據(jù)國外媒體報道，據(jù)市場研究公司iSuppli稱，隨著平板電腦日益流行，預計今年平板電腦DRAM內存的需求將大幅增長。
iSuppli稱，平板電腦DRAM內存今年的銷量可能會增至3.533億GB，較2010年的3780萬GB猛增835%。預計2012年的銷量將達到10億GB，而到2014年的時候，平板電腦內存的銷量將超過35億GB。
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平板電腦 內存
彭博社報道，受到內存芯片價格下降、訴訟賠償?shù)碾p重影響，海力士去年四季度利潤大跌83%。
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hynix 內存
據(jù)國外媒體報道，Hynix半導體公司CEO O.C. Kwon近日表示，預計明年電腦內存芯片的價格將持續(xù)下降，同時，公司第四季度的盈利也會因此受到影響。短期來看，全球芯片市場仍表現(xiàn)低迷。
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Hynix 內存
根據(jù) SEMI 發(fā)布的最新全球晶圓廠預測(World Fab Forecast)，預估全球晶圓產(chǎn)能在2010和2011年將分別有8%的成長，而2012年將成長9%;相較于2003~2007年的每年兩位數(shù)成長，SEMI對明后年的預估相對審慎保守。
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晶圓 內存
封測廠包括京元電子、欣銓科技、硅品精密、力成科技、華東科技和福懋科技等陸續(xù)公布10月營收。邏輯IC封測大廠硅品、晶圓測試廠京元電和欣銓科技實績呈現(xiàn)走跌，同時對第4季景氣以持平或下滑看待。而內存封測廠表現(xiàn)較佳，力成、華東和福懋科在DRAM客戶產(chǎn)出增加，第4季接單攀升，10月營收較上月成長，法人預料第4季營收將仍可以成長看待。
硅品10月合并營收為新臺幣50.34億元，比上月減少3.5%，這是下半年以來連續(xù)2個月衰退。硅品董事長林文伯指出，綜合國內外芯片大廠第4季看法，普遍認為會下滑，但對照系統(tǒng)廠樂
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封測 內存 邏輯IC
相變化內存原理分析及設計使用技巧, 相變化內存(Phase Change Memory，PCM)是一項全新的內存技術，目前有多家公司在從事該技術的研發(fā)活動。這項技術集當今揮發(fā)性內存和非揮發(fā)性內存兩大技術之長，為系統(tǒng)工程師提供極具吸引力的技術特性和功能。工程師
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設計 使用技巧 分析 原理 內存 變化
繼Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作開發(fā)新世代內存ReRAM技術和材料，Elpida(爾必達)與Sharp(夏普)亦宣布共同研發(fā)ReRAM，讓次世代內存技術研發(fā)掀起跨領域結盟熱潮。內存業(yè)者預期，未來ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相變化內存)和MRAM(磁性隨機存取內存)等次世代內存，將會有一番激烈競爭。
值得注意的是，海力士與惠普日前才宣布要共同開發(fā)ReRAM技術，惠普具有新的極小電子組件(Memory resistors;Memristors)技術，采用十字結構，相
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內存 ReRAM
根據(jù)近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，盡管重要的PC元件已經(jīng)有很大的成本下降，但是PC的價格仍然是沒有多大變化。根據(jù)調查公司Context的調研數(shù)據(jù)來看，從九月開始電腦內存和 硬件產(chǎn)品已經(jīng)連續(xù)三個月下降，今年六月份是價格達到頂峰的時期。 2010年6月一個1024MB DDR3內存的平均樣本價是21英鎊，但是到了九月份同樣的產(chǎn)品已經(jīng)下降到了17英鎊，下降了多達20%。
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元件 內存 PC
目前模擬、內存與PC芯片等市場，似乎處于淡季狀態(tài)──如果不是真的衰退;那么，半導體產(chǎn)業(yè)究竟是正朝向成長速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退?對此市場研究機構VLSI Research執(zhí)行長G.DanHutcheson認為，以上皆非，芯片產(chǎn)業(yè)在2010年的熱啟動之后，將“回歸正常”。
也就是說，芯片市場會冷卻到某種程度，回到一個更合理的成長周期;但該市場仍有一些值得憂慮的地方──9月份全球芯片銷售額數(shù)字就是一個警訊，可能預示今年剩下的時間與明年，市場表現(xiàn)會不如預期。&ld
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IC 內存
在6月份成功試產(chǎn)63nm工藝內存顆粒后，茂德本計劃將其基于該工藝的晶圓月產(chǎn)能提高到35000片，但是由于新設備的供貨受到延誤，這一計劃只能推遲到2011年了。
茂德稱，到十月份時基于63nm工藝的晶圓產(chǎn)能將達到10000片，到年底時預計晶圓產(chǎn)能在20000-25000片。
72nm現(xiàn)在是茂德的主要處理工藝，按照之前計劃，他們要在2010年底時將該工藝半數(shù)多的產(chǎn)能轉化到63nm。茂德12寸晶圓廠現(xiàn)在的月產(chǎn)能在6萬片。
受到不斷下滑的DRAM顆粒價格下滑的影響，茂德9月份收入環(huán)比下降7.
