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使用LeonardoSpectrum綜合Xilinx FPGA的VHDL程序
- 摘 要： 本文總結(jié)了使用LeonardoSpectrum綜合Xilinx FPGA的VHDL程序應(yīng)用，以及在VHDL中使用不同類型RAM的方法。關(guān)鍵詞： LeonardoSpectrum；FPGA；VHDLLeonardoSpectrum 是Mentor Graphics公司設(shè)計的功能強大的EPLD/FPGA/ASIC綜合工具，支持大部分EPLD/FPGA廠商的產(chǎn)品。LeonardoSpectrum支持VHDL、Verilog、EDIF的綜合、優(yōu)化和定時分析，可
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一種近距雷達目標(biāo)檢測信號處理的FPGA實現(xiàn)
- 摘 要： 本文在闡述某種近距雷達目標(biāo)檢測原理和FPGA技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r的基礎(chǔ)上，著重討論用FPGA設(shè)計高性能的數(shù)字信號處理系統(tǒng)的方法，并給出一個應(yīng)用實例。關(guān)鍵詞： FPGA；近距雷達；目標(biāo)檢測；數(shù)字信號處理前言FPGA及其相關(guān)技術(shù)是當(dāng)代微電子技術(shù)迅速發(fā)展的產(chǎn)物，目前已經(jīng)成為開發(fā)復(fù)雜數(shù)字系統(tǒng)的主要方式之一。某近距雷達系統(tǒng)要求利用在與被探測目標(biāo)的短暫交會過程中，對獲得的多普勒信號進行頻譜分析并完成動目標(biāo)的識別檢測。交會的短暫性對信號處理系統(tǒng)的實時性提出了嚴格的要求，在
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精確綜合：下一代FPGA綜合平臺
- 概述 電子系統(tǒng)設(shè)計正在發(fā)生著重要的轉(zhuǎn)變。可編程邏輯器件使設(shè)計者可以開發(fā)具有千萬門以上、頻率超過300MHz以及嵌入式處理器的電路，能夠集成完整的系統(tǒng)。這一技術(shù)進步通過提供ASIC領(lǐng)域之外的全面的方法，正在引起設(shè)計過程的轉(zhuǎn)變。在迅速變化的可編程邏輯領(lǐng)域，EDA提供商面臨的挑戰(zhàn)是，如何提供與硅容量和復(fù)雜性同步的設(shè)計工具和方法。例如，ASIC領(lǐng)域用了15年來合并硅處理和基于可靠的功能性EDA軟件的設(shè)計方法。這種ASIC技術(shù)曾經(jīng)是工業(yè)領(lǐng)域的驅(qū)動力和發(fā)展方向。可以說ASIC處理造就了電子工業(yè)廉價的方案，導(dǎo)
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GPIB接口的FPGA實現(xiàn)
- 電子設(shè)計應(yīng)用2004年第10期摘 要：GPIB接口是測試儀器中常用的接口方式。通過將接口設(shè)計分解為同步狀態(tài)機設(shè)計和寄存器讀寫電路設(shè)計，采用Verilog語言實現(xiàn)了滿足IEEE488.1協(xié)議的IP Core設(shè)計。將此IP Core固化到FPGA芯片中即可實現(xiàn)GPIB各種接口功能。關(guān)鍵詞：GPIB接口；狀態(tài)機；FPGA引言在自動測試領(lǐng)域中，GPIB通用接口是測試儀器常用的接口方式，具有一定的優(yōu)勢。通過GPIB組建自動測試系統(tǒng)方便且費用低廉。而GPIB控制芯片是自動測試系統(tǒng)中
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實現(xiàn)FPGA與PC的串行通信
- 電子設(shè)計應(yīng)用2004年第10期摘 要：本文主要介紹了基于FPGA技術(shù)實現(xiàn)與PC串行通信的過程，給出了各個模塊的具體實現(xiàn)方法，分析了實現(xiàn)結(jié)果，驗證了串行通信的正確性。關(guān)鍵詞：串行通信；FPGA引言串行通信即串行數(shù)據(jù)傳輸，實現(xiàn)FPGA與PC的串行通信在實際中，特別是在FPGA的調(diào)試中有著很重要的應(yīng)用。調(diào)試過程一般是先進行軟件編程仿真，然后將程序下載到芯片中驗證設(shè)計的正確性，目前還沒有更好的工具可以在下載后實時地對FPGA的工作情況和數(shù)據(jù)進行分析。通過串行通信，可以向FPGA
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PWM應(yīng)用中的低電壓反饋
- 2004年6月A版 就低電壓高電流電源應(yīng)用而言，開關(guān)式電源柵極驅(qū)動要求特別重要。由于幾個 MOSFET 器件通常并聯(lián)以滿足特定設(shè)計的高電流規(guī)范要求，因此單一集成電路控制器與驅(qū)動器解決方案就變的不再可行。MOSFET 并聯(lián)可降低漏極到源極的導(dǎo)通電阻，并減少傳導(dǎo)損耗。但是，隨著并聯(lián)器件的增多，柵極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內(nèi)部阻抗大大低于驅(qū)動級，因此與驅(qū)動并聯(lián)組合相關(guān)的大多數(shù)功率損耗，其形式都表現(xiàn)為控制器集成電路的散熱。因此，許多單片解決方案的驅(qū)動級由于并聯(lián)組合的關(guān)系都無法有效地滿足
- 關(guān)鍵字： PWM 模擬IC 電源
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