- 據TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND
Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%；由于Mobile
DRAM一直以來獲利表現均較其他DRAM產品低，因此成為本次的領漲項目。季漲幅擴大包括幾個原因，供應方面：三星擴大減產、美光祭出逾20%的漲幅等，持續奠定同業漲價信心的基礎。需求方面：2023下半年Mobile
DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動，華為Mate
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Mobile DRAM NAND Flash TrendForce
- 要點：●? ?驍龍?X Elite平臺采用定制的集成高通Oryon? CPU，這款行業領先的移動計算CPU的性能高達競品的兩倍；達到相同峰值性能時，功耗僅為競品的三分之一。●? ?驍龍X Elite專為AI打造，支持在終端側運行超過130億參數的生成式AI模型，憑借快達競品4.5倍的AI處理速度，其將繼續擴大高通在AI領域的領先優勢。●? ?OEM廠商預計將于2024年中推出搭載驍龍X Elite的PC。在驍龍峰會期間，高通技術公司宣布推出公司迄
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高通 驍龍X Elite PC
- 受高通脹沖擊消費電子產品買氣影響，據TrendForce集邦咨詢統計，2022年全球DRAM模組市場整體銷售額173億美元，年衰退約4.6%；其中各模組廠因供應的領域不同，使得各家營收表現差異較大。TrendForce集邦咨詢統計，2022年全球前五大存儲器模組廠占整體銷售額90%；前十名則合計囊括全球模組市場的96%營業額，其中Kingston（金士頓）的市占達78%，雖營收小幅下跌，仍維持全球第一。盡管終端市場需求不佳，但基于Kingston品牌規模，加上完整的產品供應鏈，使得其營收衰退幅度較小，僅衰
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消費電子 DRAM 模組
- 惠及億臺 PC!英特爾發布AI PC加速計劃—融合百家ISV和300余AI加速功能,英特爾AI PC加速計劃將惠及億臺PC
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英特爾 AI PC
- 10月9日，韓國總統辦公室通報，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導體設備，該決定一經通報即生效。據悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關政府的密切協調，與我們在中國的半導體生產線運營有關的不確定性已大大消除。”SK海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規定的豁免。我們相信，這一決定將
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三星 SK海力士 NAND DRAM 半導體設備
- PC 市場經歷連續八個季度下滑后，預計 2023 年第四季度開始復蘇。
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PC
- 受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現暴跌。根據 TrendForce 的最新數據顯示，DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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NAND SSD DRAM
- 高通技術公司自推出驍龍8cx計算平臺以來，持續驅動消費級PC和商用PC的體驗，不斷突破創新邊界。我們推出了全球首款商用5G PC平臺，引領計算平臺連接方式的發展；我們還針對筆記本電腦推出了全球首個面向AI處理的專用NPU；同時也在每瓦特性能方面保持領先，讓終端產品僅需一次充電，即可實現長達多天的電池續航。今天，我們正式推出專為變革下一代PC體驗的平臺而打造的全新命名體系——驍龍X系列。2024年將成為PC行業的轉折點，驍龍X計算平臺將帶來更高水平的性能、AI、連接和電池續航。驍龍X系列平臺基于高通在CPU
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高通 PC 驍龍X系列
- 最近，英特爾財務長 DavidZinsner 表示，雖然數據中心芯片需求在過去兩季有所好轉，但庫存消化將比電腦芯片更長，可能還要過幾季才能達到較佳的狀態。在這個 AI 被炒的火熱的時代，當英特爾說數據中心芯片的庫存正在積壓，出乎很多人的意料。前所未有的壓力PC 產業正同時經歷「加速運算」和「生成式 AI」兩大轉變。據 Gartner 最新報告，2023 年全球用于 AI 的硬件銷售收入預計將達到 534 億美元，按年增長 20.9%，這一銷售還將在 2024 年進一步增長到 671 億美元，在 2027
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PC 英特爾 AI
- IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰 1γ DRAM 技術。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產 1β DRAM，不過研發的目標是在 2025 年量產 1γ DRAM，這將標志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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DRAM 閃存
- 英特爾、AMD 和蘋果都擁有強大的 CPU 和 GPU 架構，蘋果的 M2 卻在 PC 領域獨樹一幟。
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蘋果M2 PC
- 盡管由于經濟逆風、高通貨膨脹影響，存儲產業身處下行周期，但存儲大廠對于先進技術的競賽仍在繼續。對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。當前，DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產1β DRAM之后，計劃于2025年量產1γ
DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術，目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產，未來日本廠也有望導入EUV
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DRAM NAND 存儲
- 面對美國的護欄最終規則，韓國半導體公司被建議改變中國市場戰略據韓國新聞媒體報道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護欄，韓國半導體公司可能不得不改變他們在中國的業務，并利用其在那里的成熟節點能力來針對國內需求的產品。關于最終規則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產能的公司將不得不接受拜登政府設定的條件，并在未來10年內避免在中國進行實質性產能擴張。商務部的新聞稿顯示，補貼接受者在
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CHIPS法案 韓國半導體 DRAM NAND
- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續減產，已經市場去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經進行了多次減產，目前相關效果已經顯現，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現反彈，9 月繼續上漲。行業巨頭三星繼續減產，主要集中在 128 層以下產品中，在 9 月產量下降了
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存儲 DRAM NAND Flash
- 消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風險。固定BOM的重要性消費類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會發生變化，而且經常會在用戶未知的情況下發生變化，另外用戶可能會在一月份訂購兩個 DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個用于生產，但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
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innodisk DRAM
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