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flash 文章 最新資訊

分析師：2015年NAND Flash市況“上冷下熱”

  • 　　TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 調查顯示， NAND Flash 成本隨著制程演進而持續下滑，各種終端應用如 SSD 與eMMC等需求則持續成長，估計 2015年 NAND Flash產值將較2014年成長12%，至276億美元。 　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，由于終端產品出貨與新機上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產品刺激市場，受淡季效應影響情況將較為顯著，因此預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局，也就是
  • 關鍵字： TrendForce  NAND Flash  SSD  

2015年NAND Flash產業持續向上，產值成長超過10%

  • 　　TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示， NAND Flash成本隨著制程演進而持續下滑，各種終端應用如SSD與eMMC等需求則持續成長，2015年NAND Flash產值將較2014年成長12%，達276億美元。DRAMeXchange研究協理楊文得表示，由于終端產品出貨與新機上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新產品刺激市場，受淡季效應影響情況將較為顯著，因此DRAMeXchange預估2015年NAND Flash市況將呈現上冷下熱的格局，也就是上半年
  • 關鍵字： NAND Flash  SSD  

SSD 2年內價格砍半　每GB首度跌破0.5美元

  • 　　次世代資料儲存裝置固態硬碟(SSD)市場價格，2年內下滑一半。由于NAND Flash產能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構NAND Flash量產行列，皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價格下滑，SSD應用范圍逐漸擴大，有加速普及的傾向。 　　據韓聯社引用市調機構IHS資料報導，256GB的SSD 2014年第3季平均售價(ASP)為124美元，比2013年同期171美元下跌27.5%，與2012年同期價格226美元相比，跌幅更達45.1%，意即最近2年內SSD價格幾乎砍
  • 關鍵字： SSD  NAND Flash  

臺內存大廠揮軍日本　直闖工控和車用市場

  • 　　征戰海外展覽的臺灣內存大廠，終于在日本找到了機會。
  • 關鍵字： 內存  NAND Flash  

六大NAND Flash廠商：東芝最“吸金”

  • 　　2014第三季度 NAND Flash廠商營收排名出爐，其中東芝最為亮眼，原因是因為它最漲勢最猛。
  • 關鍵字： NAND Flash  東芝  三星  

美光咬蘋果大單 力成同樂

  • 　　蘋果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機后，今年底或明年初，將緊接推出Apple Watch智能手表，目前正展開一波拉貨，力成最大客戶美光傳出大啖蘋果Apple Watch存儲器絕大部分訂單，力成受惠度看漲，也激勵今天股價逆勢上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤間的狹幅震蕩。 　　據了解，Apple Watch采用512MB LPDDR3，內建4GB或8GB容量的NAND Flash，美光包辦絕大部分的訂單，而在下游后段封測代工制程方面，目前多半由力成與華東共同負責，由于測試時
  • 關鍵字： 蘋果  iPhone 6  NAND Flash  

臺IC設計前3季 聯發科穩居每股獲利王 敦泰群聯位居二三名

  • 　　IC設計第3季財報全數公布完畢，累計前3季，聯發科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元，穩居IC設計每股盈余獲利王，也是稅后凈利獲利王，其次是觸控IC廠F-敦泰(5280-TW)，前3季每股稅后盈余為13.67元，排名第二，第三名則是FLASH控制晶片廠群聯(8299-TW)，前3季每股盈余為13.34元，排名第三。 　　根據公開資訊站資料顯示，聯發科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩居IC設計之冠，表現亮眼，顯示行動裝置需求持續升溫，第3季旺季效應加持發威下，相關廠商營運表現都相當亮眼，聯發科第
  • 關鍵字： 聯發科  觸控IC  FLASH  

下游需求高企 2014年中國內存芯片市場將占全球兩成

  • 　　TrendForce最新研究報告顯示，隨著中國市場近幾年的蓬勃發展與政策開放，GDP成長率呈現高度的成長，所伴隨而來的就是驚人的消費潛力，無論是PC、智能型手機與平板市場都把中國市場列入第一戰區。TrendForce旗下權威內存研究機構DRAMeXchange最新數據顯示，以2Gb顆粒來換算，2014年中國市場在DRAM與NAND的消化量已經高達47.89億與70.36億，分別占全球產能19.2%與20.6%。 　　從DRAM市場來觀察，PC-DRAM在中國市場的消化量已經來到15%，內需市場的強勁
  • 關鍵字： 內存  DRAM  Flash  

基于FLASH介質嵌入式存儲方案的設計與實現

  • 　　引言 　　FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優點，已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質有較大區別，使用FLASH時必須根據其自身特性，對存儲系統進行特殊設計，以保證系統的性能達到最優。 　　FLASH的特點 　　FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)，根據結構的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
  • 關鍵字： FLASH  NAND  

OEM需求拉貨動能增溫，第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%

  • 　　第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業者進入出貨旺季的帶動下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價格表現也相對穩健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange研究協理楊文得表示，新制程的嵌入式產品自第三季起成為市場主流，有助于各家業者成本結構的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現持續亮眼以及新產品的問世，整體N
  • 關鍵字： NAND Flash  SSD  iPhone6  

提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命方法

  • 　　在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數據，MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了256 字節的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數據，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫壽命上存在一定差距，所以在實際應用中，這種應用方式并不能夠滿足所有客戶的需求。本應
  • 關鍵字： MSP430  Flash  EEPROM  

FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少

  • 　　由于航天應用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開發最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時，撞擊的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數據，使系統運行到無法預知的狀態，從而引起整個系統失效。這在航天設備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術為基礎的FPGA與以SRAM為基礎的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優勢，可靠性高。 　　ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應商。它提供了多種服務，包括基于反熔絲和閃存技術的FPGA、高性能IP核、軟件開發工具和設計服務，定位
  • 關鍵字： FPGA  FLASH  反熔絲  

一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法

  • 　　摘要：提出了一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法，并完成了設計和仿真。 　　關鍵詞：微控制器 在線仿真 開發系統 Flash SRAM 　　由于市場對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應用的領域也不斷擴展， 因此往往需要對最初的設計進行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優點就在于可進行高達上萬次的擦寫操作，順應了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，Flash MCU市場價格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產品的批量生產。對于F
  • 關鍵字： MCU  Flash  仿真器  

終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩健增長

  • 　　TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange最新調查顯示，由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩健增長，固態硬盤在筆記本電腦以及服務器與數據中心的需求增加，而物聯網應用也將逐漸導入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產業規模將提升至266億美元，年增長9%。 　　DRAMeXchange研究協理楊文得表示，2014年NANDFlash需求位增長率為36%，在更多元化的產品開始導入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
  • 關鍵字： NAND Flash  穿戴性裝置  

基于ARM7軟中斷程序的設計

  • 　　摘要：本文以ARM7內核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時，采用SWI軟中斷的方法實現同時寫片外FLASH的例子，詳細講述ARM7內核的MCU如何設計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。 　　1 背景描述 　　筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節的片內FLASH，98k字節的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
  • 關鍵字： ARM7  LPC2458  FLASH  MCU  SWI  CPU  201409  
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flash介紹

閃存（Flash ROM）： 是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術，內部是相對靜態的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]

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