在接觸、摩擦、分離、電解等過程中，發生電子或離子的轉移，正電荷和負電荷在局部范圍內失去平衡，就形成了靜電。當物體表面的靜電場梯度達到一定的程度，正電荷和負電荷發生中和，就出現了靜電放電(ESD)。靜電放電可以出現在兩個物體之間，也可由物體表面經電荷直接向空氣放電。
l 靜電放電的危害
靜電作為一種普遍物理現象，近十多年來伴隨著集成電路的飛速發展和高分子材料的廣泛應用，靜電的作用力、放電和感應現象引起的危害十分嚴重，美國統計，美國電子行業部門每年因靜電危
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ESD
靜電在芯片的制造、封裝、測試和使用過程中無處不在，積累的靜電荷以幾安培或幾十安培的電流在納秒到微秒的時間里釋放，瞬間功率高達幾百千瓦，放電能量可達毫焦耳，對芯片的摧毀強度極大。所以芯片設計中靜電保護模塊的設計直接關系到芯片的功能穩定性，極為重要。隨著工藝的發展，器件特征尺寸逐漸變小，柵氧也成比例縮小。二氧化硅的介電強度近似為8×106V／cm，因此厚度為10 nm的柵氧擊穿電壓約為8 V左右，盡管該擊穿電壓比3.3 V的電源電壓要高一倍多，但是各種因素造成的靜電，一般其峰值電壓遠超過8 V
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CMOS ESD
2008年11月4日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)今日在臺北舉行的第七屆靜電放電保護技術研討會上，針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統三個層級的技術面加以探討，為業界提供實質建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強抵抗ESD的裝置。安森美半導體長期投入于研發ESD保護技術，通過先進的ESD保護技術和完整的產品系列
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安森美半導體 ESD 電子
在全球半導體產業為IC領域的45nm、多核技術的飛速發展所吸引時，一向波瀾不驚的無源器件在汽車電子的推動下正暗流涌動，7月31日，TDK宣布收購EPCOS，劍指汽車電子領域。而村田，也在7月拉開了中國九城市汽車技術研討會的序幕。汽車電子給無源器件提出哪些新的需求？無源器件在這些新需求下出現什么新的變化？中國汽車電子設計工程師在無源器件的應用上應該注意什么？來自全球主要無源器件供應商將為你解讀無源器件在汽車電子應用上的未來與新技術。
汽車電子如何推動無源器件發展
隨著汽車電子化、
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半導體 TDK MCU ESD 汽車無源器件
這篇文章簡要地探討了手機音頻系統中ESD及EMI的起因及結果。接著研討了ESD干擾抑制器和EMI濾波器的使用，以避免這些威脅。最后，比較了當前三種解決方案。
現代材料和技術引起靜電放電(ESD)和電磁干擾(EMI)，并成為經常存在的危險。我們的穿著和我們接觸的物品會引起靜電放電。數字技術已有電磁干擾。靜電放電會破壞手機里的電子部件。手機容易替換，但對用戶的傷害很大。手機電路設計者必須確保采取必要的措施，以消除ESD的破壞。
在音頻電路中如有電磁干擾(EMI)，會出現嘶嘶、噼
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手機 ESD EMI 音頻
在高速數據率下，低電容 ESD 保護對于保持 USB 2.0、IEEE 1394 以及 ITV操作中使用的 DVI和HDMI 協議的數據完整性是很關鍵的。
全世界有數百萬的家庭都已經在通過衛星電視、有線電視以及陸地廣播享用互動式電視 (ITV)服務 。借助于計算機技術，ATSC ACAP協議正在通過數據廣播 (PC 下載) 以及實時互動應用服務成為富有生命力的廣播服務。
隨著這些行業的匯聚聯合，制造商必須對設備需求作出響應，以便容納更高的數據率以及符合當前和擬議中的通信需求。另外，保護昂貴
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便攜式 ESD 端口 IEEE
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出最新小型 4 線 ESD 保護陣列 --- VBUS054CV-HS3，該器件可在高浪涌電流情況下提供低電容，以保護兩個高速 USB 端口或四個其它高頻信號線，以免它們受到瞬態電壓信號的損壞。
VBUS054CV-HS3 采用占位面積為 1.6mm×1.6mm 且具有 0.75mm 超薄厚度的無鉛 LLP75 封裝，可將眾多便攜式電子設備中的有源 ESD 保護所需的板面空間縮減至最小，這些系統包括便攜式與手持式計算、通
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Vishay ESD 保護陣列 電容
