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群聯砸3.8億 入股宇瞻
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(8299)昨(19)日宣布,參與記憶體模組廠宇瞻私募,將以每股25.38元、總金額3億8,070萬元,取得宇瞻9.9%股權,成為宇瞻最大法人股東,雙方將攜手沖刺工控應用固態硬碟(SSD)市場。 群聯昨股價上漲2.5元,收在214.5元;宇瞻下跌0.25元,以31.4元作收。 群聯斥資約3.8億元,取得宇瞻9.9%股權,成為最大法人股東。圖為群聯董事長潘健成。 本報系資料庫 分享 上述私募價格是采依過去30個交易日均價31
- 關鍵字: 群聯 宇瞻 NAND Flash
半導體事業關鍵時刻 救了三星的面子與里子
- 三星電子(Samsung Electronics)日前發布2014年第4季暫定財報,營收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元),其中半導體事業暨裝置解決方案(DS)事業部貢獻達一半以上,可說是最大功臣。 據韓媒ChosunBiz報導,三星電子在1月8日發布2014年第4季暫定財報,業績終于跌回升,營收為52兆韓元,營業利益達5.2兆韓元。 韓國KDB大宇證券推估,三星電子DS部門第4季貢獻營業利益約2.9兆韓元,比IT暨移動通訊(IM)事業部高出1兆韓元左右。第3季DS部門營業利益(2
- 關鍵字: 蘋果 DRAM NAND Flash
海力士前高層加入慧榮 SSD大戰鳴槍
- 固態硬碟(SSD)戰火正熱,持續成為2015年產業焦點,NAND Flash控制芯片業者為了布局上游半導體大廠,使出渾身解數綁樁,傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密,雙方合作內嵌式存儲器eMMC業務外,有機會延伸至SSD產品線上,2015年更是關鍵年,慧榮內部極度重視SSD產品線,立下通吃NAND Flash大廠和存儲器模組兩大族群的目標,看好公司營運
- 關鍵字: SSD NAND Flash SK海力士
DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調;動態隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩定獲利,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面,各DRAM廠去年不僅全面獲利,并且是豐收的一年。 臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元,將創歷史新高紀錄。 NAND Flash市場競爭、變化相對激烈,且難以預料;去年下半
- 關鍵字: DRAM 三星 海力士 NAND Flash
研調:12月上旬NAND Flash合約價跌幅2%內
- TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究顯示,美系廠商在第三季季底財報結算壓力過后,不再采取積極價格戰,使得原廠間戰火稍緩。另一方面,因模組廠預期此波價格跌勢將持續,再加上手中庫存仍充足下,大多傾向12月月底再進行采購談判,以爭取更優惠的價格。因此,12月上旬因交易氣氛冷清,NAND Flash合約價呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經理陳玠瑋表示,在歐美圣誕節備貨動能正式結束后,受到季節性因素影響,預期明(2015)年第一季全球智慧型手機
- 關鍵字: NAND Flash eMMC
東芝NAND Flash漲勢迅猛 TransferJet高效近場傳輸技術加速市場化
- 2014年NAND Flash市場在便攜式電子新品持續、快速更新的帶動下表現出價格穩定、需求強勁的發展態勢。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業者進入出貨旺季的帶動下,新制程的嵌入式產品自第三季起成為市場主流,三星、東芝這些存儲行業大牌的表現尤為出色。據市場調研機構TrendForce最新報告,2014年第三季度東芝NAND Flash產品營收環比大增23.7%,穩居世界前二位,其中15nm新制程的產出比重持續增加。 在今年的高交會上,記者也對東芝新制程的存儲
- 關鍵字: 東芝 NAND Flash TransferJet
NAND吃緊!花旗:三星、hTC將學蘋果加大智能機容量
- Investor.com 3日報導,花旗發表研究報告指出,三星電子、宏達電 (2498)等智慧型手機制造商有望跟隨蘋果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機的儲存容量,這會提高市場對SanDisk產品的需求。 費城半導體指數成分股SanDisk 3日聞訊上漲2.02%、收103.36美元;該檔個股在11月總計勁揚了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(104.26美元)甫創7月16日以來收盤新高。 根據報告,花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
- 關鍵字: 花旗 三星 NAND Flash
flash介紹
閃存(Flash ROM):
是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場效應管構成,寫入時,利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時,則利用高壓下的隧道效應,使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術,內部是相對靜態的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導體技術發展很快,價格下降也很快,這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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