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power-fet 文章 最新資訊

英偉達800V直流數據中心解決方案匯總

  • 在 OCP 全球峰會上，Nvidia 將公布 Vera RubinNVL144 MGX 代開放式架構機架式服務器的規格，超過 50 個 MGX 合作伙伴正在為此做準備，以及對 Nvidia Kyber 的生態系統支持，它連接了 576 個 Rubin UltraGPU，旨在支持不斷增長的推理需求。芯片供應商：ADI 公司（ADI）、AOS、EPC、英飛凌、Innoscience、MPS、Navitas、onsemi、Power Integrations、瑞薩、立锜、羅門、意法半導體和德州儀器。電力系統組件
  • 關鍵字： 202511  英偉達  直流數據中心  Power Integrations  德州儀器  EPC  

節省空間的3U數字式10kW電源，電壓可達100kV

  • XP Power宣布推出WBQ系列10kW數字式，可調節高壓電源，專為需要15kV至100kV可控輸出電壓的設備設計。這款緊湊型19英寸3U機架安裝產品在該功率等級下可提供最小的占地面積，適用于機架空間寶貴的場景（如半導體制造環境），可顯著節省空間。其功率可擴展至100kW+，支持高電流工藝，并能驅動離子注入、電子束焊接、增材制造、質子治療及醫用回旋加速器等大型系統運行。該產品采用全數字化控制回路，可通過直觀的用戶界面（UI）進行配置，從而實現輸出負載變化的靈活控制與調節，同時支持便捷的固件修改?？删幊虆?/li>
  • 關鍵字： 3U數字式電源  XP Power  

基于氮化鎵的緊湊型65W至140W PD充電器，支持醫療和工業技術應用中的快速充電

Vishay推出5W小型1206封裝Power Metal Strip電阻器

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip? 檢流電阻---WSLF1206，采用小型1206封裝，額定功率高達5 W，TCR低至 ± 75 ppm/°C，以及低至0.3 mΩ的極低電阻值。Vishay Dale WSLF1206額定功率是1206封裝尺寸標準電阻的20倍，功率密度 > 650 W/in2，設計師得以使用盡可能小的電阻，且無需并聯電阻，從而節省高功率電路板的空間。器件溫度系數（TCR）低，可在 -65
  • 關鍵字： Vishay  Power Metal Strip  電阻器  

XP Power為15W高壓DC-DC轉換器HRF15系列新增數字監控與控制功能

  • XP Power近日宣布推出15W精密高壓DC-DC轉換器HRF15系列的數字版本，該版本支持通過I2C接口的PMBus?實現輸出電壓和電流的編程控制。這一升級滿足了精密設備自動化與遠程控制日益增長的需求，適用于半導體檢測應用及通用分析研究領域，包括質譜分析、掃描電子顯微鏡（SEM）和透射電子顯微鏡（TEM）等設備。與2025年5月推出的精密模擬版本相比，HRF15的數字界面簡化了系統集成，并通過直觀的GUI縮短了設置時間，加快了產品開發時間。它還通過先進的監控和編程功能提高了可靠性。電源狀態標志提供了對
  • 關鍵字： XP Power  DC-DC轉換器  

ADI Power Studio?-加速電源管理設計

  • 概述ADI Power Studio?是一套面向應用工程師及高級電源設計用戶的綜合性產品系列，能夠有效簡化整個電源系統的設計流程，提供從初步概念到測量和評估的全程支持。Power Studio提供統一、直觀的工作流程，利用準確的模型來仿真實際性能，并自動生成關鍵的物料清單和報告等內容，幫助工程團隊更早做出更優決策。ADI Power Studio整合了凌力爾特與美信的元器件，構建起統一的器件選型目錄；同時通過豐富的工具集成優化工作流程，并基于客戶反饋打造了現代化的用戶界面(UI)與用戶體驗(UX)。產品系
  • 關鍵字： ADI  電源管理  ADI Power Studio  

Analog Devices發布ADI Power Studio和網頁端新工具

  • ●? ?ADI Power Studio將多種ADI工具整合成一個完整的產品系列，助力簡化電源管理設計和優化工作。●? ?ADI Power StudioTM Planner工具有助于增強系統級電源樹規劃?！? ?ADI Power StudioTM Designer工具可在整個集成電路(IC)級電源設計過程中提供全方位指導。全球領先的半導體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布推出綜合性產品系列ADI Po
  • 關鍵字： Analog Devices  ADI  ADI Power Studio  

Power Integrations發布新技術白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數據中心的1250V和1700V PowiGaN技術

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發布一份新的技術白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶來的顯著優勢。這份白皮書發布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術適用于800VDC供電架構的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構的最新進展進行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向8
  • 關鍵字： Power Integrations  數據中心  GaN   

