基于變換采樣的超寬帶接收機設計, 在高精度UWB定位系統中，目標信號是超短脈寬的脈沖，有很寬的帶寬，為了對這種寬帶信號進行處理，我們要求如下兩個條件。1)設計應該實現超高的采樣率。對于UWB定位系統，恢復較好的脈沖波形以獲得較高時間分辨率信息
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變換采樣 FPGA 可編程延時芯片 ADC UWB 接收機
全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International R
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LED 驅動 IR IC
本文提出的是一種基于平面型EBG (Electromagnetic Bandgap)結構的創新型結構，對于同步開關噪聲(Simultaneous Switching Noise, SSN)的抑制有更優秀的特性。我們設計的這款新型EBG結構，是在周期性L-bridge EBG結構的基礎上，在一些單元內插小型的L-bridge EBG。通過仿真驗證，此結構具有傳統型L-bridge EBG結構所不具有的超帶寬抑制能力和較大的抑制深度。然后我們運用電路模型和平行板諧振腔原理分析了該結構上下變頻。另外，通過3-D
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EBG SSN 電源完整性 IR-Drop 201607
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯電池的電池保護電路。IRL6297SD
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IR MOSFET IRL6297SD
D類音頻放大器可以在90%左右的效率水平下運行，讓設計者能夠利用小型散熱器或者無需散熱器即可提供極高的音頻輸出。它已逐漸成為高端家用A/V設備以及移動設備的首選拓撲，能夠幫助設計者實現高性能與小尺寸組合，而這正是全世界用戶所期望和需要的。
現在，高集成度D類放大器件，包括單個封裝內的整個放大器模塊的出現讓企業能夠更快地將價格極具競爭力的新產品推向市場，并且其音頻性能達到或者超過了傳統的模擬放大器。因此，D類音頻放大器近十年來市場突飛猛進，年復合增長率遠遠高于應用特殊型音頻器件。
D
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IR D類放大器
全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應用，包括泵電機控制和車身控制等。 使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術的全新器件系列的首款產品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
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IR MOSFET COOLiRFET
球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關應用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能，從而實現較低的導通損耗和更理想的系統效率。這款大罐式產品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
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IR MOSFET DirectFET
國際整流器(IR)推出第二代(Gen2)IRAM系統級封裝(System-In-Package,SIP)節能智慧型功率模組(IntelligentPowerModule)系列，有效縮小及簡化空調、風扇、壓縮機和洗衣機等家電馬達驅動應用的設計。
IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示，要超越IR上一代IRAM產品所建立的行業標準基準并非易事，全新IRAMGen2平臺能夠利用下一代IRAM系統級封裝智慧型功率模組的先進技術，通過改善熱效能及減少電磁雜訊，以滿足市場對更高效家電應用馬達驅動器與日俱增的需求
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IR 驅動器設計
摘要 提出了一種新型雙陷波特性的超寬帶單極子天線。通過在介質基板上添加錐形輻射貼片，天線可以覆蓋超寬帶通信頻段。在輻射貼片上引入上、下兩個錐形縫隙結構，可以實現3.5 GHz、5.5 GHz的雙陷波特性。天線實測模型電壓駐波比<2的阻抗帶寬是2.56～10.61GHz，其中3.18～3.76 GHz和4.4～5.75 GHz具有陷波特性。測試表明，天線在工作頻帶內具有全向輻射特性。
20世紀90年代，超寬帶技術已經應用于軍事領域。隨著短距離無線通信的發展，2002年美國聯邦通信委員會劃分3.1～1
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天線 UWB
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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對數周期天線 印刷天線 非交叉饋電 UWB
國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?近日推出60V器件以擴充StrongIRFET?MOSFET系列，適合多種工業應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側同步整流等。 全新60V?StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應用性能的超低導通電阻?(RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以及有助于提高噪聲免疫力的3V典型臨界
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IR StrongIRFET MOSFET
??? 全球功率半導體和管理方案領導廠商?-?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)推出全新D類音頻芯片組，內含IRS20965數字音頻驅動器IC，可提供受保護的脈沖寬度調制?(PWM)?開關和完整的音頻MOSFET?，旨在為高性能D類音頻放大器產品作出優化。 IRS20965具有高側和低側獨立浮動脈沖寬度調制輸入，能夠從外部的脈沖寬度調制控制器進行死區時間控制。新I
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IR PWM IRS20965 音頻
全球功率半導體和管理方案領導廠商?–?國際整流器公司擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR?L6283M?20V?DirectFET是該系列的重點器件，具有極低的導通電阻?(RDS(on))。 IRL6283M采用超薄的30?mm2中罐式DirectFET封裝，導通電阻典型值只有500μΩ，可大幅降低傳導損耗，因而非常適合動態ORing和電子保險絲?(eFuse)?
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IR StrongIRFET IRL6283M
全球功率半導體和管理方案領導廠商?–?國際整流器公司?(International?Rectifier，簡稱IR)?推出新一代電源管理總線?(PMBus)?驅動的多功能CHiL數字脈沖寬度調制?(PWM)?控制器，和集成式PowIRstage解決方案，可在多種中端到高端服務器、桌面和運算應用內大幅提升效率、縮減電路板空間及減少部件數量。 IR全新的數字控制器符合Intel?VR12和VR12.5的規格
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IR PMBus CHiL PWM
福祿克公司旗下Raytek?品牌，?紅外(IR)測溫技術的世界領先供應商，已對其用于水泥窯的CS210過程成像系統的功能進行了擴展，增加了可選的可集成至系統軟件的3D視圖和耐火材料管理數據庫模塊。這種增強的窯體掃描系統通過持續監測回轉窯來探測耐火材料損失、損壞和損耗導致的熱點，從而使得水泥制造商可以避免代價高昂的窯體損壞和意外停工。 利用現已支持多達4臺掃描儀的CS210紅外線(IR)掃描解決方案，水泥廠經營者可確定回轉窯耐熱材料的有效性，檢測失效的耐火磚，從而采取相應的措施，防止更大的損
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福祿克 IR CS
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