nand flash 文章最新資訊

三星DRAM芯片停止對臺供貨

　　三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營團隊上任，營運策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應(yīng)臺灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。　　存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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NAND Flash強勢不墜　模塊廠9月營收將再寫新高

　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內(nèi)嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預(yù)計可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預(yù)計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預(yù)估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。　　NAND Flash現(xiàn)貨
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數(shù)據(jù)中心和企業(yè)IT需求將推動SSD增長六倍

　　據(jù)iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(SSD)銷售因為內(nèi)存價格飛漲而受挫，但企業(yè)市場對彌補上述領(lǐng)域的疲軟表現(xiàn)是綽綽有余，從而推動今年整體SSD 市場的營業(yè)收入將增長六倍。　　第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價格跳漲，使其與硬盤驅(qū)動器(HDD)相比缺乏競爭力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關(guān)鍵部分，約占其價值的90%。然而，對于尋求擴展功能和降低整體功耗的企業(yè)數(shù)據(jù)中心來說，SSD 仍然是一個具有吸引力的選擇。　　由于企業(yè)
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IC資本支出依然謹慎供應(yīng)收緊價格上漲

　　分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應(yīng)收緊，價格可能隨之上漲，但可能會發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。　　IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導(dǎo)體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴重衰退后，對資本投入依然比較謹慎。　　“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說道，“我們從來沒有遇到過這種情況。” 　　資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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東芝Sandisk計劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片

　　據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達到20萬片的產(chǎn)能水平。　　東芝公司最近已經(jīng)開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達到總產(chǎn)量的50%左右，不過按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來看，實際的量產(chǎn)實施時間看來已經(jīng)會有所拖延。　　另一方面，對手In
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NAND Flash缺貨潮11月前無解　大廠產(chǎn)能全被包下

　　蘋果意外在9月初向NAND Flash大廠下訂單，導(dǎo)致NAND Flash供給大幅吃緊，預(yù)計在2009年11月底之前，缺貨情況仍無解。現(xiàn)在三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)產(chǎn)能都被蘋果包下來，另外存儲器模塊龍頭大廠金士頓(Kingston)則是包下英特爾70%的NAND Flash產(chǎn)能，雙方成為長期合作伙伴，顯示未來全球4大NAND Flash廠能釋出的產(chǎn)能相當(dāng)少，缺貨潮將延燒到11月。　　存儲器業(yè)者表示，這次NAND Flash缺貨潮相
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DRAM廠和模塊廠誤判情勢　DDR2供貨吃緊

　　2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢，導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫存過低，南亞科副總白培霖即指出，DDR2在10月之后，缺貨問題將更明顯浮上臺面，且由合約價蔓延至現(xiàn)貨價，屆時1Gb DDR2現(xiàn)貨價格將看到2美元。　　近期市場傳言，三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
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手機內(nèi)建NAND Flash風(fēng)潮

　　手機搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費者對于利用手機下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對于記憶體容量的需求更是越來越高。　　過去只流行數(shù)位相片的時代，NAND Flash容量可能只要1GB或2GB即相當(dāng)夠用，但數(shù)位影片的風(fēng)氣盛行后，這樣的低容量產(chǎn)品已無法滿足消費者的需求，因此除了外接快閃記憶卡之外，內(nèi)建NAND Flash記憶體的風(fēng)潮已開始發(fā)酵，從最早內(nèi)建4GB和8GB容量記憶體，現(xiàn)在內(nèi)建記憶體容量已提升至16GB和32GB。　
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全球IC市場V形反彈已啟動增長勢頭將延續(xù)至2011年

　　市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。　　從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。　　爆炸式的增長率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場業(yè)績達到此輪衰退的最低點有關(guān)。　　“IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會是緩慢的，而是V形增長，目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
關(guān)鍵字： DRAM NAND MPU 模擬電路

三星NAND Flash供貨臺廠銳減50%

　　近日三星電子(Samsung Electronics)緊急通知臺系存儲器模塊廠，9月對于臺廠NAND Flash供貨量將銳減50%，迫使部分存儲器模塊廠大老板緊急前往韓國調(diào)貨;無獨有偶地，美光(Micron)日前亦告知客戶無貨可供應(yīng)，加上原本供貨量有限的東芝(Toshiba)和海力士(Hynix)，目前NAND Flash產(chǎn)能呈現(xiàn)嚴重不足。存儲器業(yè)者透露，主要是蘋果(Apple)iPhone和iPod不斷追加訂單，加上手機大廠內(nèi)建NAND Flash容量倍增，使得NAND Flash產(chǎn)能幾乎被消費性大
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存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

　　DRAM價格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現(xiàn)在蘋果(Apple)強勁追加NAND Flash訂單，且隨著智能型手機價格平民化的趨勢，未來內(nèi)建高容量存儲器普及，都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場前景，三星在喜迎蘋果大單之余，也無暇與臺系DRAM廠廝殺，暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。　　2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
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Flash M25P64驅(qū)動開發(fā)與應(yīng)用

M25P64是一款8 M字節(jié)串行Flash存儲器。利用其諸多特性可為大容量數(shù)據(jù)存儲提供一種解決方案。介紹了M25P64的主要特點，工作原理，驅(qū)動程序的開發(fā)以及典型應(yīng)用實例。在其典型應(yīng)用實例中，基于SPI接口的數(shù)據(jù)存儲
系統(tǒng)能簡單有效穩(wěn)定運行。
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基于CCS的DSP片外Flash直接燒寫設(shè)計

要可靠啟動DSP系統(tǒng)中用戶代碼，關(guān)鍵是Flash正確可靠燒寫。提出了一種基于CCS簡單、容易理解的直接燒寫方法。通過恰當(dāng)設(shè)置COFF代碼段，保存運行地址必需的DATA，以在線編程的方式將保存的DATA燒寫到外部Flash中。采用TMS320C6711 DSP試驗板，對Flash燒寫上電加載后，DSP能夠正確、穩(wěn)定的運行。給出了直接燒寫方法，操作簡便，容易掌握，為DSP系統(tǒng)中Flash的燒寫提供了一條有效解決途徑。
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美光或收購Numonyx Intel脫離NAND市場？

　　根據(jù)國外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會收購英特爾投資的NOR閃存制造商Numonyx。　　這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進入NOR閃存業(yè)務(wù)，并獲得Numonyx的phase-change memory技術(shù)。　　Numonyx是英特爾的合資公司，英特爾擁有其45%的股份，意法半導(dǎo)體持股49%。金融服務(wù)公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立時投資了1.5億美元。閃存業(yè)務(wù)對英特爾和意法半導(dǎo)
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三星電子計劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓

　　韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。　　報導(dǎo)指出，三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM，加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn)，故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后，三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。　　彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報導(dǎo)指
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]