- 在晶圓代工領域，三星與臺積電是純粹的競爭關系，但在存儲芯片市場，作為行業霸主，三星卻不得不尋求與臺積電深入合作，這都是英偉達惹的禍。據 DigiTimes 報道，三星 HBM3E 內存尚未通過英偉達的測試，仍需要進一步驗證，這是因為卡在了臺積電的審批環節。作為英偉達 AI GPU 芯片的制造和封裝廠，臺積電是英偉達驗證環節的重要參與者。據悉，臺積電采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 產品設定的檢測標準，而三星的 HBM3E 產品在制造工藝上有些差異，例如，SK 海力士芯片封裝環節采用了 MR-MUF
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- 三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。 &n
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- 當地時間11月13日，英偉達（NVIDIA）宣布推出NVIDIA HGX? H200，旨為世界領先的AI計算平臺提供強大動力，將于2024年第二季度開始在全球系統制造商和云服務提供商處提供。H200輸出速度約H100的兩倍據介紹，NVIDIA H200是基于NVIDIA Hopper?架構，配備具有高級內存的NVIDIA H200 Tensor Core GPU，可處理海量數據，用于生成式AI和高性能計算工作負載。圖片來源：英偉達與H100相比，NVIDIA H200對Llama2模型的推理速度幾乎翻倍。
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- 今年8月，SK海力士宣布開發出了全球最高規格的HBM3E內存，并將從明年上半年開始投入量產，目前已經開始向客戶提供樣品進行性能驗證。據MT.co.kr報道，繼第4代產品HBM3之后，SK海力士將向英偉達獨家供應第五代高帶寬內存HBM3E，此舉有望進一步鞏固其作為AI半導體公司的地位。據半導體業界15日消息，SK海力士將于明年初向英偉達提供滿足量產質量要求的HBM3E內存，并開展最終的資格測試。一位半導體行業高管表示，“沒有HBM3E，英偉達就無法銷售B100”，“一旦質量達到要求，合同就只是時間問題。”據
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- 三星電子日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發HBM4，目標2025年供貨。據韓媒，三星電子副總裁兼內存業務部DRAM開發主管Sangjun Hwang日前表示，計劃開始提供HBM3E樣品，正在開發HBM4，目標2025年供貨。他透露，三星電子還準備針對高溫熱特性優化的NCF（非導電粘合膜）組裝技術和HCB（混合鍵合）技術，以應用于該產品。此外，三星還計劃提供尖端的定制交鑰匙封裝服務，公司今年年初為此成立了AVP(高級封裝)業務團隊，以加強尖端封裝技術并最大限度地發揮業務部門之間的協同作用。
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- 6 月 18 日消息，據 businesskorea 以及 etnews 報道，SK 海力士將擴展其 HBM3 后道工藝生產線，并已收到英偉達要求其送測 HBM3E 樣品的請求據稱，考慮到對人工智能 (AI) 半導體的需求增加，S 海力士正在考慮將 HBM 的產能翻倍的計劃。業內消息稱 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 對 HBM3E 樣品的請求，并正在準備發貨。HBM3E 是當前可用的最高規格 DRAM HBM3 的下一代，被譽為是第五代半導體產品。SK 海力士目前正致力于開發該產品
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