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igbt fs7 文章 最新資訊

基于IGBT光伏發電逆變電路的設計

  • 摘要:為滿足高壓大容量逆變系統的要求,設計采用絕緣柵雙極晶體管IGBT組成逆變電路的光伏發電系統。通過對太陽能光伏發電原理的簡單了解,比較場效應管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構成的逆變電路,針對IGBT構成的
  • 關鍵字: 電路  設計  逆變  發電  IGBT  基于  

IGBT整流器功率因數控制方法及CT損壞對整流器的影響

  • 1 引言  日立igbt整流器是一種電壓型pwm整流器,具有能量雙向流動、恒定直流電壓控制,以及高功率因數控制(cosphi;asymp;1.0)等特點。使用該類型整流器除了實現高功率因數節省電能外,還能夠減少電網諧波,省去
  • 關鍵字: 整流器  CT  損壞  影響  方法  控制  功率  因數  IGBT  

優化高電壓IGBT實現高效率太陽能逆變器制作

  • 隨著綠色電力運動勢頭不減,包括家電、照明和電動工具等應用,以至其他工業用設備都在盡可能地利用太陽能的優點...
  • 關鍵字: 高電壓  IGBT  太陽能  逆變器  

一種內置隔離電源的混合集成IGBT驅動器

  • 1 引言  igbt(isolated gate bipolartransistor),即絕緣柵型雙極性晶體管具有優越的低飽和壓降,較高的電壓和較大的電流輸出等特點,在功率電子相關產業得到更為廣泛的應用和關注。為了使igbt在大功率系統發揮更
  • 關鍵字: IGBT  驅動器  集成  混合  隔離  電源  內置  

應用于工業牽引的軟穿通IGBT技術的大功率模塊

  • 1 引言  隨著軟穿通igbt技術的引入,產生了igbt設計上和特性上的新標準,特別適用于中等功率的市場。將傳統的npt(非穿通型)igbt的高強度和低損耗兩個特點相結合,已經使spt-igbt成為1200v-1700v電壓范圍的標準產
  • 關鍵字: 大功率  模塊  技術  IGBT  工業  牽引  應用  

什么是igbt

  • 什么是igbtIGBT就是大功率絕緣柵型場效應管 ,在大功率電源上或變頻器上廣泛使用.1.IGBT的基本結構絕緣柵 ...
  • 關鍵字: igbt  

IGBT在電磁爐應用研究

  • 本文先介紹IGBT在電磁爐的應用,分析電磁爐的各種控制電路,根據IGBT在電磁爐最普遍的應用方式,分析IGBT可能會出現故障的原因,提出IGBT在電磁爐應用過程中應注意的事項,提高IGBT的可靠性,從而達到提高電磁爐的安全可靠性的目的。
  • 關鍵字: 電磁爐  控制電路  IGBT  201201  

逆變H橋IGBT單管驅動+保護詳解

  • 這幾天沉下心來專門給逆變器的后級,也就是大家熟悉的H橋電路換上了IGBT管子,用來深入了解相關的特性。大家都知道,IGBT單管相當的脆弱,同樣電流容量的IGBT單管,比同樣電流容量的MOSFET脆弱多了,也就是說,在逆變
  • 關鍵字: 保護  詳解  驅動  單管  IGBT  逆變  

中頻電阻焊機電源的IGBT保護

  • 引言  電阻焊是一種重要的焊接工藝,具有生產效率高、成本低、節省材料和易于自動化等特點。IGBT是一種用MOS管來控制晶體管的電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點。本文從實際應用出發,總
  • 關鍵字: IGBT  保護  電源  焊機  電阻  中頻  

IGBT 驅動器提供可靠保護

功率器件IGBT在不間斷電源(UPS)中的應用

  • 1. 引言
      
    在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT,IGBT 既有功率MOSFET 易于驅動,控制簡單、開關頻率高的優點,又有功率晶體管的導通電壓低,通態電流大的優點、使用IGBT 成為
  • 關鍵字: UPS  應用  電源  間斷  器件  IGBT  功率  

IGBT安全工作區的物理概念和超安全工作區工作的失效機理

  • 摘要:本文闡述了各安全工作區的物理概念和超安全工作區工作的失效機理。討論了短路持續時間Tsc和柵壓Vg、集電極—發射極導通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關系。關鍵詞:安全工作區 失效機理 短路電流Tsc1、
  • 關鍵字: 安全  工作區  失效  機理  工作  物理  IGBT  概念  

基于IGBT器件的大功率DC/DC電源并聯技術研究

  • 中心議題: 大功率直流電源的拓撲結構 大功率直流電源的控制方案 電源的數據傳輸拓撲結構
    本文基于IGBT器件,利用DC/DC電源并聯技術設計大功率直流電源。該電源可用作EAST托卡馬克裝置中的大功率垂直位移快
  • 關鍵字: 電源  技術  研究  DC/DC  大功率  IGBT  器件  基于  

IGBT及其子器件的四種失效模式比較

  • 摘要:本文通過案例和實驗,概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關鍵字: 模式  比較  失效  器件  及其  IGBT  

IGBT及其子器件的四種失效模式介紹

  • IGBT及其子器件的四種失效模式介紹,本文通過案例和實驗,概述了四種IGBT及其子器件的失效模式:MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。

    關鍵詞:柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融

  • 關鍵字: 模式  介紹  失效  器件  及其  IGBT  
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