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nor flash 文章 最新資訊

基于ARM7軟中斷程序的設計

  •   摘要:本文以ARM7內核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時,采用SWI軟中斷的方法實現同時寫片外FLASH的例子,詳細講述ARM7內核的MCU如何設計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。   1 背景描述   筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核,帶512K字節的片內FLASH,98k字節的片內RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
  • 關鍵字: ARM7  LPC2458  FLASH  MCU  SWI  CPU  201409  

上海海爾:向通用MCU進發

  •   今年上半年,上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機產品,有其自主知識產權內核的HR7P155~170、201、192、196等系列,還有新的觸摸按鍵芯片等,容量涵蓋0.5~64kB,管腳數從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設計提供了多樣選擇。   專注于專用MCU的上海海爾,為何此次在如此多的通用產品上發力?在芯片本土化的熱潮下,上海海爾的愿景是什么?   處于從專用向通用MCU升級的開端   MCU(單片機,微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機,而日本、
  • 關鍵字: 海爾  MCU  Flash  201408  

基于LVDS的高速圖像數據存儲器的設計與實現

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字: LVDS  FPGA  Flash  

嵌入式內存市場增長,廠商與用戶需持久合作

  •   2014上海慕尼黑電子展期間,Micron(美光科技有限公司)展示了全系列嵌入式存儲解決方案。據美光公司嵌入式業務部門營銷高級總監Amit Gattani介紹,在整個內存產品640億美元的市場中,10%~15%是嵌入式內存方案。而且這個份額還在不斷增長,主要是由于智慧系統、物聯網發展和智慧汽車的驅動。
  • 關鍵字: Micro  嵌入式  NOR  201405  

競逐eMMC商機 Flash控制芯片廠陷混戰

  • 2013年eMMC需求在智能手機市場帶動下大幅成長,2014年,平板電腦應用需求亦值得期待,尤其在中國大陸銷售的平板電腦中,有90%尚未采用eMMC,這可能進一步擴大eMMC市場規模,引來業內廠商混戰一片......
  • 關鍵字: Flash  控制芯片  

美光在上海加大研發,實現“中國設計”

  •   2014上海慕尼黑電子展期間,美光科技公司嵌入式業務部門營銷高級總監Amit?Gattani告訴《電子產品世界》,美光看好中國的前景,因為中國“十二五”計劃當中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節能環保,實現可持續發展,注重汽車產業的節能排放以及創新,這一切都和美光公司的戰略相吻合。  目前美光在上海有兩個設計中心,主要是做硬件和集成電路設計,比如開發NOR閃存等產品,分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統工程實驗室,旨在與客戶實現更好的合作,創新開發各種解決方案。此外美光
  • 關鍵字: NOR  智慧城市  節能環保  閃存  

FPGA中Flash驅動模塊的設計及驗證

  •   隨著FPGA的功能日益強大和完善,FPGA在項目中的應用也越來越廣泛,其技術關鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍,敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅動模塊的設計,其接口基本符合Avalon總線的規范要求,并且通過實際的讀寫操作驗證
  • 關鍵字: Flash  驅動  FPGA  

高速接口Hyper Bus催生讀取最快的NOR閃存

  •   不久前,Spansion?公司宣布推出突破性的Spansion?HyperBus接口,它能極大地提高讀取性能并減少引腳數量和空間。主要的片上系統(SoC)制造商可以部署SpansionHyperBus接口。  另外,Spansion還推出了首個基于該新接口的產品家族——SpansionHyperFlash?NOR閃存器件,其讀取吞吐量可達333MB/s,比當今市場上可見速度最快的四SPI的5倍還快,引腳數量卻僅是并行NOR閃存的1/3。  據Spansion產品與產業生態
  • 關鍵字: HyperBus  NOR  GUI  ADAS  201402  

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用

  •   靜態隨機存儲器(static?RAM),簡稱SRAM。在電子設備中,常見的存儲器有SRAM(靜態隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性,SRAM無需刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數據即會消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時鐘信號,即可保持數據不丟失。  1、VDMS16M32芯片介紹  VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數據總線的立體封裝SRAM模
  • 關鍵字: SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

基于FPGA的SPI Flash控制器的設計方案

  • 本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現方案,該方案利用硬件對SPI Flash進行控制,能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預充電等操作,同時編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進行移植和復用,作為SOC芯片的功能模塊。
  • 關鍵字: FPGA  Flash  SOC  CPU  VHDL  

基于FPGA的速率自適應圖像抽取算法

  • 載荷圖像可視化是深空探測任務中的重要需求,但受信道帶寬的限制,無法實時傳輸所有載荷數據,因此星載復接存儲器中圖像的抽取下傳是實現任務可視化的關鍵。
  • 關鍵字: 存儲器  FPGA  載荷圖像  VCDU  FLASH  

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

  • 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結構的設計,同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現需要很大資源才能實現的程序。以Virtex5系列開發板和配置存儲器SPI FLASH為基礎,從硬件電路和軟件設計兩個方面對多重配置進行分析,給出了多重配置實現的具體步驟,對實現復雜硬件設計工程有一定的參考價值。
  • 關鍵字: FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  

提高MSP430G單片機的Flash擦寫壽命的方法

  • 在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據,由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒有集 ...
  • 關鍵字: MSP430G  單片機  Flash  擦寫壽命    

武漢新芯:定位存儲器制造,兩年后或推3D NAND

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨立經營,是國有制企業。為了區別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲器制造。近日,武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
  • 關鍵字: XMC  存儲器  NOR  NAND  201401  

單片機高手是怎樣煉成的

  • 近來在論壇總是見到一些菜鳥們在大叫:“我想學單片機”,“我要學單片機”,“如何入門啊?”,“你們怎么這么厲害,是怎樣學的??”等等等等一系列的問題,實在是看多了也感到煩了,今天,就由我電子白菜厚著面皮,頂著無數老蝦的磚頭,在這里寫上一篇單片機學習心得,讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
  • 關鍵字: 單片機  LED  LCD  FLASH  USB  
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器   NOR和NAND是現在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]

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