- 日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴，近期傳出在日本官方作媒下，正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。
近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協商，且日本政府扮演關鍵要角。內存業者透露，東芝在發展行動裝置上，需要與爾必達Mobile RAM結合，才能打敗美韓陣營，雙方確實有接觸洽談整合事宜，但東芝對于重返DRAM領域意愿不高，另外，日本政府亦認為，DRAM市場雖萎縮，但技術必須傳承，有意促使兩大半導體廠整合。
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東芝 NAND
- 力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量，以最低的產能維持DRAM的技術發展，并于明年起全數轉入30nm 4Gb生產，而空出的產能將會以NAND FLASH填補，后續技術發展的重點也轉移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來，力晶仍會保留DRAM技術，待3D-IC以及TSV的技術成熟時，將會以記憶體為中心做芯片組的整合，力圖成為大中華地區各技術領域最完整之晶圓廠。
隨著力晶正式宣布將產能逐步擴大至Flash產品上，加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產品，希望明年標準
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力晶 NAND
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調查，因為隨身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色，而高容量產品也因為智能型手機與平板計算機銷售不如預期而下滑，終端產品銷售不佳導致供貨商回補庫存力道疲弱，連帶影響合約價格面臨下滑的壓力，10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。
展望NAND Flash后市，集邦科技認為，雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應使得SSD產品詢問度頓時增加，但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機種認證程序尚需2-3個月等問題，因此，預
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NAND SSD
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調查，隨著部份系統產品客戶自9月起，已開始準備4Q11新機型上市所需的庫存回補所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價大致維持平盤，雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡，但也已呈現止跌回穩的狀況。
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集邦科 NAND 記憶卡
- 根據集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調查，市場預期 NAND Flash 部份系統產品客戶為因應新產品上市庫存回補需求，9月份可望逐漸開始回溫。因此，8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現持平，但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟，所以128Gb TLC合約均價格仍然下跌5%。此外，部份供貨商已將部份32Gb MLC的產量轉為生產64Gb MLC，故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價小漲約3%。
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ultrabook NAND
- 據IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。
根據最終數據，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產商，僅次于韓國三星電子。
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IHS iSuppli NAND
- 據IHS iSuppli公司的閃存市場報告，由于一家大型廠商的銷售額下降，第二季度NAND閃存市場意外下滑。
根據最終數據，第二季度全球NAND銷售額為47億美元，比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期，主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產商，僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降，拖累了整體市場，如表1所示。
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三星 NAND
- 受到諸多全球總體經濟復蘇的不確定變數干擾，2011部份的NAND Flash終端應用產品出貨量將不如預期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。
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閃存芯片 NAND
- 在日前的一場閃存高峰會中，SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出，下一代光刻技術的延遲，將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲，閃存的成長可能需要再評估。
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SanDisk NAND
- 全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說，由于PC市場不景氣，美國和歐洲等經濟體持續動蕩以及日元強勢等原因，該公司芯片業務的利潤可能達不到預期。
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東芝 芯片 NAND
- 據韓國電子新聞報導，計算機用DRAM芯片價格快速下跌，NAND Flash合約價也從6月起出現陡峭跌幅，2個月內出現2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續問世，可望帶動NAND Flash價格回升。
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NAND DRAM芯片
- 隨著存儲器容量越來越大，NANDFlash產業制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續發展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發。
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三星 存儲器 NAND
- 隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產業制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續發展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發。
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爾必達 NAND
- 內存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主機和手持設備上的密集度仍將提高 40% 以上，而這是游戲最主要的游戲環境。
今年家用游戲主機的 NAND 平均密度預計達 923MB，較去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戲設備的 NAND 平均密度則預計自去年的 87MB 增長 41.4%，達 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技術，用于為 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于閃存的高速緩存保護功能。MegaRAID CacheVault 采用固態 NAND 閃存，能夠在電源發生故障的時候自動將高速緩存中的數據轉移到閃存中，從而為存儲在 RAID 控制器緩存中的數據提供強大的保護。CacheVault 技術避免了采用鋰離子電池的麻煩，并可節約相關的硬件維護成本，從而實現更環保、總體成本更低的高速緩存保護解決方案。
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LSI NAND
mlc nand介紹
MLC NAND
目錄
1定義
2MLC芯片特點
3與SLC對比
1定義
MLC 全稱為Multi-Level Cell，多層單元閃存，MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較高。
一般廠家宣稱可以保證得擦除次數是3，000次 。這一點與SLC得100，000的擦除次數有不小的差異。
2MLC芯片特點
1、傳輸速率 [
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