- DDR3報價從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高達70%，力晶更在2010年底因欠款導致子公司瑞晶停止出貨，透露臺DRAM廠財務已處于極度吃緊狀態，存儲器業者表示，由于1月DRAM合約價和現貨價還有下跌空間，即便臺廠現在就采用40納米制程生產，亦只能勉強微幅賺錢，更何況臺廠目前制程幾乎都在50及60納米世代，因此，臺DRAM廠不僅2010年第4季虧損將持續擴大，2011年第1季亦將再鳴虧損悲歌。
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茂德 DRAM
- 2010年DRAM產業虎頭蛇尾，年初報價大漲至1顆DDR3報價達3美元，但年底卻跌到1美元;但以獲利來看，2010年只有力晶和瑞晶有賺錢，南亞科、華亞科和茂德都是持續賠錢，南亞科和華亞科是因為制程轉換之故，沒有掌握到年初報價上漲的機會，年底雖然成功轉進50奈米，但報價已呈現溜滑梯狀態。
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瑞晶 DRAM
- 瑞晶31日公告，由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付，因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示，由于DRAM價格不佳，在財務上規畫保守，目前正與爾必達(Elpida)和瑞晶3方協商當中;瑞晶則表示，將與力晶協議針對保障瑞晶債權的方案。
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瑞晶 DRAM
- 臺灣央行總裁彭淮南面對這一波新臺幣強勢升值，采取匯市收盤價力守30元的作法，外界開始出現匯價失真的爭議，但彭淮南這次直接挑明表示，臺灣和韓國在科技產業的產品雷同度高，匯率過度升值會影響出口商的競爭力;與韓國處于高度競爭的DRAM廠表示，若新臺幣升值幅度高于韓元，與三星電子(Samsung Electronics)競爭上的確區居下風，不過臺灣DRAM產業有很大一塊問題是自己的技術和財務結構，匯率是影響競爭力因素之一，但絕不是影響臺灣DRAM產業競爭力的最關鍵因素，主要因素還是在售價。
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力晶 DRAM
- 海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產制程轉換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發出2款計算機用DRAM產品，將首度采用30納米級制程量產。據海力士表示，計劃采用38納米制程生產4Gb和2Gb 2種產品，2011年第1季將先量產2Gb產品。
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海力士 DRAM
- 據彭博(Bloomberg)報導，海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發言人證實首爾經濟日報(Seoul Economic Daily)的報導。
彭博電話訪問發言人Park Seong Ae指出，實際投資金額可能會依市場情況而調整。Park進一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會比較小。
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海力士 DRAM
- DRAM報價面臨二次崩盤危機，過去曾被提及但最后鎩羽的臺日DRAM產業4合1大整并議題，再度被端上臺面!日本外電指出，爾必達(Elpida)社長坂本幸雄將于2011年初訪臺，洽談在臺灣成立控股公司，將力晶、瑞晶和茂德3家臺廠連同爾必達進行4合1大整并的細節，若能整并成功，“新爾必達”的市占率將一舉超越海力士(Hynix)成為全球DRAM二哥;惟臺廠表示，未聽聞此事。
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爾必達 DRAM
- 據iSuppli公司，12月DRAM價格繼續下降，跌勢不止，經過幾個月的大幅下滑，價格已降到年內最低水平。
12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價格下跌，DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價格為21.50美元，遠低于6月時的38.80美元。
圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷售價格，包括1GB和2GB兩種密度。
與上一代的DDR2相比，DDR3傳輸速度更快，而且功耗更低。但
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DRAM 30納
- 美系內存大廠美光(Micron)預測2011會計年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報價將持續走跌，其中DRAM價格會下跌約25%，而NANDFlash價格會下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術微縮，以期能持續降低生產成本，因應需求不如預期的市況。
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美光 DRAM
- 美國計算機記憶芯片大廠美光日前公布會計年度第1季(迄12月2日)財報，由于供智能型手機使用的記憶芯片需求殷切，不但抵銷了個人計算機記憶芯片需求下滑的沖擊，更讓公司連續第5個季度出現獲利。
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美光 DRAM
- 2010年12月下旬DRAM的合約價格持續重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價格下跌10%，平均售價跌破20美元，低價來到17美元價格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價格較當時的價格已下跌超過50%，市場預期供過于求的情況至少還會再持續1季，因為2011年第1季的供給增加幅度相當大，預計要到2011年4月之后，等個人計算機(PC)大廠準備下半年旺季的備料，DRAM價格才有機會落底止跌。
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爾必達 DRAM
- 據市場研究公司iSuppli表示，今年全球半導體市場將較上年同期低迷的水平實現有史以來最大規模的增長，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預計，2010年全球半導體行業總收入或為3,040億美元，較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。
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半導體 DRAM
- 2011年DRAM產業中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴產計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產業的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產出，集邦科技預估2011年全球DRAM產業位元成長率(BitGrowth)將增加50%。
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三星電子 DRAM
- 2011年DRAM產業中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴產計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產業的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產出，集邦科技預估2011年全球DRAM產業位元成長率(Bit Growth)將增加50%。
三星電子201
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三星電子 DRAM
- 基于ARM920T設計的SMC接口研究與PC/104總線仿真,摘要：通過分析920T核ARM 處理器的高速片上系統總線AHB時序及其靜態存儲控制器SMC接口模型，研究IBM PC／AT和IEEE PC／104總線規范，提出一種在ARM 平臺上實現兼容PC／104總線的方案．深入探討兩種平臺體系在存儲器結
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PC/104 總線 仿真 研究 接口 ARM920T 設計 SMC 基于
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