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esd-sensitive 文章 最新資訊

TVS之ESD波形圖分析

  • 我們都知道，TVS產(chǎn)品的主要作用之一就是用來吸收ESD能量并鉗位，保護我們的后級芯片或電路不受其沖擊影響。所以我們在選型的時候需要特別關注的一點，就是TVS的ESD鉗位參數(shù)。其鉗位參數(shù)的重要性我們在之前的文章中都有提過了，今天我們就和大家一起聊聊ESD的波形圖的一些事兒。01 IEC 標準ESD波形圖ESD波形ESD波形參數(shù)IEC 61000-4-2中明確規(guī)定了ESD的波形圖及其參數(shù)，如圖所示。其上升時間非常快，第一個尖峰在0.7~1ns之間，第二個尖峰在30ns，而整個事件持續(xù)時間為60ns。ESD事件
  • 關鍵字： Semtech  TVS  ESD  

提高汽車的功能安全性 掌握ESD實現(xiàn)無干擾的數(shù)據(jù)傳輸

  • 在日常生活中，人們觸摸車門時偶爾會感到手指刺痛或靜電沖擊，這感覺僅會令人不快；但對于一些電子組件，遇上靜電放電(ESD)可能意味著完全失效。半導體結構越微小，模擬和數(shù)字I/O引腳的阻抗越高，便越容易受到靜電放電(ESD)的影響。可能的后果包括p/n結的熱擊穿、氧化物擊穿(電介質擊穿)，以及金屬化層的熔化。目前電子組件大約占據(jù)一輛汽車總價值的三分之一，而且這個比例還將上升。汽車中17%的半導體故障是由靜電放電(ESD)造成的，因而必需采取適當?shù)腅SD保護措施。在日常生活中，人們觸摸車門時偶爾會感到手指刺痛或
  • 關鍵字： 儒卓力  ESD  

Diodes 公司推出節(jié)省空間的TVS

  • 【2023 年 4 月 6 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出新款雙向瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管，以滿足市場妥善保護高速數(shù)據(jù)端口的需求。D3V3Z1BD2CSP 以滿足保護靜電放電 (ESD) 沖擊和突波事件。這款產(chǎn)品的主要應用為高效能運算硬件、智能型手機、筆記本電腦和平板電腦、顯示器及游戲機的 I/O 端口。雖然許多競爭產(chǎn)品必須在設計上做出折衷，擇一選擇強大的突波保護特性或低輸入電容，D3V3Z1BD2CSP 可以同時提出這兩項優(yōu)點。它
  • 關鍵字： Diodes  TVS  ESD  突波保護  

貼片壓敏電阻如何保護LED免受ESD的影響？

  • 隨著智能手機和TWS等移動設備日趨小型化和高功能化，設備和集成電路（IC）對ESD（靜電放電）和浪涌的抗擾性越來越弱。此外，這些移動設備被要求支持觸摸操作和可穿戴設計的機會也逐漸增多，因此采取ESD保護措施變得空前重要，這也極大地促進了ESD保護元件的應用。隨著智能手機和TWS等移動設備日趨小型化和高功能化，設備和集成電路（IC）對ESD（靜電放電）和浪涌的抗擾性越來越弱。此外，這些移動設備被要求支持觸摸操作和可穿戴設計的機會也逐漸增多，因此采取ESD保護措施變得空前重要，這也極大地促進了ESD保護元件的
  • 關鍵字： TDK  LED  ESD  

Vishay推出升級版紅外接收器,降低供電電流,提高抗ESD和陽光直射的可靠性

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，采用新一代Cyllene 2 IC升級紅外遙控應用TSOP2xxx、TSOP4xxx、TSOP57xxx、TSOP6xxx和?TSOP77xxx系列紅外（IR）接收器模塊。配置新型IC旨在確保產(chǎn)品長期供貨并縮短交貨期，有助于設計人員大幅降低更寬電源電壓范圍內(nèi)的供電電流，同時提高抗ESD和陽光直射的可靠性。日前發(fā)布的增強型Vishay Semiconductors接收器可用于電視機、機頂盒（STB）、音響和游戲機、空調等電器，以及
  • 關鍵字： Vishay  紅外接收器    ESD  

嵌入式核心板開發(fā)之ESD靜電保護

  • 在電子產(chǎn)品開發(fā)中ESD靜電防護是不可或缺的一環(huán)，下面就為大家簡單介紹一下，核心板產(chǎn)品開發(fā)時有用的ESD二極管知識和技巧。ESD管的介紹ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），靜電保護元器件，又稱瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列（TVS Array），是由多個TVS晶粒或二極管采用不同的布局設計成具有特定功能的多路或單路ESD保護器件，主要應用于各類通信接口靜電保護，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等
  • 關鍵字： ZLG  嵌入式  ESD  

Nexperia宣布面向高速數(shù)據(jù)線的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產(chǎn)品

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。 Nexperia高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia開發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
  • 關鍵字： Nexperia  高速數(shù)據(jù)線  TrEOS  ESD  保護器件  

