nand flash 文章最新資訊

基于FPGA的高速大容量FLASH存儲

基于FPGA的高速大容量FLASH存儲,1、引言
數字電路應用越來越廣泛，傳統通用的數字集成芯片已經難以滿足系統的功能要求，隨著系統復雜程度的提高，所需通用集成電路的數量呈爆炸性增值，使得電路的體積膨大，可靠性難以保證 [1]。因而出現了現場可編
關鍵字： FLASH 存儲大容量高速 FPGA 基于

R8C/1B單片機的Flash編程/擦除掛起功能

　　Flash存儲器已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。但是在對Flash進行編程或擦除的操作過程中，如果單片機需要處理一些緊急的情況(如中斷、數據存儲等等)，就需要暫停相對比較消耗時間的Flash編程/擦寫過程，優先處理這些緊急情況。這對Flash存儲器的工藝水平及控制技術提出了更高的要求。　　瑞薩公司推出的R8C/1B單片機采用改進的Flash存儲器工藝，大大縮短了編程/擦除掛起的時間，使其能夠更加及時地響應中斷或進行其他操作。　　Flash編程/擦除掛起功能　　所謂掛起功能，是
關鍵字：瑞薩 R8C Flash

東芝大砍6成芯片支出轉加強電力及基礎建設

　　8月6日消息，日本芯片制造業龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業務資本支出增長將減緩，并尋求擴張核能發電及智能型電網業務，3年后其電力及基礎建設業務的獲利，將達電子產品部的2倍。　　東芝的半導體部門已連續3季出現營業虧損，使其減緩該部門支出，并在其它領域尋求固定營收來源，例如健康醫療及水處理等。　　東芝目前預期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產品部門于2012年3月底結束的會計年度，獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時社會基礎建設業務獲利則可達2000億
關鍵字：東芝 NAND 晶圓

半導體產業既樂觀又擔憂的7個理由

　　盡管最近市場調研公司VLSI仍不修正半導體業陰沉的預測，即09年全球設備市場下降44.2%及半導體市場下降12.4%，而其CEO Hutcheson對于IC工業仍非常樂觀。　　根據與Hutcheson的對話及公司的最新報告，以下將結論刊出，共有4個正面意見及2個負面看法。以下是為什么分析師呈現樂觀或者擔心的原因。　　1. 看到回升　　7月的周報IC銷售額上升到33億美元，打破了三周來IC銷售額的陰沉局面，因為通常7月是典型的弱月份，所以這條消息具正面意見。依周與周的比較，IC銷
關鍵字： Cisco 通訊太陽能 NAND

第二季度NAND Flash市場收入大漲33.6%

　　在NAND Flash供貨商產能減產效應及新興市場庫存回補需求的雙重幫助下，第二季NAND Flash平均銷售價格(ASP)約上漲20% QoQ，整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收都較上一季成長，2009年第二季全球NAND Flash品牌廠商整體營收為27億8千6百萬美元，較上一季的20億8千6百萬美元成長33.6%QoQ。　　就2009年第二季NAND Flash品牌廠商營收排行來看，Samsung營收為10億3千7
關鍵字： Micron NAND

基于SoPC目標板Flash編程設計的創建及應用

隨著EDA(電子設計自動化)技術的發展和可編程邏輯器件性能的不斷提高，基于FPGA的可編程片上系統技術為系統設計提供了一種簡單、靈活、高效的途徑。基于NiosII的可編程片上系統(SoPC)設計中，幾乎所有的應用設計都需要使用Flash存儲器，而Flash的編程必需相應的目標板Flash編程設計支持。結合實際應用詳細論述了目標板Flash編程設計的創建及應用。
關鍵字： Flash SoPC 編程

東芝閃存工廠遭雷擊出貨量下降價格上漲10%

　　據臺灣媒體報道，東芝日前發生日本晶圓廠遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產能并未受到影響，然令業界意外的是，由于該廠房主要生產包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產品，因此，使得東芝microSD卡供應量驟降，帶動近期microSD卡價格上漲逾10%。　　內存業者認為，過去記憶卡價格一直嚴重偏低，業界趁此機會調漲終端記憶卡售價，但NAND Flash芯片價格上漲機率則不高。　　業內人士表示，2009年初NAND Flash芯片價格持續上漲，記憶卡價格卻沒有跟上來，導致NAND Flas
關鍵字：東芝 NAND 晶圓

三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司

　　據國外媒體報道，美國知識產權公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進口侵權芯片及相關產品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。　　BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術的閃存芯片的編程和讀取方法有關。MLC技術能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。　　申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
關鍵字：三星 NAND 閃存芯片 MLC

海力士41納米通過認證　切入蘋果供應鏈

　　海力士(Hynix)NAND Flash產業之路命運多舛，之前48納米制程量產不順，加上減產之故，幾乎是半退出NAND Flash產業，直到近期新制程41納米制程量產順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」! 　　海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產不順，另一方面是NAND Flash價格崩盤，導致虧損
關鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米存儲器

NAND Flash買氣淡 7月下旬合約價仍穩住陣腳

　　7月下旬NAND Flash合約價在一片淡季聲中，仍是穩住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數量不多，因此即使市場的買氣平平，NAND Flash價格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營則是維持低價搶單的策略;市調機構英鼎(inSpectrum)預估，全球第3季的NAND Flash產出仍會較第2季成長25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。　　根據英鼎
關鍵字：三星 NAND 記憶卡

臺塑絕地大反攻　拉攏英特爾入股華亞科

　　臺塑集團布局DRAM產業更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業者透露，華亞科擬引進英特爾投資，主要關鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產業動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導體產業地位。　　存儲器業者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
關鍵字： TMC DRAM NAND

蘋果預付5億美元與東芝簽閃存長期供貨協議

　　蘋果高管近日在財報分析師電話會議上表示，該公司已與東芝達成閃存芯片長期供貨協議，并向后者預付5億美元貨款。　　這一交易對于東芝而言可謂“及時雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商，面臨閃存芯片價格滑坡和來自三星電子的激烈競爭等問題。　　消息人士表示，5億美元相當于蘋果一個季度NAND閃存芯片需求量的價值。
關鍵字：蘋果閃存芯片 NAND

英特爾推出業內首款34納米NAND閃存固態硬盤

　　英特爾公司已經開始采用更為先進的34納米生產流程制造其領先的NAND閃存固態硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設計，34 納米產品將使SSD的價格(與一年前推出產品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來實惠。　　多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統硬盤(
關鍵字：英特爾 34納米 NAND 固態硬盤

FLASH存儲器的測試方法研究

1．引言隨著當前移動存儲技術的快速發展和移動存儲市場的高速擴大，FLASH型存儲器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優點，在移動產品中非常適用。市場的需求催生了一大批FLASH芯片研發、
關鍵字： FLASH 存儲器測試方法研究

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]