40W超緊湊DC-DC轉換器，適用于空間受限的嚴苛應用場合

  • XP Power宣布推出具有成本效益的40W DC-DC轉換器BCT40T系列，該產品采用業界領先的1“x 1”（25.4mm x 25.4mm）緊湊型封裝，專為PCB安裝而設計。這個新系列提供高功率密度和全面的功能，使其成為各種要求苛刻的工業技術、ITE和通信應用的理想電源解決方案，在這些應用中，空間是一個關鍵的限制因素。這款高性能BCT40T系列專為測試與測量、機器人、過程控制、分析儀器和通信設備等領域工作的研發工程師而設計。其超緊湊的金屬封裝具有顯著優勢，可節省寶貴的PCB面積，并為客戶應用電路提供
  • 關鍵字： DC-DC轉換器  空間受限  XP Power  

Power Integrations推出太陽能賽車專用參考設計，采用高效率氮化鎵芯片

  • 澳大利亞達爾文及美國加州圣何塞，2025年8月22日訊 –Power Integrations推出一款專為太陽能賽車量身定制的參考設計套件。與此同時，37支學生隊伍已整裝待發，將參加于8月24日開始的普利司通世界太陽能挑戰賽，穿越澳洲內陸地區。該套件型號為RDK-85SLR，采用了PI?公司一款集成PowiGaN?氮化鎵技術的芯片InnoSwitch?3-AQ。其設計靈感來自PI公司PowerPros?在線支持工程師與蘇黎世聯邦理工學院aCentauri車隊的合作成果。后者的85號“Silvretta”挑
  • 關鍵字： Power Integrations  太陽能賽車  氮化鎵芯片  

瑞薩電子通過下一代功率FET將GaN推向千瓦級

  • 幾十年來，硅一直是電力電子領域無可爭議的領導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵 （GaN） 功率器件正在取得進展。憑借更快的開關速度和更高的效率，氮化鎵已經在消費類快速充電器中發揮了重大作用，與硅相比，實現了系統級成本、空間和功耗節省。然而，盡管具有所有功率處理特性，但基于氮化鎵的橫向高電子遷移率晶體管 （HEMT） 一直在努力進入千瓦級功率設計。瑞薩電子正試圖通過其最新的高壓氮化鎵功率 FET 來改變這一現狀，該 FET 專為要求苛刻的系統而設計，從數據中心的 AI 服務器電源和不間斷電源 （
  • 關鍵字： 瑞薩電子  功率  FET  GaN  千瓦級  

Power Integrations任命Jennifer Lloyd為下一任首席執行官

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布，Jennifer A. Lloyd博士將接替自2002年以來一直擔任首席執行官的Balu Balakrishnan，成為公司的下一任首席執行官。Lloyd博士曾擔任過Power Integrations董事會成員，現再次被任命為公司董事會成員。這兩項任命均于7月21日生效。自1997年以來，Lloyd博士在全球半導體領導企業Analog Devices, Inc.擔任過一系列高級工程和業務管理職位。在此期間，她曾領
  • 關鍵字： Power Integrations  

基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器的設計注意事項

  • 鑒于對能源可持續性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且帶有集成式儲能系統的微型逆變器。當系統需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統的串式逆變器或混合串式逆變器。圖1是混合串式逆變器的方框圖。常見的穩壓直流母線可將各個基本模塊互聯起來?；旌洗侥孀兤靼韵伦訅K：●? ?用于執行最大功率點跟蹤的單向 DC/DC 轉換器。●? ?用于電池充電和放電的雙向 DC/DC 轉換器。電池可在夜間或停電
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN FET  單相串式逆變器  微型逆變器  儲能系統  

瑞薩電子推出用于AI數據中心、工業及電源系統的全新GaN FET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，適用于人工智能（AI）數據中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器。此類第四代增強型（Gen IV Plus）產品專為多千瓦級應用設計，將高效GaN技術與硅基兼容柵極驅動輸入相結合，顯著降低開關功率損耗，同時保留硅基FET的操作簡便性。新產品提供TOL
  • 關鍵字： 瑞薩電子  AI數據中心  工業  電源系統  GaN FET  

接口、黑匣子快照驅動器1.3kW AC-DC系列

  • XP Power 開發了 1.3kW 全數字、可配置、模塊化 AC-DC 電源系列，為電源工程師提供了新的界面。FLXPro 系列從 FLX1K3 可配置 1U 機箱開始，提供高達 1.3kW 的 AC-DC 電源，功率密度為 58.9W/cm3 （23.2W/in3）。該系統的一個關鍵元素是 XPInsight 用戶界面。這是使用以人為本的設計 （HCD） 原則開發的，以簡化系統配置、監控和控制，并具有繪圖、數據記錄和同步多單元顯示等高級功能?！拔覀冇?2015 年推出的 Nanoflex 1U 120
  • 關鍵字： 快照驅動器  AC-DC  XP Power  
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