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45nm用或不用都是個(gè)問(wèn)題

　　與其說(shuō)45nm剛剛走到我們面前，不如說(shuō)我們已經(jīng)可以準(zhǔn)備迎接32nm工藝時(shí)代，因?yàn)閾?jù)三星存儲(chǔ)合作伙伴透露，今年底或明年初三星將開(kāi)始試產(chǎn)30nm工藝半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片，其閃存芯片更是早于Intel邁向了50nm量產(chǎn)階段。無(wú)疑，我們只不過(guò)在Intel強(qiáng)大的宣傳攻勢(shì)下，認(rèn)為似乎CPU才是所有半導(dǎo)體的制程工藝的領(lǐng)先者，但也許再向下Intel也會(huì)感到有些力不從心。　　當(dāng)然，我們今天討論的重點(diǎn)不是誰(shuí)的制程工藝更先進(jìn)，而是要討論45nm究竟該不該采用，亦或準(zhǔn)確的說(shuō)是要不要采用的問(wèn)題。　　從技術(shù)的角度來(lái)說(shuō)，45
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體制程 45nm 工藝晶圓成本芯片

　　近期全球二線晶圓廠紛搶進(jìn)0.13微米以下先進(jìn)工藝，包括馬來(lái)西亞晶圓代工廠Silterra、以色列晶圓廠寶塔半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)分別宣布，計(jì)劃以募資、借貸方式來(lái)擴(kuò)充先進(jìn)工藝產(chǎn)能，未來(lái)隨著二線晶圓廠紛跳脫成熟工藝藩籬、邁入先進(jìn)工藝，不僅恐造成先進(jìn)工藝價(jià)格雪上加霜，并將讓0.13微米、90納米工藝不再是一線晶圓廠獨(dú)霸天下，甚至得重新改寫(xiě)“先進(jìn)工藝”定義。　　目前90納米、0.13微米工藝由臺(tái)灣晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電稱(chēng)霸，其中，臺(tái)積電90納米、0.13微米工藝各占營(yíng)收比重達(dá)2
關(guān)鍵字：晶圓廠工藝其他IC 制程

101 LATCH UP 栓鎖效應(yīng) 當(dāng)VLSI線路密度增加，Latch-Up之故障模式于MOS VLSI中將愈來(lái)愈嚴(yán)重，且僅發(fā)生于 CMOS電路，所有COMS電路西寄生晶體管所引起的LATCH-UP問(wèn)題稱(chēng)之為SCR (SILICON-CONYROLLED RECTIFIER）LATCH-UP，在S1基體內(nèi)CMOS中形成兩個(gè)雙截子晶體管P-N-P-N形式的路徑，有如一個(gè)垂直的P+-N-P與一個(gè)水平N+-P-N晶體管組合形成于CMOS反向器，如果電壓降過(guò)大或受到外界電壓、電流或光的觸發(fā)時(shí)，將造成兩個(gè)晶體管互相
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151 RESOLUTION 解析力 1. 定義：解析力在IC制程的對(duì)準(zhǔn)及印刷（Align & Print）過(guò)程中站著相當(dāng)重要的地位，尤其演進(jìn)到VLSI后，解析力的要求就更高了。它是對(duì)光學(xué)系統(tǒng)（如對(duì)準(zhǔn)機(jī)、顯微鏡、望遠(yuǎn)鏡等）好壞的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)之一，現(xiàn)今多以法國(guó)人雷萊（Rayleigh）所制定的標(biāo)準(zhǔn)遵循之。物面上兩光點(diǎn)經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)頭于成像面上不會(huì)模糊到只被看成一點(diǎn)時(shí)，物面上兩點(diǎn)間之最短距離。若此距離越小，則解析力越大。（通常鏡面大者，即NA大者，其解析力也越大）解析力不佳時(shí)，例如對(duì)準(zhǔn)機(jī)對(duì)焦不清時(shí)，就會(huì)造成C
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1 Active Area 主動(dòng)區(qū)（工作區(qū)）主動(dòng)晶體管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的區(qū)域即所謂的主動(dòng)區(qū)（ACTIVE AREA）。在標(biāo)準(zhǔn)之MOS制造過(guò)程中ACTIVE AREA是由一層氮化硅光罩即等接氮化硅蝕刻之后的局部場(chǎng)區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場(chǎng)氧化之步驟，所以ACTIVE AREA會(huì)受到鳥(niǎo)嘴（BIRD’S BEAK）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來(lái)的小，以長(zhǎng)0.6UM之場(chǎng)區(qū)氧化而言，大概會(huì)有0.5UM之BIRD’S BEAK存在，也就是說(shuō)ACTIVE AREA比原在之
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51 DRAM , SRAM 動(dòng)態(tài),靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存隨機(jī)存取記憶器可分動(dòng)態(tài)及靜態(tài)兩種，主要之差異在于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM），在一段時(shí)間（一般是0.5ms～5ms）后，資料會(huì)消失，故必須在資料未消失前讀取元資料再重寫(xiě)（refresh），此為其最大缺點(diǎn)，此外速度較慢也是其缺點(diǎn)，而DRAM之最大好處為，其每一記憶單元（bit）指需一個(gè)Transistor（晶體管）加一個(gè)Capacitor（電容器），故最省面積，而有最高之密度。而SRAM則有不需重寫(xiě)、速度快之優(yōu)點(diǎn)，但是密度低，每一記憶單元（bit）有兩類(lèi)
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　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，針對(duì)英特爾公司在中國(guó)的芯片工廠獲得批準(zhǔn)的傳言，全球第一大芯片代工巨頭臺(tái)積電公司的董事長(zhǎng)張忠謀日前對(duì)媒體表示，臺(tái)灣地區(qū)行政機(jī)構(gòu)應(yīng)該加速對(duì)大陸地區(qū)開(kāi)放半導(dǎo)體先進(jìn)工藝，否則臺(tái)灣廠商在內(nèi)地將處于落后境地。　　去年年底，臺(tái)灣行政機(jī)構(gòu)剛剛批準(zhǔn)了島內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)向大陸地區(qū)輸出0.18微米線寬的8英寸芯片生產(chǎn)工藝。　　英特爾公司目前沒(méi)有對(duì)在中國(guó)的芯片工廠進(jìn)行證實(shí)，根據(jù)傳言，這座芯片廠將采用90納米工藝，位于中國(guó)北方的大連。90納米工藝已經(jīng)比臺(tái)灣廠商獲準(zhǔn)在大陸使用的180納米工藝(即0.18微
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ARM發(fā)布首款可即量產(chǎn)的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲(chǔ)器接口IP Velocity DDR存儲(chǔ)器接口獲得TSMC IP質(zhì)量認(rèn)證 ARM公司發(fā)布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存儲(chǔ)器接口，支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲(chǔ)器接口是第一個(gè)通過(guò)TSMC IP質(zhì)量安全測(cè)試的9
關(guān)鍵字： 90 ARM DDR1 DDR2 IP TSMC 存儲(chǔ)器單片機(jī) 工藝接口納米嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器