- 存儲器行業正處于強勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲器封裝市場與技術》報告中預計，2016~2022年整個存儲器市場的復合年增長率約為9%，到2022將達到1350億美元，DRAM和NAND市場份額合計約占95%。此外，供需失衡正推動存儲器半導體芯片價格上漲，導致存儲器IDM廠商獲得創紀錄的利潤!
存儲器的需求來自各行各業，特別是移動和計算(主要是服務器)市場。平均而言，每部智能手機的DRAM內存容量將增長三倍以上，預計到2022年將到6GB左右，而每部智能手機的NAND存儲器容量將增加
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存儲器 DRAM
- 紫光國芯日前在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產品委托專業代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。前不久，針對“存儲芯片行業增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構進行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設計業務，公司自身沒有制造環節，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規模較小，產能不好保證
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紫光國芯 DRAM
- 中國廠商在國際市場上已經引起三星與海力士的警惕，而紫光、晉華等廠家也都在DRAM市場中進行著試探。
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DRAM 紫光
- 紫光國芯26日在互動平臺表示，公司西安子公司從事DRAM存儲器晶元的設計，目前產品委托專業代工廠生產。 未來紫光集團下屬長江存儲如果具備DRAM存儲器晶元的制造能力，公司會考慮與其合作。
前不久，針對“存儲芯片行業增長很快，為什么西安紫光國芯的毛利率如此低?”的提問，紫光國芯副總裁杜林虎及董秘阮麗穎在與投資機構進行互動問答時表示，西安紫光國芯從事DRAM存儲芯片的設計業務，公司自身沒有制造環節，但市場上DRAM的代工廠很少，特別是在市場需求旺盛的時期，公司由于規模較小，產
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紫光 DRAM
- 在此輪內存漲價行情中，由于不少企業加大了建倉囤貨的力度，導致在內存流通環節甚至出現了價格倒掛的現象。
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內存 DRAM
- 近兩日連續大漲的紫光國芯在接受數家機構調研時表示，前三季因研發投入加大及市場競爭加劇，整體毛利率下降，導致業績下降。目前第四季度經營好于預期，對全年業績估計相對樂觀，公司積極開拓集成電路業務市場，營業收入穩定增長。紫光國芯預計，公司2017年全年凈利潤為2.35億元～3.36億元，上年同期為3.36億元，同比變動-30%～0%。前三季度，紫光國芯實現營業收入13.08億元，同比增長31.31%;凈利潤為2.13億元，同比下降22.912%。紫光國芯表示，公司FPGA產品目前處于研發投入階段，已投入自有
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紫光國芯 DRAM
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，在北美數據中心的需求持續強勁，以及DRAM供給端產能與制程受限制下，并不能滿足整體服務器內存市場需求，Server DRAM供不應求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價(Average Selling Price)墊高帶動，三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。
DRAMeXchange分析師劉家豪指出，進入第四季，在服務器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應求的狀況將更為明顯，Server DRAM第四
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SK海力士 DRAM
- 中國存儲器后進廠商 2018 年開始產能逐步開出，目前狀況到底如何?
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DRAM NAND
- DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現，渠道商表示，因存儲器漲幅過大，下游應用端，尤其是筆電和部分智能手機等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產量陸續在2019年產出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價格有下調壓力。
調研機構研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產計劃，都為未來DRAM市場投下新變數，明年DRAM產值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產能增加，重陷價格戰下，年產值將衰選25.9%，且預估有2年的殺戮戰。
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存儲器 DRAM
- 作為一個寡頭壟斷市場，內存條價格一路飆升背后，是三星電子、美光科技、SK海力士內存廠商正經歷一次較為一致的戰略轉變。
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內存條 DRAM
- 臺灣兩大存儲器模組廠威剛與創見一致認為，動態隨機存取存儲器( DRAM )將持續缺貨。威剛預期，DRAM缺貨情況可能延續到明年。
威剛指出，全球人工智能與物聯網產業蓬勃發展，帶動云端基礎設備及服務規模大舉躍升，連帶刺激全球DRAM需求急遽成長。
只是全球DRAM大廠近年都專注于制程改良，并未就新增產能進行巨額投資，威剛表示，這使得今年來全球DRAM缺貨問題不斷延燒。
創見預期，第4季DRAM市場仍將持續供不應求，產品價格也將維持高檔。
威剛更指出，韓系DRAM大廠已預告明年第1
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DRAM
- 本文討論不同的存取技術對于DRAM在進行實體設計時所發生的改變，尤其是指由1電晶體+1電容器組成的儲存單元——DRAM的最小記憶單位…
不同的存取技術對于動態隨機存取存儲器(DRAM)在進行實體設計時將發生什么改變?當動態隨機存取存儲器(DRAM)中的儲存單元(storage cell)加上控制端點以及數據端點后，就被稱為1T1C DRAM單元;其中，控制端點也就是字組線(WL)，用于傳遞位址訊號，數據端點也就是位元線(BL)，用于傳遞數據值。
陣列結
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DRAM
- 隨著數字全球化，爆炸式增長的信息對數據的存儲與傳輸提出了極大的挑戰，而且目前商用計算體系架構內各存儲部件，即緩存(SRAM)、內存(DRAM)和閃存(NAND Flash)之間性能差距日益加大，其間的數據交換效率也已成為了電子設備發展的瓶頸。因此研發具備存儲密度大、讀寫速度快、能耗低、非易失(即斷電后數據不丟失)等特點的新式通用式存儲介質勢在必行。
近日，美國Science雜志發表了西安交通大學與上海微系統與信息技術研究所的合作論文——《Red
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相變存儲器 DRAM
- 由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季行動式DRAM產能，在產能排擠效應發酵下，標準型、服務器、利基型等DRAM持續缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業界對明年第一季淡季續漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。
南亞科受惠于DRAM合約價順利調漲，加上20納米制程新產能全面開出，6日公告10月合并營收月增9.2%達新臺幣50.72億元，創下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預估華邦電營收將介于新臺幣4
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蘋果 DRAM
- 包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠近2年來產能擴張幅度有限，加上20納米以下先進制程轉換難度提高，DRAM位元供給成長明顯較往年放緩。但由需求面來看，智慧型手機搭載容量快速增加，物聯網及汽車電子的需求亦進入倍數成長階段。也因此，在供給吃緊情況下，DRAM價格由去年下半年一路漲到今年底，累計漲幅已將超過1倍。
以4GBDDR4模組合約價來看，去年第3季平均價格僅13美元，但今年第4季價格已大漲至30.5美元，不僅價格已連續6季度調漲，累計漲幅亦超過1.3倍。想當然爾，DRAM價格大漲也明顯
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三星 DRAM
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