實驗出真知！可充分發(fā)揮ESD保護元件性能的電路設計

  • TDK的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品陣容齊全，可保護設備因受ESD（靜電放電）影響而引發(fā)的故障和誤動作，能幫助客戶有效解決ESD問題。但隨著用戶設備的小型化、輕量化和高功能化，以前效果出眾的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品也出現(xiàn)了無法充分發(fā)揮保護效果的情況。為了查明原因，我們以客戶設備的小型化為前提進行了ESD實驗，本期推文就來為您詳細介紹通過此次實驗得出的各數(shù)據(jù)與結果。5G技術的發(fā)展實現(xiàn)了設備之間的相互協(xié)作和實時通信，也對設備的設計提出了更高的要求，比如更小、更輕、更低功耗、更高功能、長期運行、高可靠性、更高的EMC耐
  • 關鍵字： TDK  ESD  

經(jīng)典解析靜電放電（ESD）原理與設計-靜電來源及保護方法-KIA MOS管

  • ESD，是靜電放電(Electrostatic Discharge)是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉移。ESD是一種常見的近場危害源，可形成高電壓，強電場，瞬時大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。靜電的來源在電子制造業(yè)中，靜電的來源是多方面的，如人體、塑料制品、有關的儀器設備以及電子元器件本身。人體是最重要的靜電源，這主要有三個方面的原因：1、人體接觸面廣，活動范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時也有許多機會將人體自身所帶的電荷轉移到器件上或者通過器件
  • 關鍵字： ESD  靜電放電  

基本ESD模型及功能參數(shù)

  • 　　將一個電容充電到高電壓（一般是2kV至8kV），然后通過閉合開關將電荷釋放進準備承受ESD沖擊的“受損”器件（圖1）。電荷的極性可以是正也可以是負，因此必須同時處理好正負ESD兩種情況。　　(1)HBM(Human Body Model)，人體放電模型；　　指帶電荷的人體與集成電路產(chǎn)品的管腳接觸并發(fā)生靜電荷轉移時，產(chǎn)生的ESD現(xiàn)象。　　人體等效電阻約1500歐姆，等效電容值為lOOpF，Ls與Cs寄生電感和電容。該ESD放電產(chǎn)生電流波形的上升時間在2~10ns范圍內(nèi)，持續(xù)時間在150~200ns范圍內(nèi)
  • 關鍵字： ESD  靜電放電  

esd是指什么？靜電放電是什么？

  • 　　ESD（Electrostatic discharge），中文釋義為靜電放電。　　造成靜電放電有多種原因，但最常見的是靜電和靜電感應。靜電通常是通過摩擦充電產(chǎn)生的，而靜電感應則是作為物體的電荷重新排列而產(chǎn)生的。通常，當一個物體的表面獲得負電子而另一個物體失去電子并帶正電時，就會產(chǎn)生摩擦充電。當帶相反電荷的物體相互接觸時，電子傳遞能量然后分離，形成一種電荷接觸帶電。　　在工業(yè)生產(chǎn)中靜電放電會導致兩種類型的電氣設備損壞，具體如下：　　災難性的：造成永久性傷害。　　潛伏性的：幾乎檢測不到，已經(jīng)對組件造成損傷
  • 關鍵字： ESD  靜電放電  

ESD簡介（簡單明了！）

  • 記得小學時候的自然課上老師用冬天脫毛衣時的火花向年少的我們描述靜電的情形，那時候不禁對大自然肅然起敬。沒想到很多年之后學習集成電路課程，又一次跟靜電有了接觸，只是這一次沒有年少時的輕松與愉悅。靜電放電（Electrostatic Discharge, ESD）很容易造成電子元件或電子系統(tǒng)遭受過度電應力而被永久破壞。靜電放電破壞的產(chǎn)生，大多數(shù)是由于人為因素造成的，但又很難避免。在芯片制造、生產(chǎn)、測試、搬運等過程中，靜電會積累在人體、儀器、設備之中，甚至芯片本身也會積累靜電，這些靜電一旦在某些情況下形放電通路
  • 關鍵字： ESD  靜電放電  

Nexperia超低電容ESD保護二極管保護汽車數(shù)據(jù)接口

  • 基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴展其超低鉗位和超低電容ESD保護二極管系列產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品組合旨在保護USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽車A/V監(jiān)視器、顯示器和攝像頭等高速數(shù)據(jù)線。此外，該產(chǎn)品組合還旨在解決未來高速視頻鏈路以及開放技術聯(lián)盟MGbit以太網(wǎng)應用。  新晉產(chǎn)品包括2引腳單線器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超緊湊型DFN1006BD-2封裝，同時優(yōu)化了布線靈活性。此外，還有兩款采用DFN1006-3封裝的3引腳
  • 關鍵字： Nexperia  超低電容  ESD  保護二極管  汽車數(shù)據(jù)接口  

Nexperia的USB4 ESD二極管件實現(xiàn)了保護和性能的出色平衡

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出兩款經(jīng)優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護二極管件，適用于高速數(shù)據(jù)線中的重定時器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專為保護USB4 (Thunderbolt)接口而設計，而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產(chǎn)品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術，集低鉗位、低電容和高穩(wěn)健性優(yōu)勢于一身。 重定時器和信號中繼器是設計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短，從而降低寄生電感，但也會意外地降低整體系統(tǒng)
  • 關鍵字： Nexperia  USB4  ESD  二極管件  

功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

  • 高端變頻空調在實際應用中出現(xiàn)大量外機不工作，經(jīng)過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經(jīng)過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 關鍵字： 主動式PFC升壓電路  IGBT  SOA  閂鎖效應  ESD  熱擊穿失效  202108  MOSFET  
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