nor flash 文章最新資訊

Spansion卷土重來，分析師眾說紛紜話前景

Spansion目前正準備高調卷土重來，這次能否成功，抑或再次失敗？分析師對Spansion的前景眾說紛紜。上個...
關鍵字： Spansion 半導體 NOR 閃存

華邦：NOR Flash市場缺口達20%

　　華邦總經理詹東義表示，NOR Flash市場供不應求的情況仍然嚴重，估計市場缺口約20%，第3季的NOR Flash價格仍會持續(xù)調漲，甚至對于第4季營運都相當樂觀，尤其是華邦在客戶策略上，逐漸集中在一線客戶之后，受到全球景氣波動的影響相對較小。　　華邦表示，若扣除重覆下單(Double Booking)，目前NOR Flash市場缺口約20%，華邦的優(yōu)勢在于質量、成本和交期穩(wěn)定。目前對于NOR Flash產能的規(guī)劃，仍由目前的7,000片提升至年底1萬片水平，但預計這樣的產能水平仍無法滿足客戶需求
關鍵字：華邦 NOR Flash

基于FPGA的K9F4G08 Flash控制器設計

摘要：設計了一種能使FPGA的主狀態(tài)機直接管理Flash的控制器，該控制器具有自己的指令集和中斷管理方式。...
關鍵字： FPGA Flash K9F4G08

基于M25P32 SPI Flash的TFFS設計與實現(xiàn)

本文對VxWorks下TFFS文件系統(tǒng)的層次結構和FTL層的啟動過程、塊映射算法、垃圾回收算法以及用FTL創(chuàng)建DOSFS進行了分析，給出了在M25P32 SPI Flash上創(chuàng)建TFFS文件系統(tǒng)和將TFFS掛在DOSFS的實現(xiàn)方法。通過對TFFS核心層FIL的分析給出的TFFS實現(xiàn)方法，可以從更基礎的層面來認識VxWorks中的TFFS文件系統(tǒng)，從而給TFFS文件系統(tǒng)的問題定位和實現(xiàn)帶來新的方法。
關鍵字： M25P32 Flash TFFS SPI

Flash文件系統(tǒng)剖析

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
關鍵字：文件系統(tǒng) Flash JFFS2 平均讀寫

美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術

　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導體、私募股權基金Francisco Partners)。　　完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
關鍵字：美光 DRAM NAND NOR

JFFS2 文件系統(tǒng)及新特性介紹

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關鍵字： JFFS2 JFFS3 Flash

三星出貨全球首款多芯片封裝相變存儲顆粒

　　相變存儲技術看來終于要走出實驗室，走向市場了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲顆粒產品。　　相變存儲屬于非易失性存儲技術，可以像閃存那樣在關機后繼續(xù)保持數據。三星就表示，這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級NOR閃存顆粒完全兼容，方便客戶廠商在產品中加入該存儲顆粒。由于相變存儲技術的高寫入速度特性，采用PRAM可有效提升數碼設備的存儲速度。　　三星表示，多芯片封裝PRA
關鍵字： Numonyx 相變存儲 NOR

抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運作

　　英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。　　2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術，由IM Flash專門為這2家公司生產NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應于2
關鍵字：三星電子 NAND Flash

C8051F35X單片機內部Flash存儲器的擦寫方法

摘要：為避免在程序運行時向單片機內置的Flash寫入數據導致復位，采用調用鎖定與關鍵碼的操作方法對C2805lF35X型單片機的Flash進行擦除、寫入和讀取操作，并提供程序范例。該方法無需任何接口電路，使用方便，成本低
關鍵字：擦寫方法存儲器 Flash 單片機內部 C8051F35X

Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數據存儲的主要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
關鍵字：系統(tǒng) 實現(xiàn) DSP 管理 Flash 存儲 Nand

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應用在程
關鍵字：應用原理 Nand-Flash 系統(tǒng) 嵌入式

Micron發(fā)布季度報告 DRAM銷售環(huán)比增長24%

　　Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達近20億美元。相比之下，2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
關鍵字： Micron NAND Flash

TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導

電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
關鍵字： TMS320C6713B DSP Flash

富士通開發(fā)NOR型閃存新技術

　　富士通微電子公司日前宣布，已經成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術，可提高閃存讀取速度，并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素，從而實現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達，訪問時間僅10ns，同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設備中應用這項技術，便攜音視頻設備將有望改進性能，同時延長電池續(xù)航時間。　　富士通表示，將以這項N
關鍵字：富士通 NOR 閃存

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]