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茂德 內存 63nm
據(jù)HKEPC網(wǎng)站報道，市調機構DRAMeXchange指出， 9月份下半DRAM顆粒合約價持續(xù)下調， DDR3 1Gb顆粒均價趺破2美元關口， DDR3 2GB模塊合約價亦由36美元下調至34美元，跌幅約為5.5% ，而低位更曾經(jīng)下試33美元新低水平，第三季度DDR3模塊合約價下跌約2.3% ，創(chuàng)下至去年年中減產(chǎn)后單季最大跌幅，不僅DDR3內存DDR2合約價亦緊貼DDR3合約價下跌， DDR2 2GB模塊合約均價約為33美元水平，跌幅約為6% 。
現(xiàn)貨市場方面，由于廣州亞運將于11月舉辦，大陸方
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內存 DRAM
目前模擬、內存與PC芯片等市場，似乎處于淡季狀態(tài)──如果不是真的衰退;那么，半導體產(chǎn)業(yè)究竟是正朝向成長速度趨緩、停滯，抑或是又一次恐怖的衰退?對此市場研究機構VLSI Research執(zhí)行長G. Dan Hutcheson認為，以上皆非，芯片產(chǎn)業(yè)在2010年的熱啟動之后，將「回歸正常」。
也就是說，芯片市場會冷卻到某種程度，回到一個更合理的成長周期;但該市場仍有一些值得憂慮的地方──9月份全球芯片銷售額數(shù)字就是一個警訊，可能預示今年剩下的時間與明年，市場表現(xiàn)會不如預期。「有一個說法“
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半導體 內存
據(jù)iSuppli市調公司發(fā)布的調查報告顯示，內存業(yè)界生產(chǎn)DRAM芯片的平均制造成本出現(xiàn)了四年以來的首次正增長，不過據(jù)iSuppli公司分析，芯片 制造成本正增長的局面有望在數(shù)個季度之內有所緩解。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年第二季度內存芯片的制造成本從上一季度的2美元/GB提升到了2.03美元 /GB，盡管提升的幅度僅有1.2%，但這是四年以來的首次成本正增長，相比之下，2005年至今的制造成本提升幅度則平均僅-9.2%。
據(jù)分析，造成內存芯片制造成本攀升的原因主要是芯片制造的復雜度和技術要求越來越
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芯片 內存 DRAM
DSP芯片TMS320C6712的外部內存自引導功能的實現(xiàn),TMS320C6000系列與TMS320C54系列的引導方式有很大差別。在開發(fā)應用TMS320C6000系列DSP時，許多開發(fā)者，尤其是初涉及者對DSP ROM引導的實現(xiàn)有些困難，花費許多時間和精力摸索。筆者結合開發(fā)實例，介紹了實現(xiàn)外部存儲器
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引導 功能 實現(xiàn) 內存 外部 芯片 TMS320C6712 DSP
據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli 15日表示，由于爾必達公司和南亞科技股份有限公司生產(chǎn)費用出現(xiàn)增長，電腦內存芯片的生產(chǎn)成本近4年來首次上升。
美國加州的市場研究公司iSuppli周二的調查報告顯示，動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)內存芯片的平均生產(chǎn)成本從第一季度的每G內存2美元上升到了第二季度的2.03美元，而上一次內存芯片制造成本的上升發(fā)生在2006年的第三季度。
爾必達公司和南亞科技股份有限公司分別是全球第三和第五大芯片制造商。iSuppli表示，南亞科技股份有限公司在采用新的
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