高溫測試儀主要用于加熱過程中的溫度跟蹤測量和數據采集,通過對測試數據進行系統分析,研究爐內的溫度分布和溫差變化規律,分析影響加熱質量的主要因素,對加熱爐加熱過程和加熱制度進行優化,提高加熱質量,降低燃料消耗。
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Maxim推出具有±15kV ESD保護的單/雙通道雙向電平轉換器MAX13046E/MAX13047E。器件為多電壓系統中的數據傳輸提供電平轉換，VL電壓范圍為1.1V至3.6V或(VCC + 0.3V) (兩者中電壓較低的一個)，VCC電壓范圍為1.65V至5.5V。在整個電壓范圍內，MAX13046E/MAX13047E能夠保證8Mbps的數據速率；在特定的電壓范圍內，還可達到更高的數據速率。器件在?DFN、TDFN和UTQFN等微型封裝中集成了±15kV ESD保護
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Maxim 轉換器 電平轉換 ESD
德州儀器 (TI) 宣布推出一款高可靠靜電放電 (ESD) 解決方案，可針對八個高速差動線路提供系統級 ESD 保護，以滿足高清多媒體接口 (HDMI) 與 DisplayPort 連接器的需求。TPD8S009 的直通式、單列直插引腳映射可優化電路板布局，提高抗不良電磁干擾的能力。此外，這種獨特的架構使設計人員無需重新設計系統即可便捷地添加或刪除器件。這款 ESD 解決方案可提高筆記本電腦或臺式機、電視或 DVD 播放器等設備的總體系統可靠性。
TPD8S009 具有不足 0.
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愛普科斯(EPCOS) 是第一個生產采用0201封裝的低電容CeraDiodes®和多層壓敏電阻(MLV)的ESD保護元件的廠家。例如，電容值為22 pF的壓敏電阻具有低箝位電壓的特性，特別適合對LED背景照明的保護。同時，公司還開發出用于USB和以太網系統，電容值為10 pF的新型電容。為了最大限度地降低寄生電容，特別是在無線射頻技術的應用中，愛普科斯正在研制一種特殊的電容低于1 pF的天線壓敏電阻。
為移動電話而特別設計的元件有微型化和集成化的趨勢，而一體化的ESD
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愛普科斯 EPCOS ESD MLV
為了成本，集成度和性能等指標，采用高速串行數據接口，并且減小半導體制造布局是非常有必要的。但這種較小的器件更容易受到較低電壓和電流所造成的靜電損傷。另外，用于高速數據線上的低電容ESD保護器件在電容減小的同時，動態電阻會變大，這會使它們保護系統敏感IC元件的能力變差。
對于傳統的ESD保護方案，強大的靜電放電保護與良好的信號完整性是一對矛盾。有一些ASIC根本無法在保證信號完整性的同時，有效地進行ESD保護。
數據表說明書
系統設計者通常用器件數據表上標注的ESD等級來比較其ESD保
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ASIC IC元件 ESD CMD
賓夕法尼亞、MALVERN — 2008 年 7 月 17 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）推出新型 VSA101 軸向 Bulk Metal? Z 箔電阻，旨在為滿足在高可靠性應用中對超高精度電阻的需求。這款新型器件在 0°C～+60°C 以及 ?55°C～+125°C（+25°C 參考溫度）的溫度范圍內分別具有 ±0.05 ppm/°C
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箔電阻 Vishay 電阻元件 ESD
東電化(上海)國際貿易有限公司 技術部經理 鐮形利通
HDMI v1.3標準的數據傳輸速率達到3.4Gbps，這加增大選擇EMI/ESD保護元件的難度。在EMI對策中，盡管大多數情況下可以有效使用共模濾波器(CMF)，但是如果選擇了錯誤的CMF，則可能導致最壞的后果。因此，必須減小相對于信號的插入損耗。標準頻率可以是插入損耗為3dB的頻率，且至少應為6GHz以上。另外，關于抗干擾效果和相關的共模阻抗，為了在較寬的頻帶內有效，應當達到90Ω@100MHz以上。我們推薦采用TDK公司的ACM
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世界最大的無源有源集成芯片供應商意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出耳機和話筒接口芯片EMIF06-AUD01F2，在一個大小僅為2.42 x 1.92mm的倒裝片封裝內，新產品集成了完整的EMI（電磁干擾）濾波電路和ESD（靜電放電）保護電路，以保護手機的立體聲耳機輸出端口和內外部話筒輸入端口，提高多功能手機的音頻性能。
通過在話筒線路上使用高密度的1.3nF鋯鈦酸鉛（PZT）電容器，EMIF06-AUD01F2在800-2480MHz的阻帶內的衰減度（S21）達到–25d
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